电子封装件及其封装基板制造技术

本发明专利技术提出一种电子封装件及其封装基板。电子封装件包括封装基板于置晶侧配置第一绝缘层，而于外接侧配置第二绝缘层，以令该第一绝缘层的热膨胀系数大于该第二绝缘层的热膨胀系数，使位于该置晶侧的第一绝缘层的伸缩量可用于调整该封装基板的翘曲程度，以减少该封装基板翘曲的形变量。装基板翘曲的形变量。装基板翘曲的形变量。

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其封装基板


[0001]本专利技术涉及一种半导体封装，尤其涉及一种具嵌埋型线路(Embedded Trace)的封装基板及其后续所制作成的电子封装件。

技术介绍

[0002]随着电子产业的蓬勃发展，电子产品在型态上趋于轻薄短小，在功能上则朝高性能、高功能、高速化的研发方向。因此，为满足半导体装置的高集成度(Integration)及微型化(Miniaturization)需求，故于封装工艺中，常常采用具有高密度及细间距的线路的封装基板。
[0003]如图1A所示，现有封装基板1a包含一具有多个导电柱100的核心层10、分别设于该核心层10相对两侧的多个介电层11及设于各该介电层11上的线路层12，以借由该多个导电柱100电性导通位于该核心层10相对两侧的多个所述线路层12。
[0004]然而，现有封装基板1a包含核心层10，因而难以符合轻薄短小的需求，故遂发展出无核心层(coreless)实施例的封装基板1b，如图1B所示，其包含多个层叠而成的介电层11及设于各该介电层11上的线路层12。
[0005]然而，现有封装基板1b中，各该介电层11的材质及厚度均相同，故于封装过程中，该封装基板1于温度循环(temperature cycle)时，其容易因厚度过薄而发生翘曲(warpage)，导致于后续接置半导体芯片或电路板时，会发生不沾锡(non
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wetting)的问题，造成电性连接不佳的问题。
[0006]另一方面，若增加该介电层11的厚度，虽可减缓翘曲的情况，但会增加该封装基板1b的厚度，致使无法符合轻薄短小的需求。
[0007]因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

技术实现思路

[0008]鉴于上述现有技术的种种缺陷，本专利技术的目的在于提供一种电子封装件及其封装基板，可减少封装基板翘曲的形变量。
[0009]本专利技术的封装基板，包括：一包含至少一第一绝缘层的第一绝缘部；一包含至少一第二绝缘层的第二绝缘部，其叠合于该第一绝缘部上以形成绝缘结构，且该绝缘结构具有相对的置晶侧与外接侧，以令该第一绝缘层对应配置于该置晶侧，而该第二绝缘层对应配置于该外接侧，其中，该第一绝缘部的热膨胀系数大于该第二绝缘部的热膨胀系数；以及线路层，其以嵌埋方式配置于该第一绝缘部与第二绝缘部中。
[0010]前述的封装基板中，该第二绝缘部具有多个该第二绝缘层。例如，多个该第二绝缘层的至少二者的热膨胀系数为相同或不相同。或者，多个该第二绝缘层的热膨胀系数朝向该外接侧递减或递增。
[0011]前述的封装基板中，形成该第一绝缘层的材质为味之素增层膜。
[0012]前述的封装基板中，形成该第二绝缘层的材质为预浸材。
[0013]前述的封装基板中，该第一绝缘层与第二绝缘层的厚度为相同或相异。
[0014]前述的封装基板中，还包括设于该第一及/或第二绝缘部上并外露部分该线路层的绝缘保护层。
[0015]本专利技术还提供一种电子封装件，包括：一前述的封装基板；以及电子元件，其设于该置晶侧上且电性连接该线路层。
[0016]前述的电子封装件中，该外接侧上配置有多个电性连接该线路层的导电元件。
[0017]由上可知，本专利技术的封装基板，主要借由该第一绝缘层的热膨胀系数大于该第二绝缘层的热膨胀系数，使位于该置晶侧的第一绝缘层的伸缩量可用于调整该封装基板的翘曲程度，故相较于现有技术，本专利技术的封装基板无需增加该各绝缘层的厚度，即可减少该封装基板翘曲的形变量，因而不仅能提高产品良率，且能符合轻薄短小的需求。
附图说明
[0018]图1A为现有封装基板的剖面示意图。
[0019]图1B为现有另一封装基板的剖面示意图。
[0020]图2A为本专利技术的封装基板的剖视示意图。
[0021]图2B为本专利技术的电子封装件的剖视示意图。
[0022]图3为本专利技术的封装基板的另一实施例的剖视示意图。
[0023]附图标记如下：
[0024]1a,1b,2,3:封装基板
[0025]10:核心层
[0026]100:导电柱
[0027]11:介电层
[0028]12,20:线路层
[0029]2a,3a:第一绝缘部
[0030]2b:第二绝缘部
[0031]20a:置晶侧
[0032]20b:外接侧
[0033]201:导电迹线
[0034]202:导电盲孔
[0035]203:电性连接垫
[0036]204:焊垫
[0037]21:第一绝缘层
[0038]22,23,24,25:第二绝缘层
[0039]26a:第一绝缘保护层
[0040]26b:第二绝缘保护层
[0041]30:半导体芯片
[0042]30a:作用面
[0043]30b:非作用面
[0044]300:电极垫
[0045]31:导电凸块
[0046]32:导电元件
[0047]t:厚度
具体实施方式
[0048]以下借由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。
[0049]须知，本说明书所附附图所示出的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所公开的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所公开的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。
[0050]图2A为本专利技术的封装基板2的剖面示意图。如图2A所示，该封装基板2为无核心层(coreless)实施例，其包括：一第一绝缘部2a、一叠合于该第一绝缘部2a上的第二绝缘部2b、以及至少一线路层20，且该第一绝缘部2a包含至少一第一绝缘层，该第二绝缘部2b包含至少一第二绝缘层，在本实施实施例中，具有一层第一绝缘层21及层叠排设的四层第二绝缘层22,23,24,25，以形成绝缘结构。
[0051]所述的第一绝缘部2a作为该绝缘结构的置晶侧20a，而该第二绝缘部2b作为该绝缘结构的外接侧20b，即该第一绝缘层21对应配置于该置晶侧20a，而该第二绝缘层22,23,24,25对应配置于该外接侧20b，其中，该第一绝缘部2a(或第一绝缘层21)的热膨胀系数(如至少4ppm/℃)大于该第二绝缘部2b(或多个第二绝缘层22,23,24,25)的热膨胀系数(如至多2ppm/℃)。
[0052]于本实施例中，该第二绝缘部2b具有多个该第二绝缘层22,23,24,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装基板，其特征在于，包括：一包含至少一第一绝缘层的第一绝缘部；一包含至少一第二绝缘层的第二绝缘部，其叠合于该第一绝缘部上以形成绝缘结构，且该绝缘结构具有相对的置晶侧与外接侧，以令该第一绝缘层对应配置于该置晶侧，而该第二绝缘层对应配置于该外接侧，其中，该第一绝缘部的热膨胀系数大于该第二绝缘部的热膨胀系数；以及线路层，其以嵌埋方式配置于该第一绝缘部与第二绝缘部中。2.如权利要求1所述的封装基板，其特征在于，该第二绝缘部具有多个该第二绝缘层。3.如权利要求2所述的封装基板，其特征在于，多个该第二绝缘层的至少二者的热膨胀系数为相同或不相同。4.如权利要求2所述的封装基板，其特征在于，多个该第二绝缘层的热膨胀系...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏尧，
申请(专利权)人：芯爱科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：