一种修整器清洗装置和化学机械抛光设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种修整器清洗装置和化学机械抛光设备，修整器清洗装置包括：清洗槽，用于收集流体和污染物；至少两层清洗组件，设置在清洗槽的内侧壁，用于在修整器至少部分位于清洗槽内部后修整器与修整器清洗装置相对运动从而至少清洗修整器的侧面，其中，不同层的清洗组件处于不同高度。层的清洗组件处于不同高度。层的清洗组件处于不同高度。

【技术实现步骤摘要】
一种修整器清洗装置和化学机械抛光设备


[0001]本技术涉及半导体制造设备
，尤其涉及一种修整器清洗装置和化学机械抛光设备。

技术介绍

[0002]集成电路的制造过程通常分为：硅片制造、前道工艺(芯片加工)和后道工艺(封装测试)。硅片制造的主要目的是将自然原材料(砂石等)转变为晶片状的基础衬底。前道工艺(芯片加工)的主要目的是在基础衬底上生长电路器件，前道工艺的制造过程按照技术分工主要可分为：薄膜淀积、化学机械抛光(CMP)、光刻、刻蚀、离子注入等工艺环节，各工艺环节要进行多次循环。其中，CMP是利用化学腐蚀和机械研磨同时作用，实现晶圆全局均匀平坦化。前道工艺中，CMP的去除厚度一般为0.1μm～20μm，去除的材料量较少，并且化学反应剩余的颗粒物很小，抛光过程中产生的污染物一般为化学液体、细小的颗粒等，不会产生大量的大颗粒污染物，简单来说此过程比较干净，修整器上不会残留大量的固体颗粒，所以修整器的清洗只需要简单的液体冲洗即可满足需求。
[0003]后道工艺(封装测试)的主要目的是将生长有电路器件的整张晶圆制作成一个个独立的成品芯片。后道工艺的制程大致可以分为：背面减薄、晶圆切割、晶圆贴装、引线键合、塑封、激光打印、切筋成型和成品测试等8个主要步骤。晶圆的背面减薄(Grinding)指对封装前的硅晶片或化合物半导体等多种材料进行高精度磨削，使其厚度减少至合适的超薄形态。减薄设备中集成了磨削和CMP的功能部件，减薄的去除厚度在700μm左右甚至更多，晶圆的背面减薄主要是去除衬底的材料，并且由于这么大量的去除厚度，在磨抛过程中会产生大量的粉末，例如硅粉，并且晶圆总厚度在减薄至一定程度后，例如7μm以下，晶圆的边缘会发生少量剥离从而产生碎渣，这些粉尘和碎渣等大尺寸的固体污染物会附着在CMP单元的修整器上，特别是侧面。污染物持续聚集在修整器表面进一步可能造成结晶、大颗粒掉落影响修整效果，甚至可能造成晶圆表面被大颗粒划伤导致废片、碎片等问题。因此，在背面减薄设备中CMP单元的修整器清洗成为一亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本技术实施例提供了一种修整器清洗装置和化学机械抛光设备，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0005]本技术实施例的第一方面提供了一种修整器清洗装置，包括：
[0006]清洗槽，用于收集流体和污染物；
[0007]至少两层清洗组件，设置在清洗槽的内侧壁，用于在修整器至少部分位于清洗槽内部后修整器与修整器清洗装置相对运动从而至少清洗修整器的侧面，其中，不同层的清洗组件处于不同高度。
[0008]在一个实施例中，所述修整器清洗装置包括第一层清洗组件和第二层清洗组件，第一层清洗组件位于第二层清洗组件的上方，第一层清洗组件包括设置在清洗槽的内侧壁
的第一刷洗结构和至少一个第一喷嘴，第一刷洗结构用于刷洗修整器的侧面，第一喷嘴用于在刷洗过程中提供液体和/或冲洗修整器的侧面和/或清洗第一刷洗结构。
[0009]在一个实施例中，所述第一刷洗结构包括多个间隔设置的第一刷体，第一喷嘴与第一刷体相对设置，第一喷嘴在清洗修整器时用于喷淋修整器的侧面并在修整器不在位时冲洗相对的第一刷体从而实现刷体的自清洁。
[0010]在一个实施例中，所述第一刷洗结构包括环形布置的环形刷体，第一喷嘴位于环形刷体的内部。
[0011]在一个实施例中，所述第一刷体或环形刷体从下往上倾斜设置，并且从下往上的倾斜方向与修整器相对于清洗槽的旋转方向相逆。
[0012]在一个实施例中，所述第二层清洗组件包括第二刷体，用于刷洗修整器的底面。
[0013]在一个实施例中，所述第二层清洗组件包括至少一个第二喷嘴，用于冲洗清洗槽的内壁、修整器的底面和/或第二刷体。
[0014]在一个实施例中，所述修整器清洗装置还包括第三层清洗组件，第三层清洗组件的高度在第一层清洗组件和第二层清洗组件之间，用于清洗修整器的底面和/或清洗第一刷洗结构。
[0015]在一个实施例中，所述修整器与修整器清洗装置的相对运动包括相对旋转运动和/或相对上下运动，由修整器和清洗槽中的至少一者在驱动下实现。
[0016]在一个实施例中，所述修整器清洗装置还包括第四层清洗组件，第四层清洗组件的高度位于第一层清洗组件之上，用于在清洗槽上方形成气封或液封以避免污染物溅出。
[0017]在一个实施例中，所述清洗槽的内底面设置为从边缘向中心向下倾斜的锥面，以利于污染物的排出；所述清洗槽的内底面中央设有排出口。
[0018]本技术实施例的第二方面提供了一种化学机械抛光设备，包括承载头、抛光盘、修整器和抛光液供给装置，还包括如上所述的修整器清洗装置，所述修整器清洗装置的位置在抛光盘旁边并与修整器的移动轨迹重叠。
[0019]本技术实施例的有益效果包括：可以提升对修整器的清洗效果，有效去除修整器表面的污染物，降低污染物对晶圆划伤的风险。
附图说明
[0020]通过结合以下附图所作的详细描述，本技术的优点将变得更清楚和更容易理解，但这些附图只是示意性的，并不限制本技术的保护范围，其中：
[0021]图1为本技术一实施例提供的化学机械抛光单元的示意图；
[0022]图2为本技术一实施例提供的修整器清洗装置和修整器的工作示意图；
[0023]图3至图5示出了实施例一提供的修整器清洗装置；
[0024]图6示出了实施例二提供的修整器清洗装置；
[0025]图7和图8示出了实施例三提供的修整器清洗装置；
[0026]图9和图10示出了实施例四提供的修整器清洗装置；
[0027]图11至图16示出了实施例五提供的修整器清洗装置。
具体实施方式
[0028]下面结合具体实施例及其附图，对本技术所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本技术的特定的具体实施方式，用于说明本技术的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本技术实施方式及本技术保护范围的限制。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。应当理解的是，除非特别予以说明，为了便于理解，以下对本技术具体实施方式的描述都是建立在相关设备、装置、部件等处于原始静止的未给与外界控制信号和驱动力的自然状态下描述的。
[0029]此外，还需要说明的是，本申请中使用的例如前、后、上、下、左、右、顶、底、正、背、水平、垂直等表示方位的术语仅仅是为了便于说明，用以帮助对相对位置或方向的理解，并非旨在限制任何装置或结构的取向。
[0030]为了说明本技术所述的技术方案，下面将参考附图并结合实施例来进行说明。
[0031]在本申请中，化学机械抛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种修整器清洗装置，其特征在于，包括：清洗槽，用于收集流体和污染物；至少两层清洗组件，设置在清洗槽的内侧壁，用于在修整器至少部分位于清洗槽内部后修整器与修整器清洗装置相对运动从而至少清洗修整器的侧面，其中，不同层的清洗组件处于不同高度。2.如权利要求1所述的修整器清洗装置，其特征在于，所述修整器清洗装置包括第一层清洗组件和第二层清洗组件，第一层清洗组件位于第二层清洗组件的上方，第一层清洗组件包括设置在清洗槽的内侧壁的第一刷洗结构和至少一个第一喷嘴，第一刷洗结构用于刷洗修整器的侧面，第一喷嘴用于在刷洗过程中提供液体和/或冲洗修整器的侧面和/或清洗第一刷洗结构。3.如权利要求2所述的修整器清洗装置，其特征在于，所述第一刷洗结构包括多个间隔设置的第一刷体，第一喷嘴与第一刷体相对设置，第一喷嘴在清洗修整器时用于喷淋修整器的侧面并在修整器不在位时冲洗相对的第一刷体从而实现刷体的自清洁。4.如权利要求2所述的修整器清洗装置，其特征在于，所述第一刷洗结构包括环形布置的环形刷体，第一喷嘴位于环形刷体的内部。5.如权利要求3所述的修整器清洗装置，其特征在于，所述第一刷体或环形刷体从下往上倾斜设置，并且从下往上的倾斜方向与修整器相对于清洗槽的旋转方向相逆。6.如权利要求2所述的修整器清洗装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘远航，马旭，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：新型
国别省市：