太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明专利技术的太阳能电池包括具有第一极性或第二极性的硅基底，硅基底包括相对的第一侧和第二侧；设于硅基底第一侧的第一钝化结构，第一钝化结构中最远离硅基底的部分具有第一极性；第一钝化结构所在位置为第一电极区；设于第一钝化结构远离硅基底一侧的第二钝化结构，第二钝化结构中最远离硅基底的部分具有第二极性；第二钝化结构所在位置为第二电极区，第二电极区与第一电极区无重叠，第二钝化结构的工艺温度低于第一钝化结构的工艺温度；设于第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第一电极区的第一电极，设于第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第二电极区的第二电极。远离硅基底一侧且位于第二电极区的第二电极。远离硅基底一侧且位于第二电极区的第二电极。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]背接触异质结(HBC，Heterojunction Back Contact)太阳能电池中，硅基底背侧(背离入光侧的一侧)设有本征非晶硅(a
‑
Si)层，而基极和发射极均设于本征非晶硅层远离硅基底一侧，而本征非晶硅层表面中对应不同电极处分别进行不同极性的掺杂。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种新结构的太阳能电池及其制备方法。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供一种太阳能电池，其包括：
[0005]具有第一极性或第二极性的硅基底，所述硅基底包括相对的第一侧和第二侧；所述第一极性用于传输电子和空穴中的一者，所述第二极性用于传输电子和空穴中的另一者；
[0006]设于所述硅基底第一侧的第一钝化结构，所述第一钝化结构中最远离硅基底的部分具有第一极性；所述第一钝化结构所在位置为第一电极区；
[0007]设于所述第一钝化结构远离硅基底一侧的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：具有第一极性或第二极性的硅基底，所述硅基底包括相对的第一侧和第二侧；所述第一极性用于传输电子和空穴中的一者，所述第二极性用于传输电子和空穴中的另一者；设于所述硅基底第一侧的第一钝化结构，所述第一钝化结构中最远离硅基底的部分具有第一极性；所述第一钝化结构所在位置为第一电极区；设于所述第一钝化结构远离硅基底一侧的第二钝化结构，所述第二钝化结构中最远离硅基底的部分具有第二极性；所述第二钝化结构所在位置为第二电极区，所述第二电极区与第一电极区无重叠，所述第二钝化结构的工艺温度低于所述第一钝化结构的工艺温度；设于所述第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第一电极区的第一电极，设于所述第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第二电极区的第二电极。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化结构包括：隧穿钝化子层；设于所述隧穿钝化子层远离硅基底一侧的第一钝化子层，所述第一钝化子层具有第一极性。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿钝化子层的材料包括氧化硅、氧化铝、氮氧化硅、碳化硅中的至少一种；所述第一钝化子层的材料包括掺杂的多晶硅、掺杂的碳化硅中的至少一种。4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿钝化子层的厚度在1nm至3nm；所述第一钝化子层的厚度在10nm至200nm。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宏伟，孟子博，霍亭亭，杨广涛，张学玲，陈达明，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：