【技术实现步骤摘要】
半导体器件中的衬底结构和半导体器件
[0001]本申请涉及半导体领域,具体而言,涉及一种半导体器件中的衬底结构和半导体器件。
技术介绍
[0002]目前所有的传统型以及图形化晶圆均只面向一种器件制造,如图1所示,该晶圆包括依次叠置的硅层102、氧化硅层101以及硅衬底层100,所以该晶圆不能满足在同一片晶圆上制造不同工作电压的器件的需求。
[0003]因此,现有技术中的同一晶圆上不能制作的不同工作电压的器件。
[0004]在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解,因此,
技术介绍
中可能包含某些信息,这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
[0005]本申请的主要目的在于提供一种半导体器件中的衬底结构和半导体器件,以解决现有技术中的同一晶圆上不能制作的不同工作电压的器件的问题。
[0006]根据本专利技术实施例的一个方面,提供了一种半导体器件中的衬底结构,包括:衬底;第一绝缘介质层,位于所述衬底的表面上;顶层硅,位于所述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件中的衬底结构,其特征在于,包括:衬底;第一绝缘介质层,位于所述衬底的表面上;顶层硅,位于所述第一绝缘介质层的远离所述衬底的表面上,所述顶层硅包括多个顶层硅部,所述顶层硅部一一对应地位于所述第一绝缘介质层的远离所述衬底的表面上,任意两个所述顶层硅部的厚度不同,一个所述顶层硅部和对应的所述第一绝缘介质层的部分形成一个基底区,任何两个所述基底区上形成的器件不同;多个浅沟槽隔离结构,位于任意相邻的两个所述基底区之间。2.根据权利要求1所述的衬底结构,其特征在于,所述第一绝缘介质层包括:多个绝缘介质部,所述绝缘介质部间隔地位于所述衬底的表面上,所述顶层硅部一一对应地位于所述绝缘介质部的远离所述衬底的表面上;硅部,位于所述衬底的表面上,且位于任意相邻的两个所述绝缘介质部之间,一个所述基底区为一个所述顶层硅部、对应的所述绝缘介质部和所述硅部的部分形成。3.根据权利要求2所述的衬底结构,其特征在于,所述硅部的材料包括单晶硅和多晶硅中的至少...
【专利技术属性】
技术研发人员:莫海锋,
申请(专利权)人:苏州华太电子技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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