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本申请提供了一种半导体器件中的衬底结构和半导体器件。该衬底结构包括衬底、第一绝缘介质层、顶层硅和多个浅沟槽隔离结构，其中，第一绝缘介质层位于衬底的表面上，顶层硅位于第一绝缘介质层的表面上，顶层硅包括多个厚度不同的顶层硅部，一个顶层硅部和对应...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

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