显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种显示装置。显示装置包括：第一基板；第一阻挡层，布置于第一基板上；第二基板，布置于第一阻挡层上；第二阻挡层，布置于第二基板上；缓冲层，布置于第二阻挡层上；上部电荷俘获膜，布置于缓冲层上，并包括硅氧化物，并且具有54at％至56at％的氧原子含量；半导体层，布置于上部电荷俘获膜上；像素电极，布置于半导体层上，并且电连接于半导体层；像素定义膜，布置于像素电极上，并包括暴露像素电极的一部分的开口，并且具有黑色；中间层，布置于像素电极上，并且布置于开口内；以及公共电极，布置于中间层上。置于中间层上。置于中间层上。

【技术实现步骤摘要】
显示装置


[0001]本专利技术涉及一种显示装置。更详细而言，本专利技术涉及一种有机发光显示装置。

技术介绍

[0002]随着技术的发展，正在生产小型化、轻量化的同时性能更优异的显示装置。到目前为止，在显示装置中，显像管电视在性能或价格方面具有很多优点并被广泛使用。在小型化或便携性方面克服上述显像管电视的缺点，并具有小型化、轻量化及低功耗等优点的显示装置备受瞩目。例如，等离子体显示装置、液晶显示装置、有机发光显示装置以及量子点显示装置等备受瞩目。近来，要求一种残像得到改善且亮度得到提高的显示装置。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种显示品质得到提高的显示装置。
[0004]然而，本专利技术的目的不限于上述的目的，并且可以在不脱离本专利技术的思想和领域的范围内多样地扩展。
[0005]为了实现上述的本专利技术的目的，根据本专利技术的实施例的一种显示装置可以包括：第一基板；第一阻挡层，布置于所述第一基板上；第二基板，布置于所述第一阻挡层上；第二阻挡层，布置于所述第二基板上；缓冲层，布置于所述第二阻挡层上；上部电荷俘获膜，布置于所述缓冲层上，并包括硅氧化物，并且具有54at％至56at％的氧原子含量；半导体层，布置于所述上部电荷俘获膜上；像素电极，布置于所述半导体层上，并且电连接于所述半导体层；像素定义膜，布置于所述像素电极上，并包括暴露所述像素电极的一部分的开口，并且具有黑色；中间层，布置于所述像素电极上，并且布置于所述开口内；以及公共电极，布置于所述中间层上。
>[0006]根据一实施例，所述像素定义膜可以包括黑色颜料。
[0007]根据一实施例，所述黑色颜料可以包括炭黑。
[0008]根据一实施例，所述像素定义膜的吸光度(optical density)可以为1。
[0009]根据一实施例，所述像素定义膜的至少一部分可以与所述半导体层重叠。
[0010]根据一实施例，所述上部电荷俘获膜可以包括氢原子(H)以及氮原子(N)，所述上部电荷俘获膜的N
‑
H键的比率可以为大约0.3at％以下。
[0011]根据一实施例，所述显示装置还可以包括：下部电荷俘获膜，布置在所述第一基板与所述缓冲层之间，并包括硅氮化物。
[0012]根据一实施例，所述下部电荷俘获膜可以在无氨(NH
3 free)条件下形成。
[0013]根据一实施例，所述下部电荷俘获膜的硅原子含量与所述下部电荷俘获膜的氮原子含量的比率可以为大约1.6至大约2.5。
[0014]根据一实施例，所述下部电荷俘获膜的硅原子含量可以为大约60at％至大约70at％，并且所述下部电荷俘获膜的氮原子含量可以为大约25at％至大约35at％。
[0015]根据一实施例，所述下部电荷俘获膜的Si
‑
H键的比率可以为大约8at％至大约
15at％。
[0016]根据一实施例，所述下部电荷俘获膜的Si
‑
H键的比率与所述下部电荷俘获膜的N
‑
H键的比率之比可以为大约8至大约15。
[0017]根据一实施例，所述下部电荷俘获膜可以布置在所述第一阻挡层与所述第二基板之间。
[0018]根据一实施例，所述下部电荷俘获膜可以布置在所述第二基板与所述第二阻挡层之间。
[0019]根据一实施例，所述下部电荷俘获膜可以布置于所述第二阻挡层上。
[0020]根据一实施例，所述第一阻挡层及所述第二阻挡层可以包括硅氧化物。
[0021]根据一实施例，所述第一基板及所述第二基板可以包括聚酰亚胺。
[0022]根据一实施例，所述上部电荷俘获膜可以与所述半导体层接触。
[0023]根据一实施例，所述缓冲层可以包括硅氮化物。
[0024]根据一实施例，所述半导体层可以包括多晶硅或氧化物半导体。
[0025]根据实施例的显示装置可以包括电荷俘获膜及具有黑色的像素定义膜。所述电荷俘获膜可以改善所述显示装置的长期残像。具有黑色的所述像素定义膜可以改善所述显示装置的所述长期残像及瞬时残像。具有黑色的所述像素定义膜可以防止由于所述显示装置包括所述电荷俘获膜而发生的亮度下降现象。据此，可以提高所述显示装置的显示品质。
[0026]然而，本专利技术的效果不限于上述的效果，并且可以在不脱离本专利技术的思想和领域的范围内多样地扩展。
附图说明
[0027]图1是示出根据本专利技术的一实施例的显示装置的平面图。
[0028]图2是沿图1的I
‑
I'线剖切的剖面图。
[0029]图3是用于说明显示装置的残像的图。
[0030]图4是用于说明显示装置的长期残像的曲线图。
[0031]图5是示出图4的一示例的曲线图。
[0032]图6是示出基于根据一实施例的像素定义膜是否具有黑色的残像程度的曲线图。
[0033]图7是示出基于根据一实施例的像素定义膜是否是黑色的残像程度的曲线图。
[0034]图8是用于说明显示装置的瞬时残像的曲线图。
[0035]图9是示出基于根据一实施例的像素定义膜是否具有黑色的残像时间的曲线图。
[0036]图10是示出根据本专利技术的另一实施例的显示装置的剖面图。
[0037]图11是示出根据本专利技术的又一实施例的显示装置的剖面图。
[0038]图12是示出根据本专利技术的又一实施例的显示装置的剖面图。
[0039]附图标记说明
[0040]1000、1100、1200、1300：显示装置
[0041]SUB1、SUB2：第一基板及第二基板BF：缓冲层
[0042]AIU：上部电荷俘获膜AIL：下部电荷俘获膜
[0043]BA1、BA2：第一阻挡层及第二阻挡层ACT：半导体层
[0044]BPDL：像素定义膜LED：发光元件
[0045]ANO：像素电极ML：中间层
[0046]CAT：公共电极OP：开口
具体实施方式
[0047]以下，参照附图对本专利技术的实施例进行更详细的说明。对附图中的相同的构成要素使用相同的附图标记，并省略对相同的构成要素的重复说明。
[0048]图1是示出根据本专利技术的一实施例的显示装置的平面图。
[0049]参照图1，根据本专利技术的一实施例的显示装置1000可以包括显示区域DA及非显示区域NDA。
[0050]在显示区域DA可以布置有像素PX。像素PX可以发光。显示区域DA可以显示图像。
[0051]非显示区域NDA可以包围显示区域DA的至少一部分。在非显示区域NDA可以布置有驱动部。所述驱动部可以弯曲到显示装置1000的背面，使得驱动部在显示装置1000的平面图中不可见。所述驱动部可以向像素PX提供信号和/或电压。像素PX可以基于从驱动部提供的信号和/或电压而发光。例如，所述驱动部可以包括栅极驱动部、数据驱动部、发光驱动部、电源电压生成部、时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：第一基板；第一阻挡层，布置于所述第一基板上；第二基板，布置于所述第一阻挡层上；第二阻挡层，布置于所述第二基板上；缓冲层，布置于所述第二阻挡层上；上部电荷俘获膜，布置于所述缓冲层上，并包括硅氧化物，并且具有54at％至56at％的氧原子含量；半导体层，布置于所述上部电荷俘获膜上；像素电极，布置于所述半导体层上，并且电连接于所述半导体层；像素定义膜，布置于所述像素电极上，并包括暴露所述像素电极的一部分的开口，并且具有黑色；中间层，布置于所述像素电极上，并且布置于所述开口内；以及公共电极，布置于所述中间层上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述像素定义膜包括黑色颜料。3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述像素定义膜的吸光度为1。4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述上部电荷俘获膜包括氢原子以及氮原子，所述上部电荷俘获膜的N
‑
H键的比率为0.3at％...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔贞美，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：