【技术实现步骤摘要】
一种电子级高纯二氧化钛水浆的后处理工艺
[0001]本专利技术涉及一种电子级高纯二氧化钛水浆的后处理工艺。
技术介绍
[0002]电子级高纯二氧化钛由于具有半导体性能,介电常数、电导率较高等优点,可以应用于固相法合成片式多层陶瓷电容器(MLCC)等电介质材料,以及圆片瓷介电容(DCC)、正温度系数热敏电阻(PTC)等电子元器件基础原料。
[0003]目前,生产电子级高纯二氧化钛主要有硫酸法、水解法和氯化法。硫酸法工艺简单成熟,原料易得、成本较低,设备简单;但工艺流程长、“三废多”、能耗高。水解法工艺流程短,产品质量好;但原料要求质量高,生产成本较高。氯化法工艺流程短、自动化程度高、“三废”少,但氯化法杂质含量较难控制,为减少杂质的引入,在气相氧化阶段不加入晶型转化剂AlCl3进行生产。该类二氧化钛半产品的pH值在1~2之间,等电点一般在pH值4~5之间,其水浆初始粘度较低,一般可在100cP以下,因电子元器件用二氧化钛在复合粉体的加工过程中,要求二氧化钛pH值在中性附近,一般要求pH值6.5~7.5。而当水浆pH值从 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子级高纯二氧化钛水浆的后处理工艺,其特征在于:包括以下步骤:1)将电子级高纯二氧化钛半成品加入去离子水得到电子级高纯二氧化钛水浆,电子级高纯二氧化钛水浆加入分散剂,所述分散剂为聚羧酸铵盐分散剂或聚丙烯酸铵盐分散剂,室温下搅拌10min~20min;2)用质量浓度为20%~30%碱液调pH值至6.5~7.5,搅拌10min~20min;3)过滤、洗涤、干燥后,将得到的二氧化钛粉体与异硬脂酸共同加入气粉机中,异硬脂酸的加入方式是采用雾化喷枪雾化添加,气粉处理后,得到电子级高纯二氧化钛产品。2.根据权利要求1所述的电子级高纯二氧化钛水浆的后处理工艺,其特征在于:在步骤1)中,聚羧酸铵盐分散剂或聚丙烯酸铵盐分散剂的分子量为5000~8000,分散剂的加入量占二氧化钛半成品质量0.2%~0.3%。3.根据权利要求1所述的电子级高纯二氧化钛水浆的后处理工艺,其特征在于:在步骤3)中,异硬脂酸占二氧化钛半成品质量0.2%~0.5%。4.根据权利要求1所述的电子级高纯二氧化钛水浆的后处理工艺,其特征在于:在步骤1)中,电子级高纯二氧化钛水浆质量浓度为25%~30%。5.根据权利要求1所述的电子级高纯二氧化钛水浆的后处理工艺,其特征在于:在步骤1)中,电子级高纯二氧化钛水浆的原料为气相氧化法制备的二氧化钛半成品粉体,二氧化钛半成品粉体去离子水洗涤后二氧化钛纯度≥99.9%。6.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴琼,姜志刚,何双力,张炳,王建伟,许丽岩,刘立新,姜薇,赵福军,杨平,
申请(专利权)人:中国中信集团有限公司,
类型:发明
国别省市:
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