用于闭环模拟调节的有源接地反弹噪声消除技术制造技术

本公开的各实施例总体上涉及用于闭环模拟调节的有源接地反弹噪声消除技术。一种使用双输入差分对的有源噪声消除技术的差分反馈电路。在差分反馈电路中，反馈电压和参考电压连接到主输入对。输入处的感测噪声被置于差分放大器的辅输入对中，辅输入对相对于主输入对被反转。换言之，可能受到噪声影响的参考电压直接连接到辅输入对的一个端子，并且通过低通滤波器连接到辅输入对的另一端子，使得可能耦合到差分反馈电路的噪声在差分反馈电路的输出处被消除。出处被消除。出处被消除。

【技术实现步骤摘要】
用于闭环模拟调节的有源接地反弹噪声消除技术


[0001]本公开涉及差分反馈集成电路，并且更具体地涉及差分电路的有源噪声消除。

技术介绍

[0002]某种电路装置使用差分放大器进行反馈。例如，具有输出的电路可以包括用于使用例如差分放大器将输出与参考进行比较的电路装置。对于压控电路，差分放大器的输入可以是参考电压和采样输出电压。差分放大器的输出可以被视为误差信号，其可以连接到被配置为对输出电压进行调节的反馈回路的输入。

技术实现思路

[0003]总体上，本公开描述了一种使用双输入差分对的有源噪声消除技术的差分反馈电路。在差分反馈电路中，反馈电压和参考电压连接到主输入对。带有感测噪声的信号可以被置于差分反馈电路的辅输入对中。辅输入对可以相对于主输入对被反转，使得噪声在误差放大器的输出处被消除。在一些示例中，差分反馈电路的输出可以由开关模式电源(SMPS)电路接收，并且用作反馈回路的一部分，以管理SMPS的输出电压。
[0004]在一个示例中，本公开描述了一种差分反馈电路，该电路包括：输出端子；被配置用于有源噪声消除的双输入差分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种差分放大器电路，所述电路包括：输出端子；双输入差分对，被配置用于有源噪声消除，所述双输入差分对包括主输入端子对和辅输入端子对，其中所述辅输入端子对的极性相对于所述主输入端子对的极性反转，其中：所述主输入端子对包括第一端子和第二端子，所述主输入对被连接至：所述第一端子处的参考电压，其中所述参考电压容易受到噪声信号的影响，以及所述第二端子处的反馈电压，以及所述辅输入端子对包括第三端子和第四端子，所述辅输入对被连接至：所述第三端子处的所述参考电压，以及通过连接到所述第四端子和所述第二端子的低通滤波器的所述参考电压，其中所述差分放大器的所述输出端子被配置为递送包括所述主输入端子对和所述辅输入端子对处的信号之和的输出信号，以消除所述噪声信号的影响。2.根据权利要求1所述的电路，其中所述低通滤波器包括：连接在所述第二端子与所述第四端子之间的耦合电容器；以及连接在所述第四端子与所述参考电压之间的耦合电阻器。3.根据权利要求1所述的电路，其中：所述第一端子是非反相端子；所述第二端子是反相端子；所述第三端子是反相端子；以及所述第四端子是非反相端子。4.根据权利要求1所述的电路，其中所述反馈电压被连接到补偿电路。5.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路是在公共半导体衬底中形成的集成电路中实现的。6.根据权利要求1所述的电路，其中：所述第一端子连接到第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的栅极，所述第二输入端子连接到第二MOSFET的栅极，并且所述第一MOSFET的源极连接到所述第二MOSFET的源极。7.根据权利要求6所述的电路，其中：所述第三端子连接到第三MOSFET的栅极，所述第四端子连接到第四MOSFET的栅极，并且所述第三MOSFET的源极连接到所述第四MOSFET的源极。8.根据权利要求6所述的电路，包括电流镜，其中所述电流镜包括：所述第一MOSFET，所述第二MOSFET，以及第五MOSFET和第六MOSFET，其中所述第二MOSFET的漏极连接到所述第六MOSFET的漏极，并且所述第一MOSFET的漏极连接到所述第五MOSFET的漏极和栅极。9.根据权利要求8所述的电路，其中所述输出端子连接到所述第二MOSFET的所述漏极和所述第六MOSFET的所述漏极。
10.根据权利要求7所述的电路，其中：所述第一MOSFET的漏极连接到所述第四MOSFET的漏极，并且所述第二MOSFET的漏极连接到所述第三MOSFET的漏极。11.一种系统，包括：处理电路装置；功率转换器电路，包括功率级，所述功率转换器电路被配置为向所述处理电路装置供电；差分反馈电路，包括：输出端子，被配置为提供误差信号以控制所述功率转换器电路的所述功率级的操作；双输入差分对，被配...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：