一种低噪声共源共栅放大器及微波系统技术方案

本申请提出一种低噪声共源共栅放大器及微波系统，其中，共源晶体管的栅极通过第一层金属连接在一起，共栅晶体管的栅极通过第一层金属连接在一起，共源晶体管的源极通过第一通孔和第一层金属与第二层金属相连，在第二层金属引出第一走线，跨过采用第一层金属引出的共源晶体管的栅极后连接在一起，共栅晶体管的漏极通过第二通孔和第一层金属与第二层金属相连，在第二层金属引出第二走线，跨过采用第一层金属引出的共栅晶体管的栅极后连接在一起，共源晶体管的漏极与共栅晶体管的源极共用一块有源区域，使二者之间的金属连线距离尽可能的减小到最短，使寄生电容尽可能的小，从而使低噪声共源共栅放大器得到更低的噪声系数。低噪声共源共栅放大器得到更低的噪声系数。低噪声共源共栅放大器得到更低的噪声系数。

【技术实现步骤摘要】
一种低噪声共源共栅放大器及微波系统


[0001]本申请涉及通信
，具体而言，涉及一种低噪声共源共栅放大器及微波系统。

技术介绍

[0002]低噪声放大器是微波系统中的一种应用非常广泛的器件，低噪声放大器位于移动通讯、电子对抗等接收装置的前端，紧连天线，位于接收机的第一级，它主要功能是将来自天线的微小信号进行放大，从而获得可供系统处理的有用信息。低噪声放大器的噪声系数对整个微波系统的噪声影响最大，它的增益将决定对后级电路的噪声抑制程度，它的线性度将对整个系统的线性度和共模噪声抑制比产生重要影响，所以低噪声放大器是整个收发系统接收端的核心元器件。
[0003]因此，本领域技术人员需要持续关注如何优化完善低噪声放大器。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种低噪声共源共栅放大器及微波系统，以至少部分改善低噪声放大器。
[0005]为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：第一方面，本申请实施例提供一种低噪声共源共栅放大器，所述低噪声共源共栅放大器包括共源晶体管和共栅晶体管；所述共源晶体管的栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪声共源共栅放大器，其特征在于，所述低噪声共源共栅放大器包括共源晶体管和共栅晶体管；所述共源晶体管的栅极通过第一层金属连接在一起，所述共栅晶体管的栅极通过第一层金属连接在一起，所述共源晶体管的源极通过第一通孔和第一层金属与第二层金属相连，在第二层金属引出第一走线，跨过采用第一层金属引出的所述共源晶体管的栅极后连接在一起，所述共栅晶体管的漏极通过第二通孔和第一层金属与第二层金属相连，在第二层金属引出第二走线，跨过采用第一层金属引出的所述共栅晶体管的栅极后连接在一起，所述共源晶体管的漏极与所述共栅晶体管的源极共用一块有源区域。2.如权利要求1所述的低噪声共源共栅放大器，其特征在于，所述低噪声共源共栅放大器还包括输入匹配网络和输出匹配网络；所述输入匹配网络的一端连接于所述低噪声共源共栅放大器的信号输入端，所述输入匹配网络的另一端连接于所述共源晶体管的栅极，所述共源晶体管的源极接地，所述共源晶体管的漏极连接于所述共栅晶体管的源极，所述共栅晶体管的漏极连接于所述输出匹配网络，所述输出匹配网络的另一端连接于所述低噪声共源共栅放大器的信号输出端。3.如权利要求2所述的低噪声共源共栅放大器，其特征在于，所述低噪声共源共栅放大器还包括第一电容和第三电容；所述第一电容的一端连接于所述低噪声共源共栅放大器的信号输入端，所述第一电容的另一端连接于所述输入匹配网络的一端；所述第三电容的一端连接于所述低噪声共源共栅放大器的信号输出端，所述第三电容的另一端连接于所述输出匹配网络的另一端。4.如权利要求2所述的低噪声共源共栅放大器，其特征在于，所述低噪声共源共栅放大器还包括扼流电感，所述扼流电感的一端连接于第一驱动电源，所述扼流电感的另一端连接于所述共栅晶体管的漏极。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚海波，文熙勇，甘志，毋茜，
申请(专利权)人：成都明夷电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：