【技术实现步骤摘要】
一种具有两输入与非门逻辑的施密特触发器电路、方法及芯片
[0001]本专利技术涉及数字电路
，尤其涉及一种具与非门逻辑的施密特触发器电路、方法及芯片。
技术介绍
[0002]两输入与非门电路是数字电路中的一种基本逻辑电路，其功能是当输入均为高电平时，则输出为低电平；当输入中至少有一个为低电平时，则输出为高电平。然后对于实际的输入信号而言，输入电平在变化的过程中，例如由低电平变为高电平时，需要一个上升时间，而由高电平变为低电平时，则需要一个下降时间。这会导致此时的输出电平也可能会发生电平变化，而电平变化的这个过程一般需要一个响应时间，但是对于传统CMOS两输入与非门电路而言，这个响应时间一般会比较长。其次传统CMOS两输入与非门电路，竞争
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冒险现象也比较严重，传统CMOS两输入与非门电路结构如图1所示。
[0003]施密特触发器电路是脉冲波形变化中经常使用的一种电路。利用其性能上的特点不仅能将边沿变化缓慢的信号波形整形为边沿陡峭的矩形波，而且可以将叠加在矩形脉冲高、低电平上的上的噪声有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具与非门逻辑的施密特触发器电路，其特征在于，所述施密特触发器电路包括：第一输入节点A、第一PMOS管和第一NMOS管、第二输入节点B、施密特触发器和输出节点Y，所述第一PMOS管和第一NMOS管一端均与第二输入节点B连接，所述第一PMOS管同时连接施密特触发器和输出节点Y，所述第一NMOS管通过施密特触发器连接输出节点Y，所述第一输入节点A通过施密特触发器连接输出节点Y。2.根据权利要求1所述的施密特触发器电路，其特征在于，所述施密特触发器电路还包括供电电压VP，所述第一PMOS管栅极连接第二输入节点B，源极连接供电电压VP，漏极同时连接施密特触发器和输出节点Y。3.根据权利要求2所述的施密特触发器电路，其特征在于，所述施密特触发器电路还包括接地端VN，所述第一NMOS管栅极连接第二输入节点B，源极连接接地端VN，漏极通过施密特触发器连接输出节点Y。4.根据权利要求3所述的施密特触发器电路，其特征在于，所述施密特触发器包括第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管；所述第二PMOS管栅极同时连接第一输入节点A、第三PMOS管栅极、第二NMOS管栅极和第三NMOS管栅极，源极同时连接供电电压VP和第一PMOS管源极，漏极同时连接第三PMOS管源极和第四PMOS管源极；所述第三PMOS管栅极同时连接第一输入节点A、第二PMOS管栅极、第二NMOS管栅极和第三NMOS管栅极，源极同时连接第二PMOS管漏极和第四PMOS管源极，漏极同时连接输出节点Y、第一PMOS管漏极、第二NMOS管漏极、第四PMOS管栅极和第四NMOS管栅极；所述第四PMOS管栅极同时连接输出节点Y、第四NMOS管栅极、第二NMOS管漏极、第一PMOS管漏极和第三PMOS管漏极，源极同时连接第二PMOS管漏极和第三PMOS管源极，漏极同时连接第三NMOS管源极和第一NMOS管漏极；所述第二NMOS管栅极同时连接第一输入节点A、第二PMOS管栅极、第三PMOS管栅极和第三NMOS管栅极，源极同时连接第三NMOS管漏极和第四NMOS管源极，漏极同时连...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖永波，魏超，袁丕根，徐璐，路远，黄乐天，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院湖州，
类型：发明
国别省市：
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