半导体器件及其制造方法技术

本申请提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；至少一个电子部件，所述至少一个电子部件安装于所述基底上；密封剂，所述密封剂形成于所述基底上并至少部分地密封所述至少一个电子部件；屏蔽层，所述屏蔽层形成于所述密封剂上；热界面层，所述热界面层形成于所述屏蔽层上；以及金属盖，所述金属盖形成于所述热界面层上。述热界面层上。述热界面层上。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本申请总体上涉及半导体器件，更具体地，涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]由于消费者希望他们的电子产品更小、更快、性能更高，半导体行业一直面临着复杂集成的挑战。在便携式多媒体设备等尖端5G设备中，通常将处理系统和天线集成到单个封装中。在这样的配置中，多个电子部件可以集成在一个更小的封装件中，满足消费者在更小的设备中包含更多功能模块的需求。然而，这种高度集成要求更多的接口引脚数和更小的厚度，并因此产生更多的热量，散热效率更低。在这种情况下，封装件内积聚的热量可能会导致封装件翘曲问题并损害系统的功能。
[0003]因此，需要一种具有改进的热管理的半导体封装件。

技术实现思路

[0004]本申请的一个目的是提供一种用于半导体器件的热管理的设备。
[0005]根据本申请实施例的一个方面，提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；至少一个电子部件，所述至少一个电子部件安装于所述基底上；密封剂，所述密封剂形成于所述基底上并至少部分地密封所述至少一个电子部件；屏蔽层，所述屏蔽层形成于所述密封剂上；热界面层，所述热界面层形成于所述屏蔽层上；以及金属盖，所述金属盖形成于所述热界面层上。
[0006]根据本申请实施例的一个方面，提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；至少一个电子部件，所述至少一个电子部件安装于所述基底上；密封剂，所述密封剂形成于所述基底上并至少部分地密封所述至少一个电子部件；热界面层，所述热界面层形成于所述密封剂上；金属盖，所述金属盖形成于所述热界面层上；以及屏蔽层，所述屏蔽层形成于所述基底上并覆盖所述金属盖，所述热界面层和所述密封剂。
[0007]根据本申请实施例的另一个方面，提供了用于制造根据上述方面的半导体器件的多种方法。
[0008]应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都只是示例性和说明性的，而不是对本专利技术的限制。此外，并入并构成本说明书一部分的附图说明了本专利技术的实施例并且与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
附图说明
[0009]本文引用的附图构成说明书的一部分。附图中所示的特征仅图示了本申请的一些实施例，而不是本申请的所有实施例，除非详细描述另有明确说明，并且说明书的读者不应做出相反的暗示。
[0010]图1A是根据本申请一个实施例的半导体器件的截面图。
[0011]图1B和1C是根据本申请一些实施例的示出图1A的半导体器件的一部分的放大图。
[0012]图1D是根据本申请实施例的具有分立天线封装件的半导体器件的截面图。
[0013]图2A是根据本申请另一个实施例的具有暴露于屏蔽层的顶面的两个电子部件的半导体器件的截面图。
[0014]图2B和2C是根据本申请一些实施例的示出图2A的半导体器件的一部分的放大图。
[0015]图3A、3B和4是根据本申请一些实施例的具有安装于基底上的密封半导体封装件的半导体器件的截面图。
[0016]图5A是根据本申请另一个实施例的半导体器件的截面图。
[0017]图5B和5C是根据本申请一些实施例的示出图5A的半导体器件的一部分的放大图。
[0018]图6A是根据本申请另一个实施例的半导体器件的截面图。
[0019]图6B和6C是根据本申请一些实施例的示出图6A的半导体器件的一部分的放大图。
[0020]图7和图8是示出根据本申请一些实施例的具有安装于基底上的密封半导体封装件的半导体器件的截面图。
[0021]图9A是根据本申请一个实施例的制造半导体器件的方法900的流程图。
[0022]图9B
‑
9F是图9A所示的用于制造半导体器件的方法的各个步骤的截面图。
[0023]图10A是根据本申请另一个实施例的制造半导体器件的方法1000的流程图。
[0024]图10B
‑
10F是图10A所示的用于制造半导体器件的方法的各个步骤的截面图。
[0025]在整个附图中将使用相同的附图标记来表示相同或相似的部分。
具体实施方式
[0026]本申请示例性实施例的以下详细描述参考了形成描述的一部分的附图。附图示出了其中可以实践本申请的具体示例性实施例。包括附图在内的详细描述足够详细地描述了这些实施例，以使本领域技术人员能够实践本申请。本领域技术人员可以进一步利用本申请的其他实施例，并在不脱离本申请的精神或范围的情况下进行逻辑、机械等变化。因此，以下详细描述的读者不应以限制性的方式解释该描述，并且仅以所附权利要求限定本申请的实施例的范围。
[0027]在本申请中，除非另有明确说明，否则使用单数包括了复数。在本申请中，除非另有说明，否则使用“或”是指“和/或”。此外，使用术语“包括”以及诸如“包含”和“含有”的其他形式的不是限制性的。此外，除非另有明确说明，诸如“元件”或“组件”之类的术语覆盖了包括一个单元的元件和组件，以及包括多于一个子单元的元件和组件。此外，本文使用的章节标题仅用于组织目的，不应解释为限制所描述的主题。
[0028]如本文所用，空间上相对的术语，例如“下方”、“下面”、“上方”、“上面”、“上”、“上侧”、“下侧”、“左侧”、“右侧”、“水平”、“竖直”等等，可以在本文中使用，以便于描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了图中描绘的方向之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用或操作中的不同方向。该器件可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方向)，并且本文使用的空间相关描述符同样可以相应地解释。应该理解，当一个元件被称为“连接到”或“耦接到”另一个元件时，它可以直接连接到或耦接到另一个元件，或者可以存在中间元件。
[0029]图1A示出了根据本申请一个实施例的半导体器件100，半导体器件100具有安装在半导体器件100的基底110上的多个电子部件。如图1A所示，一些电子部件被密封，并进一步
被屏蔽层、热界面层和金属盖覆盖，它们共同为半导体器件100，尤其是密封在其中的电子部件提供热管理。
[0030]具体地，多个电子部件120、130、140和150安装于基底110的两侧，并且电子部件电连接到基底110内的导电结构(未示出)。在一个实施例中，基底110包括一个或多个嵌入式天线构件(未示出)。安装于基底110上的电子部件可以是半导体裸片120、分立器件130和140以及电介质构件150。电介质构件150可以分别地改进相应的嵌入式天线构件的发射和接收。在一些实施例中，分立器件140是板对板连接器，其可以电连接到半导体器件100的电子部件或基底110，并且可以被配置为电连接到其他器件。优选地，板对板连接器将嵌入式天线构件电连接到其他设备。诸如半导体裸片120和分立器件130的一些电子部件可能需要密封和EMI屏蔽，而诸如分立器件140和电介质构件150的一些其他电子部件可能不需要相同的保护。本申请通过进一步堆叠具有密封和屏蔽层的多层结构来实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：基底；至少一个电子部件，所述至少一个电子部件安装于所述基底上；密封剂，所述密封剂形成于所述基底上并至少部分地密封所述至少一个电子部件；屏蔽层，所述屏蔽层形成于所述密封剂上；热界面层，所述热界面层形成于所述屏蔽层上；以及金属盖，所述金属盖形成于所述热界面层上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层包括：润湿子层；以及屏蔽子层，所述屏蔽子层形成于所述润湿子层上。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层进一步包括保护子层，所述保护子层形成于所述屏蔽子层上。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述保护子层的材料包括不锈钢、有机可焊性防腐剂或镍。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述润湿子层的材料包括不锈钢或钛；以及所述屏蔽子层的材料包括铜。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个电子部件包括一个或多个半导体裸片和一个或多个分立器件。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述密封剂被构造为，所述至少一个电子部件的顶面暴露于所述密封剂，从而与所述屏蔽层接触。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述密封剂被构造为覆盖所述至少一个电子部件的顶面和多个侧面。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述热界面层包括焊膏。10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：基底；至少一个电子部件，所述至少一个电子部件安装于所述基底上；密封剂，所述密封剂形成于所述基底上并至少部分地密封所述至少一个电子部件；热界面层，所述热界面层形成于所述密封剂上；金属盖，所述金属盖形成于所述热界面层上；以及屏蔽层，所述屏蔽层形成于所述基底上并覆盖所述金属盖，所述热界面层和所述密封剂。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层包括：屏蔽子层；以及保护子层，所述保护子层形成于所述润湿子层上。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层进一步包括润湿子层，所述润湿子层形成于所述屏蔽子层下方。13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述润湿子层的材料包括不锈钢或钛。
14.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽子层的材料包括铜；以及所述保护子层的材料包括不锈钢、有机可焊性防腐剂或镍。15.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一个电子部件包括一个或多个半导体裸片和一个或多个分立器件。16.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述密封剂被构造为，所述至少一个电子部件的顶面暴露于所述密封剂，从而与所述屏蔽层接触。17.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述密封剂被构造为覆盖所述至少一个电子部件的顶面和多...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承炫，金京焕，朴弘圭，徐仁镐，陈明圭，
申请(专利权)人：星科金朋私人有限公司，
类型：发明
国别省市：