电容器组件制造技术

本公开提供一种电容器组件，所述电容器组件包括：主体，包括内电极层以及设置在彼此相邻的所述内电极层之间的介电层；以及外电极，设置在所述主体的表面上，其中，所述内电极层和所述介电层分别包括钼(Mo)，所述介电层在厚度方向上具有中央部分和和外部部分，所述外部部分设置在所述中央部分与所述内电极层之间，并且包含在所述介电层的所述中央部分中的钼的含量小于包含在所述介电层的所述外部部分中的钼(Mo)的含量。中的钼(Mo)的含量。中的钼(Mo)的含量。

【技术实现步骤摘要】
电容器组件
[0001]本申请要求于2021年10月29日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0146877号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。


[0002]本公开涉及一种电容器组件。

技术介绍

[0003]由于多层陶瓷电容器(MLCC)(一种电容器组件)的紧凑性、确保的高电容和易于安装的优点，MLCC是在诸如通信、计算机、家用电器和汽车行业等的行业中使用的重要的片式组件，并且特别地，是在各种电气、电子信息通信装置(诸如，移动电话、计算机、数字电视)中使用的关键无源器件。
[0004]根据对MLCC的更高性能的需求，介电层已经变得越来越薄。然而，当介电层变薄时，尽管可提高电容，但是其他特性(例如，温度特性和电特性(诸如，DC偏置)以及可靠性)可能劣化。

技术实现思路

[0005]示例性实施例提供了一种具有改善的可靠性的电容器组件。
[0006]根据本公开的一方面，一种电容器组件包括：主体，包括内电极层以及设置在彼此相邻的所述内电极层之间的介电层；以及外电极，设置在所述主体的表面上，其中，所述内电极层和所述介电层分别包括钼(Mo)，所述介电层在厚度方向上具有中央部分和和外部部分，所述外部部分设置在所述中央部分与所述内电极层之间，并且包含在所述介电层的所述中央部分中的钼的含量小于包含在所述介电层的所述外部部分中的钼(Mo)的含量。
[0007]根据本公开的一方面，一种电容器组件包括主体，所述主体包括内电极层以及设置在彼此相邻的所述内电极层之间的介电层，其中，所述内电极层和所述介电层分别包括钼(Mo)，所述介电层在厚度方向上具有中央部分和外部部分，所述外部部分设置在所述中央部分与所述内电极层之间，包含在所述介电层的所述中央部分中的钼的含量小于包含在所述介电层的所述外部部分中的钼(Mo)的含量，并且相对于100at％的钡(Ba)，包含在所述介电层的所述外部部分中的钼(Mo)的含量为0.5at％至1at％。
[0008]根据本公开的一方面，一种电容器组件包括主体，所述主体包括内电极层以及设置在彼此相邻的所述内电极层之间的介电层，其中，所述内电极层和所述介电层分别包括钼(Mo)，相对于100wt％的镍，包含在所述内电极层中的钼(Mo)的含量为0.1wt％至5wt％，所述介电层在厚度方向上具有中央部分和外部部分，所述外部部分设置在所述中央部分与所述内电极层之间，相对于100at％的钡(Ba)，包含在所述介电层的所述中央部分中的钼(Mo)的含量为0.05at％至0.5at％，并且相对于100at％的钡(Ba)，包含在所述介电层的所述外部部分中的钼(Mo)的含量为0.5at％至1at％。
附图说明
[0009]通过结合附图以及以下具体实施方式，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：
[0010]图1是示意性地示出根据本公开中的示例性实施例的电容器组件的示图；
[0011]图2是沿着图1的线I
‑
I'截取的示意性截面图；以及
[0012]图3和图4各自示意性地示出了主体的区域的透射电子显微镜(TEM)图像。
具体实施方式
[0013]在下文中，将参照附图详细描述本公开中的示例性实施例。
[0014]然而，可在本专利技术的范围内进行形式和细节上的各种改变，并且本专利技术的范围不限于下面描述的实施例。
[0015]提供实施例使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域普通技术人员充分传达本专利技术的范围。
[0016]在附图中，为了清楚起见，可夸大要素的形状和尺寸。
[0017]在以下描述中，使用相同的附图标记示出在实施例的附图中示出的在相同范围内具有相同功能的组件。
[0018]在整个说明书中，除非另有明确陈述，否则当要素被称为“包括”时，其意味着该要素也可包括其他要素，而不排除其他要素。
[0019]此外，在整个说明书中，在
“……
上形成”不仅意味着直接接触地适当形成，而且还应当根据上下文合适地解释，这可意味着它还可包括其他组件。
[0020]为了在附图中清楚地示出本专利技术，为了清楚地示出各个层和区域，放大了厚度，并且省略了与描述无关的部件，并且在整个说明书中，由相似的附图标记表示相似的部件。
[0021]图1是示意性地示出根据本公开中的示例性实施例的电容器组件的示图。图2是沿着图1的线I
‑
I'截取的示意性截面图。图3和图4各自示意性地示出了主体的区域的透射电子显微镜(TEM)图像。
[0022]参照图1和图2，根据本公开中的示例性实施例的电容器组件100包括主体110以及第一外电极130和第二外电极140。
[0023]主体110可包括：有效区，为对形成电容器的电容有贡献的部分；以及上覆盖部112和下覆盖部113，分别形成在有效区的上表面和下表面上，作为上边缘和下边缘。
[0024]在本公开中的示例性实施例中，主体110在形状上没有特别限制，可具有大体上六面体的形状。也就是说，由于根据内电极层121和122的布置以及拐角的抛光导致的厚度差异，主体110可不具有完美的六面体形状，而是可具有大体上六面体的形状。
[0025]为了清楚地描述本公开中的示例性实施例，如下定义六面体的方向：图中所示的L、W和T分别表示长度方向、宽度方向和厚度方向。这里，厚度方向可用作与堆叠介电层的堆叠方向的概念相同的概念。
[0026]此外，在主体110中，在厚度方向T上彼此相对的两个表面被定义为第一表面1和第二表面2，连接到第一表面1和第二表面2并且在长度方向L上彼此相对的两个表面被定义为第三表面3和第四表面4，并且连接到第一表面1和第二表面2、连接到第三表面3和第四表面4、在宽度方向W上彼此相对的两个表面被定义为第五表面5和第六表面6。在这种情况下，第
一表面1可以是安装表面。
[0027]有效区可具有如下结构：设置有多个介电层111，并且多个第一内电极层121和多个第二内电极层122交替堆叠，且介电层111介于第一内电极层121与第二内电极层122之间。
[0028]介电层111可使用具有高介电常数的陶瓷粉末(例如，钛酸钡(BaTiO3)基粉末或钛酸锶(SrTiO3)基粉末)形成，但本公开不限于此。这里，例如，使用钛酸钡(BaTiO3)基粉末形成介电层111表示使用钛酸钡(BaTiO3)粉末作为主成分并将副成分粉末添加到主成分中。副成分可包括化合物(其指氧化物或氮化物)，该化合物包括可取代或填隙钛酸钡(BaTiO3)的钙钛矿结构(ABO3)中的钡(Ba)和/或钛(Ti)的晶格位置(即，A位点和/或B位点)的元素的阳离子。
[0029]介电层111的厚度可根据电容器组件100的容量设计而任意改变，并且考虑到主体110的尺寸和容量，介电层111的厚度可被构造为在烧结之后在0.1μm至10μm的范围内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容器组件，包括：主体，包括内电极层以及设置在彼此相邻的所述内电极层之间的介电层；以及外电极，设置在所述主体的表面上，其中，所述内电极层和所述介电层分别包括钼，所述介电层在厚度方向上具有中央部分和外部部分，所述外部部分设置在所述中央部分与所述内电极层之间，并且包含在所述介电层的所述中央部分中的钼的含量小于包含在所述介电层的所述外部部分中的钼的含量。2.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述介电层的所述外部部分是从所述介电层与所述内电极层之间的界面至朝向所述介电层的所述中央部分50nm的区域。3.根据权利要求2所述的电容器组件，其中，包含在所述介电层的所述外部部分中的钼的含量是在所述外部部分中彼此间隔开的五个或更多个点处的钼的含量的平均值。4.根据权利要求3所述的电容器组件，其中，包含在所述介电层的所述中央部分中的钼的含量是在所述中央部分中彼此间隔开的五个或更多个点处的钼的含量的平均值。5.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，相对于100at％的钡，所述介电层的所述中央部分中的钼的含量为0.05at％至0.5at％。6.根据权利要求5所述的电容器组件，其中，相对于100at％的钡，所述介电层的所述外部部分中的钼的含量为0.5at％至1at％。7.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，包含在所述内电极层中的钼的含量大于包含在所述介电层的所述中央部分中的钼的含量。8.根据权利要求7所述的电容器组件，其中，包含在所述内电极层中的钼的含量大于包含在所述介电层的所述外部部分中的钼的含量。9.根据权利要求8所述的电容器组件，其中，包含在所述内电极层中的钼的含量是所述内电极层的在厚度方向上的中央部分中彼此间隔开的五个或更多个点处的钼的含量的平均值。10.根据权利要求7所述的电容器组件，其中，相对于100wt％的镍，所述内电极层中的钼的含量为0.1wt％至5wt％。11.根据权利要求1至10中任一项所述的电容器组件，其中，所述外电极包括设置在所述主体上的第一电极层和设置在所述第一电极层上的第二电极层。12.根据权利要求11所述的电容器组件，其中，所述第二电极层包括镍和锡中的至少一种。13.根据权利要求1至10中任一项所述的电容器组件，其中，所述介电层的厚度为0.1μm至10μm。14.根据权利要求1至10中任一项所述的电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜秀智，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：