电容器组件制造技术

本公开提供一种电容器组件，所述电容器组件包括：主体，包括内电极层以及设置在彼此相邻的所述内电极层之间的介电层；以及外电极，设置在所述主体的表面上，其中，所述内电极层和所述介电层分别包括钼(Mo)，所述介电层在厚度方向上具有中央部分和和外部部分，所述外部部分设置在所述中央部分与所述内电极层之间，并且包含在所述介电层的所述中央部分中的钼的含量小于包含在所述介电层的所述外部部分中的钼(Mo)的含量。中的钼(Mo)的含量。中的钼(Mo)的含量。

【技术实现步骤摘要】
电容器组件
[0001]本申请要求于2021年10月29日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0146877号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。


[0002]本公开涉及一种电容器组件。

技术介绍

[0003]由于多层陶瓷电容器(MLCC)(一种电容器组件)的紧凑性、确保的高电容和易于安装的优点，MLCC是在诸如通信、计算机、家用电器和汽车行业等的行业中使用的重要的片式组件，并且特别地，是在各种电气、电子信息通信装置(诸如，移动电话、计算机、数字电视)中使用的关键无源器件。
[0004]根据对MLCC的更高性能的需求，介电层已经变得越来越薄。然而，当介电层变薄时，尽管可提高电容，但是其他特性(例如，温度特性和电特性(诸如，DC偏置)以及可靠性)可能劣化。

技术实现思路

[0005]示例性实施例提供了一种具有改善的可靠性的电容器组件。
[0006]根据本公开的一方面，一种电容器组件包括：主体，包括内电极层以及设置在彼此相邻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容器组件，包括：主体，包括内电极层以及设置在彼此相邻的所述内电极层之间的介电层；以及外电极，设置在所述主体的表面上，其中，所述内电极层和所述介电层分别包括钼，所述介电层在厚度方向上具有中央部分和外部部分，所述外部部分设置在所述中央部分与所述内电极层之间，并且包含在所述介电层的所述中央部分中的钼的含量小于包含在所述介电层的所述外部部分中的钼的含量。2.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述介电层的所述外部部分是从所述介电层与所述内电极层之间的界面至朝向所述介电层的所述中央部分50nm的区域。3.根据权利要求2所述的电容器组件，其中，包含在所述介电层的所述外部部分中的钼的含量是在所述外部部分中彼此间隔开的五个或更多个点处的钼的含量的平均值。4.根据权利要求3所述的电容器组件，其中，包含在所述介电层的所述中央部分中的钼的含量是在所述中央部分中彼此间隔开的五个或更多个点处的钼的含量的平均值。5.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，相对于100at％的钡，所述介电层的所述中央部分中的钼的含量为0.05at％至0.5at％。6.根据权利要求5所述的电容器组件，其中，相对于100at％的钡，所述介电层的所述外部部分中的钼的含量为0.5at％至1at％。7.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，包含在所述内电极层中的钼的含量大于包含在所述介电层的所述中央部分中的钼的含量。8.根据权利要求7所述的电容器组件，其中，包含在所述内电极层中的钼的含量大于包含在所述介电层的所述外部部分中的钼的含量。9.根据权利要求8所述的电容器组件，其中，包含在所述内电极层中的钼的含量是所述内电极层的在厚度方向上的中央部分中彼此间隔开的五个或更多个点处的钼的含量的平均值。10.根据权利要求7所述的电容器组件，其中，相对于100wt％的镍，所述内电极层中的钼的含量为0.1wt％至5wt％。11.根据权利要求1至10中任一项所述的电容器组件，其中，所述外电极包括设置在所述主体上的第一电极层和设置在所述第一电极层上的第二电极层。12.根据权利要求11所述的电容器组件，其中，所述第二电极层包括镍和锡中的至少一种。13.根据权利要求1至10中任一项所述的电容器组件，其中，所述介电层的厚度为0.1μm至10μm。14.根据权利要求1至10中任一项所述的电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜秀智，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：