一种硅片加工生产线制造技术

本发明专利技术公开了一种硅片加工生产线，该硅片加工生产线包括上料系统、下料系统、硼扩工艺主机、激光系统和硅片中转系统，上料系统用于硅片的上料；下料系统用于硅片的下料，硼扩工艺主机位于上料系统及下料系统的下游位置，激光系统用于对经过一次硼扩的硅片进行开槽，激光系统与上料系统及下料系统并排设置；硅片中转系统设在上料系统、下料系统、激光系统以及硼扩工艺主机中间，该硅片加工生产线将一次硼扩工艺、激光开槽和二次硼扩工艺集成在一条生产线上，结构紧凑，占地面积小，流转效率高，有利于提升生产效率且降低制造成本。利于提升生产效率且降低制造成本。利于提升生产效率且降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片加工生产线


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种硅片加工生产线。

技术介绍

[0002]在现有技术光伏生产行业中，一般使用二次硼扩散工艺的方法制备电池片，该工艺的工序需经过：一次硼扩散(形成第一掺杂层和第一掩膜层)
‑
激光开槽（去除指定区域的第一掺杂层和第一掩膜层，露出N型晶体硅基体,对开槽处进行清洗）
‑
二次硼扩散（形成第二掺杂层和第二掩膜层），每道工序需制备一条产线。二次硼扩散过程冗长，通常需制备两条硼扩散线，分别用于一次硼扩散和二次硼扩散，设备占地面积非常大，生产成本较高。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提出一种硅片加工生产线，该硅片加工生产线将一次硼扩工艺、激光开槽和二次硼扩工艺集成在一条生产线上，结构紧凑，占地面积小，流转效率高，有利于提升生产效率且降低制造成本。
[0004]为实现上述技术效果，本专利技术的技术方案如下：
[0005]本专利技术公开了一种硅片加工生产线，包括：上料系统，所述上料系统用于硅片的上料；下料系统，所述下料系统用于所述硅片的下料；硼扩工艺主机，所述硼扩工艺主机位于所述上料系统及所述下料系统的下游位置；激光系统，所述激光系统用于对经过一次硼扩的所述硅片进行开槽，所述激光系统与所述上料系统及所述下料系统并排设置；硅片中转系统，所述硅片中转系统设在所述上料系统、所述下料系统、所述激光系统以及所述硼扩工艺主机中间，所述硅片中转系统将所述上料系统传输的硅片中转至所述硼扩工艺主机进行一次硼扩，且将经过一次硼扩的所述硅片中转至所述激光系统，且将经过开槽的所述硅片中转至所述硼扩工艺主机进行二次硼扩，且将经过二次硼扩的所述硅片中转至所述下料系统。
[0006]在一些实施例中，所述硅片中转系统包括：上料运输线，所述上料运输线用于将所述上料系统传输的硅片运输至所述硼扩工艺主机进行一次硼扩，或者将经过开槽的所述硅片运输至所述硼扩工艺主机进行二次硼扩；下料运输线，所述下料运输线与所述上料运输线并列设置，所述下料运输线用于将经过一次硼扩的所述硅片运输至所述激光系统，或者将经过二次硼扩的所述硅片运输至所述下料系统。
[0007]在一些具体的实施例中，所述上料运输线包括第一上料运输线和第二上料运输线，所述第一上料运输线用于将所述上料系统传输的硅片运输至所述硼扩工艺主机进行一次硼扩，所述第二上料运输线将经过开槽的所述硅片运输至所述硼扩工艺主机进行二次硼扩；
[0008]所述下料运输线包括第一下料运输线和第二下料运输线，所述第一下料运输线用于将经过一次硼扩的所述硅片运输至所述激光系统，所述第二下料运输线将经过二次硼扩的所述硅片运输至所述下料系统；其中：
[0009]所述第一上料运输线与所述第二下料运输线并排设置，所述第二上料运输线和所述第一下料运输线并排设置。
[0010]在一些更具体的实施例中，所述硅片中转系统还包括设在所述第一上料运输线两端的第一花篮升降装置和一次硼扩上料接片装置以及设在所述第二下料运输线两端的第二花篮升降装置和二次硼扩下料接片装置；所述硅片加工生产线还包括设在所述上料系统、所述下料系统、所述第一花篮升降装置和所述第二花篮升降装置之间的花篮转运装置。
[0011]在一些更具体的实施例中，所述硅片中转系统还包括设在所述第二上料运输线的下游的二次硼扩上料接片装置以及设在所述第一下料运输线上游的一次硼扩下料接片装置。
[0012]在一些实施例中，所述硅片中转系统还包括：机械手，所述机械手用于接收以及中转所述上料运输线以及下料运输线运输的硅片；舟结构运输装置，所述舟结构运输装置设在所述机械手的下游，所述舟结构运输装置用于运输装载所述硅片的舟结构；舟接驳装置，所述舟接驳装置用于将装载所述舟结构的舟架运输至所述硼扩工艺主机；搬舟装置，所述搬舟装置用于将所述舟结构在所述舟结构运输装置和舟接驳装置之间中转。
[0013]在一些具体的实施例中，所述舟接驳装置上设有多个并排设置的所述舟架。
[0014]在一些更具体的实施例中，所述舟结构运输装置包括第一舟结构运输线和第二舟结构运输线，且所述第一舟结构运输线和所述第二舟结构运输线分别设在所述搬舟装置的两端，且所述第一舟结构运输线对应所述上料系统及下料系统设置，所述第二舟结构运输线对应所述激光系统设置。
[0015]在一些实施例中，所述激光系统包括：第三上料运输线，所述第三上料运输线用于接收所述硅片中转系统传输的所述硅片；第三下料运输线，所述第三下料运输线用于将所述硅片运输至所述硅片中转系统；激光开槽装置，所述激光开槽装置用于对所述硅片进行开槽；硅片搬运装置，所述硅片搬运装置用于使得所述硅片在所述第三上料运输线、第三下料运输线和所述激光开槽装置之间流转；吸盘装置，所述吸盘装置设在所述第三下料运输线的末端。
[0016]在一些具体的实施例中，所述激光开槽装置包括转台和设在转台上的多个开槽工位和多个检测工位，所述硅片搬运装置为多个，以实现多个所述硅片在所述第三下料运输线、所述检测工位、所述开槽工位以及所述第三下料运输线之间流转。
[0017]在一些实施例中，所述硼扩工艺主机包括并列设置的一次硼扩模块和二次硼扩模块，所述一次硼扩模块用于一次硼扩工艺，所述二次硼扩模块用于二次硼扩工艺。
[0018]本专利技术的硅片加工生产线的有益效果在于：在实际工作过程中，硅片中转系统将上料系统传输的硅片中转至硼扩工艺主机对硅片进行一次硼扩，一次硼扩结束后硅片中转系统将经过一次硼扩的硅片中转至激光系统对硅片进行激光开槽，激光开槽结束后硅片中转系统将经过开槽的硅片中转至硼扩工艺主机对硅片进行二次硼扩，二次硼扩后硅片中转系统将经过二次硼扩的硅片中转至下料系统，实现了将一次硼扩工艺、激光开槽和二次硼扩工艺集成在一条生产线上的功能，使得整个硅片加工生产线的结构紧凑，占地面积小，流转效率高，有利于提升生产效率且降低制造成本。
[0019]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0020]图1是本专利技术实施例的硅片加工生产线的结构示意图；
[0021]图2是本专利技术实施例的硅片加工生产线的上料系统和下料系统的结构示意图；
[0022]图3是本专利技术实施例的硅片加工生产线的硅片中转系统的局部结构示意图；
[0023]图4是本专利技术实施例的硅片加工生产线的硅片中转系统的另一个局部结构示意图；
[0024]图5是本专利技术实施例的硅片加工生产线的激光系统结构示意图。
[0025]附图标记：
[0026]1、上料系统；2、下料系统；3、花篮转运装置；4、第一花篮升降装置；5、第一上料运输线；6、一次硼扩上料接片装置；7、二次硼扩下料接片装置；8、第二下料运输线；9、第二花篮升降装置；10、机械手；11、末端吸盘装置；12、第一顶齿装置；13、第一舟结构运输线；14、搬舟装置；15、舟接驳装置；16、净化台；17、主机本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片加工生产线，其特征在于，包括：上料系统(1)，所述上料系统(1)用于硅片的上料；下料系统(2)，所述下料系统(2)用于所述硅片的下料；硼扩工艺主机，所述硼扩工艺主机位于所述上料系统(1)及所述下料系统(2)的下游位置；激光系统，所述激光系统用于对经过一次硼扩的所述硅片进行开槽，所述激光系统与所述上料系统(1)及所述下料系统(2)并排设置；硅片中转系统，所述硅片中转系统设在所述上料系统(1)、所述下料系统(2)、所述激光系统以及所述硼扩工艺主机中间，所述硅片中转系统将所述上料系统(1)传输的硅片中转至所述硼扩工艺主机进行一次硼扩，且将经过一次硼扩的所述硅片中转至所述激光系统，且将经过开槽的所述硅片中转至所述硼扩工艺主机进行二次硼扩，且将经过二次硼扩的所述硅片中转至所述下料系统(2)。2.根据权利要求1所述的硅片加工生产线，其特征在于，所述硅片中转系统包括：上料运输线，所述上料运输线用于将所述上料系统(1)传输的所述硅片运输至所述硼扩工艺主机，或者将经过开槽的所述硅片运输至所述硼扩工艺主机；下料运输线，所述下料运输线与所述上料运输线并列设置，所述下料运输线用于将经过一次硼扩的所述硅片运输至所述激光系统，或者将经过二次硼扩的所述硅片运输至所述下料系统(2)。3.根据权利要求2所述的硅片加工生产线，其特征在于，所述上料运输线包括第一上料运输线(5)和第二上料运输线(21)，所述第一上料运输线(5)用于将所述上料系统(1)传输的所述硅片运输至所述硼扩工艺主机，所述第二上料运输线(21)将经过开槽的所述硅片运输至所述硼扩工艺主机；所述下料运输线包括第一下料运输线(27)和第二下料运输线(8)，所述第一下料运输线(27)用于将经过一次硼扩的所述硅片运输至所述激光系统，所述第二下料运输线(8)将经过二次硼扩的所述硅片运输至所述下料系统(2)；其中：所述第一上料运输线(5)与所述第二下料运输线(8)并排设置，所述第二上料运输线(21)和所述第一下料运输线(27)并排设置。4.根据权利要求3所述的硅片加工生产线，其特征在于，所述硅片中转系统还包括设在所述第一上料运输线(5)两端的第一花篮升降装置(4)和一次硼扩上料接片装置(6)以及设在所述第二下料运输线(8)两端的第二花篮升降装置(9)和二次硼扩下料接片装置(7)；所述硅片加工生产线还包括设在所述上料系统(1)、所述下料系统(2)、所述第一花篮升降装置(4)和所述第二花篮升降装置(9)之间的花篮转运装置(3)。5.根据权利要求3所述的硅片加工生产线，其特征在于，所述硅片中转系统还包括设在所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：林佳继，董雪迪，于帅帅，刘群，
申请(专利权)人：拉普拉斯无锡半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：