【技术实现步骤摘要】
一种用于片上光互连的UVPT(MOSFET)
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LED的集成器件及其制备方法
[0001]本专利技术涉及半导体领域,具体涉及一种用于片上光互连的UVPT(MOSFET)
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LED的集成器件及其制备方法。
技术介绍
[0002]单芯片多处理器(CMP)是高性能微处理器的发展方向,如何实现数百上千个处理器核之间的片上互连通信网络是决定未来CMP性能的关键。传统的金属电互连网络受到物理特性制约,速率、延迟、噪声和功耗水平无法满足未来片上Tb/s的互连需求。光互连作为一种新的互连方式,具有极高带宽、超快传输速率和高抗干扰性等优点。将微电子和光电子结合起来,在集成电路芯片间乃至芯片内部用光互连网络替代电互连网络构成光电混合集成芯片,构建芯片级多核心间超高速光互连网络,是“后摩尔时代”超大规模集成电路重要的技术发展方向之一。基于 CMOS 集成调制器、激光器、光波导以及光电探测器的芯片间通信技术已经被报道并且正被商业化。片上光网络最早提出于 2006 年,用于解决片内和片间通信的功耗问题,是纳米级别的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于片上光互连的UVPT(MOSFET)
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LED的集成器件,其特征在于,包括第一P型氮化镓层、量子阱层、N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、缓冲层、衬底、阳极金属接触层、源极金属接触层、绝缘层、栅极金属接触层;所述N型氮化镓层、第一P型氮化镓层、缓冲层、衬底从上至下依次设置;所述栅极金属接触层嵌设于N型氮化镓层;所述栅极金属接触层一侧设有绝缘层,另一侧设有源极金属接触层;所述绝缘层和有源极金属接触层均设于N型氮化镓层上;所述绝缘层上侧从下至上依次设有量子阱层、第二P型氮化镓层和阳极金属接触层。2.根据权利要求1所述的一种用于片上光互连的UVPT(MOSFET)
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LED的集成器件,其特征在于,所述绝缘层采用二氧化硅。3.根据权利要求1所述的一种用于片上光互连的UVPT(MOSFET)
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LED的集成器件,其特征在于,所述阳极金属接触层、栅极金属接触层的材料为半透明的镍/金金属堆叠。4.根据权利要求1所述的一种用于片上光互连的UVPT(MOSFET)
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LED的集成器件,其特征在于,所述源极金属接触层的材料包括钼、钨、钛、镍、金、银、镉和铂。5.一种基于权利要求1
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4任一所述用于片上光互连的UV...
【专利技术属性】
技术研发人员:张永爱,苏文娟,郭太良,周雄图,吴朝兴,严群,孙捷,张恺馨,叶金宇,
申请(专利权)人:福州大学,
类型:发明
国别省市:
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