生长基板及微元件的转移方法技术

本申请公开了一种生长基板及微元件的转移方法，所述生长基板包括：衬底；多个微元件和多个挡墙，间隔设置于所述衬底的第一表面，且相邻所述微元件之间的间隔内设置有所述挡墙；牺牲胶层，位于所述第一表面，至少覆盖所述微元件和所述挡墙的侧面；其中，所述微元件、所述挡墙和所述牺牲胶层能够与所述衬底脱离并转移至临时基板上；且从所述临时基板上转移所述微元件之前，待转移的所述微元件周围的所述牺牲胶层可被去除。通过上述设计方式，本申请能够降低微元件在转移过程中旋转或偏位的概率。够降低微元件在转移过程中旋转或偏位的概率。够降低微元件在转移过程中旋转或偏位的概率。

【技术实现步骤摘要】
生长基板及微元件的转移方法


[0001]本申请属于显示
，具体涉及一种生长基板及微元件的转移方法。

技术介绍

[0002]随着传统平板显示和微型投影显示技术的发展，未来可期的主流核心显示Micro
‑
LED无机发光二极管技术具有显著的性能优势，因此越来越引起人们的广泛关注。Micro
‑
LED可视为微小化的LED，可单独点亮，具有低功耗、高亮度、高清晰度与长寿命等优势，其未来将成为能与AMOLED显示并驾齐驱的新型显示技术。
[0003]目前在转移LED过程中存在LED位置容易出现旋转或偏位等现象，进而造成转移良率较低。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种生长基板及微元件的转移方法，以降低微元件在转移过程中旋转或偏位的概率。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种生长基板，包括：衬底；多个微元件和多个挡墙，间隔设置于所述衬底的第一表面一侧，且相邻所述微元件之间的间隔内设置有所述挡墙；牺牲胶层，位于所述第一表面，且至少覆盖所述微元件和所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种生长基板，其特征在于，包括：衬底；多个微元件和多个挡墙，间隔设置于所述衬底的第一表面，且相邻所述微元件之间的间隔内设置有所述挡墙；牺牲胶层，位于所述第一表面，且至少覆盖所述微元件和所述挡墙的侧面；其中，所述微元件、所述挡墙和所述牺牲胶层能够与所述衬底脱离并转移至临时基板上；且从所述临时基板上转移所述微元件之前，待转移的所述微元件周围的所述牺牲胶层可被去除。2.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，所述挡墙与相邻的所述微元件之间具有间隙，且所述挡墙环绕设置在所述微元件的外围；优选地，多个所述挡墙相互连接并形成多个开口，且一个所述开口内设置有一个所述微元件。3.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，所述挡墙的材质与所述微元件中至少部分膜层的材质相同。4.根据权利要求3所述的生长基板，其特征在于，在远离所述衬底方向上，所述微元件包括发光层组和位于所述发光层组上的第一电极和第二电极；所述挡墙包括第一膜层组和位于所述第一膜层组上的第三电极；其中，所述第一膜层组与所述发光层组的材质相同，所述第三电极的材质与所述第一电极或所述第二电极的材质相同。5.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，所述牺牲胶层包括光敏胶，所述牺牲胶层可被激光灰化去除。6.根据权利要求5所述的生长基板，其特征在于，还包括：激光阻挡层，至少覆盖所述挡墙面向所述微元件的侧壁，用于在激光灰化去除所述牺牲胶层时反射或吸收所述激光。7.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：田文亚，盛翠翠，董小彪，葛泳，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：