全透明紫外或远紫外发光二极管制造技术

公开了一种全透明紫外LED或远紫外LED，其中除了有源区之外的所有半导体层对于在有源区中发射的辐射是透明的。实现本发明专利技术的关键技术是透明隧道结，它取代了目前在所有商售的紫外LED中发现的光吸收性p

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】全透明紫外或远紫外发光二极管
[0001]相关申请引用
[0002]本申请根据35 U.S.C.Section 119(e)的规定要求以下共同未决和共同转让申请的权益：
[0003]由Christian J.Zollner、James S.Speck、Steven P.DenBaars和Shuji Nakamura于2020年7月9日提交的名称为“全透明紫外或远紫外发光二极管”的第63/049,801号美国临时申请，其代理人案卷号为G&C30794.0781USP1(UC 2020
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1)；
[0004]该申请通过引用并入本文。

技术介绍


[0005]本专利技术涉及一种完全透明的紫外(UV)或远紫外发光二极管(LED)的新颖设计。在这些器件中，除了有源区之外，所有的半导体层和其它元件对于在有源区中产生的光的波长是透明的。因此，实现了最大的光提取效率，并且产生了一种高功率紫外发射器。
[0006]
技术介绍

[0007]本专利技术涉及使用基于III族氮化物的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种器件，包括：至少一个具有小于400纳米的发射波长的基于III族氮化物的紫外(UV)发光二极管(LED)，其中除了有源区层之外的LED层对于发射波长是透明的。2.如权利要求1所述的器件，其中所述LED的接触金属的总面积小于LED的发射面积的50％。3.如权利要求1所述的器件，其中所述LED的p型层上面或上方的接触金属的总面积包括小于LED的发射面积的50％的面积。4.如权利要求1所述的器件，其中所述LED的n型层上的接触金属的总面积包括小于LED的发射面积的50％的面积。5.如权利要求1所述的器件，其中使用III族氮化物隧道结，以向LED的p侧注入空穴。6.如权利要求5所述的器件，其中所述隧道结包括超晶格、界面或成分渐变区，该区域产生在空间上变化的电极化。7.如权利要求6所述的器件，其中所述在空间上变化的电极化的极化效应增强隧道结内的p型层的性能。8.如权利要求7所述的器件，其中使用掺杂镁的AlN层来形成所述隧道结的空穴
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气体隧道结层。9.如权利要求6所述的器件，其中所述在空间上变化的电极化的极化效应增强隧道结内的n型层的性能。10.如权利要求6所述的器件，其中所述在空间上变化的电极化的极化效应使得能够通过极化掺杂或调制掺杂在隧道结内使用未掺杂的半导体层。11.如权利要求5所述的器件，其中所述LED的表面上的一个或更多个孔或开口暴露该LED的表面下的一个或更多个p型层，包括隧道结的p型层。12.如权利要求5所述的器件，其中在隧道结的上面或上方生长由n
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AlG...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：加利福尼亚大学董事会，
类型：发明
国别省市：