焊接用喷嘴的镀膜方法及焊接用喷嘴技术

本发明专利技术公开了一种焊接用喷嘴的镀膜方法及焊接用喷嘴，该方法包括：将焊接用喷嘴放置在处理室内；对处理室抽真空、加热，并通入氩气；根据第一预设参数调整C靶的溅射参数，并对C靶进行溅射，以在焊接用喷嘴的表面形成C层；根据第二预设参数调整C靶的溅射参数，并对C靶进行溅射，以在C层上形成DLC层；通入氮气，根据第三预设参数调整Ti靶的溅射参数，并根据第四预设参数调整C靶的溅射参数，同时对Ti靶和C靶进行溅射，以在DLC层上形成Ti/DLC复合物层。采用本发明专利技术实施例，能够在焊接用喷嘴表面形成表面光滑且耐高温的膜层，从而降低焊接过程中液体锡在喷嘴表面的附着率，并且提高液体锡球的形成率。形成率。形成率。

【技术实现步骤摘要】
焊接用喷嘴的镀膜方法及焊接用喷嘴


[0001]本专利技术涉及焊接用喷嘴
，特别是涉及一种焊接用喷嘴的镀膜方法及焊接用喷嘴。

技术介绍

[0002]在半导体焊接过程中，锡球会通过锡桶和焊接用喷嘴喷流到焊点上，从而完成焊接的过程。但是，由于现有的焊接用喷嘴的表面不光滑，会导致在焊接过程中，喷出融化的液体锡无法形成球状，会使焊点不均匀、不饱满，从而造成以后的焊点脱落，而且喷嘴内外表面多被残留的锡附着，给清洁带来了麻烦。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种焊接用喷嘴的镀膜方法及焊接用喷嘴，能够在焊接用喷嘴表面形成表面光滑且耐高温的膜层，从而降低焊接过程中液体锡在喷嘴表面的附着率，并且提高液体锡球的形成率。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种焊接用喷嘴的镀膜方法，包括：
[0005]将焊接用喷嘴放置在处理室内；
[0006]对所述处理室抽真空、加热，并通入氩气；
[0007]根据第一预设参数调整C靶的溅射参数，并对所述C靶进行溅射，以在所述焊接用喷嘴的表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种焊接用喷嘴的镀膜方法，其特征在于，包括：将焊接用喷嘴放置在处理室内；对所述处理室抽真空、加热，并通入氩气；根据第一预设参数调整C靶的溅射参数，并对所述C靶进行溅射，以在所述焊接用喷嘴的表面形成C层；其中，所述第一预设参数包括第一电源功率和第一偏压；根据第二预设参数调整所述C靶的溅射参数，并对所述C靶进行溅射，以在所述C层上形成DLC层；其中，所述第二预设参数包括大于所述第一电源功率的第二电源功率和小于所述第一偏压的第二偏压；通入氮气，根据第三预设参数调整Ti靶的溅射参数，并根据第四预设参数调整所述C靶的溅射参数，同时对Ti靶和所述C靶进行溅射，以在所述DLC层上形成Ti/DLC复合物层。2.如权利要求1所述的焊接用喷嘴的镀膜方法，其特征在于，所述对所述处理室抽真空、加热，并通入氩气，包括：对所述处理室进行抽真空，使得所述处理室内的真空度为1.0
×
10
‑3‑
2.0
×
10
‑3Pa；对所述处理室加热，使得所述处理室内的温度为300
‑
340℃；通入氩气至所述处理室，使得所述处理室内的气压调整为0.1
‑
1.0Pa；其中，所述氩气的流量为15
‑
25ml/min。3.如权利要求1所述的焊接用喷嘴的镀膜方法，其特征在于，所述第一电源功率为4
‑
6KW，所述第一偏压为
‑
140至
‑
160V，所述第二电源功率为7
‑
9KW，所述第二偏压为
‑
190至
‑
210V。4.如权利要求1所述的焊接用喷嘴的镀膜方法，其特征在于，在所述形成C层的步骤中，溅射时间为5
‑
8min；在所述形成DLC层的步骤中，溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：施木生，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：