半导体装置以及电子设备制造方法及图纸

提供一种功耗得到降低且能够进行非破坏性读出的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第一FTJ元件以及第二FTJ元件。第一晶体管的第一端子与第一FTJ元件的输出端子及第二FTJ元件的输入端子电连接。当写入数据时，根据数据在第一FTJ元件及第二FTJ元件的每一个中引起极化。当读出数据时，对第一FTJ元件的输出端子与第二FTJ元件的输入端子之间供应极化不变的程度的电压。此时，使第一晶体管成为开启状态，由此流过第一FTJ元件的电流与流过第二FTJ元件的电流之差分电流流过第一晶体管。通过使用读出电路等取得该差分电流，可以读出写入在第一FTJ元件及第二FTJ元件中的数据。入在第一FTJ元件及第二FTJ元件中的数据。入在第一FTJ元件及第二FTJ元件中的数据。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及电子设备


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及电子设备。
[0002]本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的
涉及一种物体、驱动方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此，具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、信号处理装置、处理器、电子设备、系统、它们的驱动方法、它们的制造方法或它们的检查方法。

技术介绍

[0003]近年来，已对半导体装置进行开发，作为LSI(Large Scale Integration：大规模集成电路)的CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、存储器等主要用于半导体装置。CPU是半导体元件的集合体，包括将半导体晶片加工为芯片的半导体集成电路(至少包括晶体管及存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：第一晶体管；第一FTJ元件；以及第二FTJ元件，其中，所述第一FTJ元件及所述第二FTJ元件各自包括输入端子、隧道绝缘膜、介电质以及输出端子，所述第一FTJ元件及所述第二FTJ元件各自具有依次层叠有所述输入端子、所述隧道绝缘膜、所述介电质和所述输出端子的结构，并且，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一FTJ元件的所述输出端子及所述第二FTJ元件的所述输入端子电连接。2.一种半导体装置，包括：存储单元；以及电路，其中，所述存储单元包括第一晶体管、第一FTJ元件以及第二FTJ元件，所述第一FTJ元件及所述第二FTJ元件各自包括输入端子、隧道绝缘膜、介电质以及输出端子，所述第一FTJ元件及所述第二FTJ元件各自具有依次层叠有所述输入端子、所述隧道绝缘膜、所述介电质和所述输出端子的结构，所述电路包括开关、运算放大器以及负载，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一FTJ元件的所述输出端子及所述第二FTJ元件的所述输入端子电连接，所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述开关的第一端子电连接，所述开关的第二端子与所述运算放大器...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，木村肇，国武宽司，惠木勇司，井坂史人，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：