深紫外发光二极管外延片及其制备方法、LED技术

本发明专利技术公开了一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述深紫外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、极化缓解层、发光层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；所述极化缓解层包括依次层叠于所述N型AlGaN层上的第一缓解层和第二缓解层，所述第一缓解层包括交替层叠的Al

【技术实现步骤摘要】
深紫外发光二极管外延片及其制备方法、LED


[0001]本专利技术涉及光电
，尤其涉及一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、LED。

技术介绍

[0002]紫外LED在杀菌消毒、聚合物固化、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景。相比于传统紫外光源汞灯，紫外LED有着无汞环保、小巧便携、低电压、低功耗、易于集成、环保友好等许多优势，近年来技术发展和市场成长都非常迅速，成为LED领域的一个高附加值增长点。紫外LED领域中，基于AlGaN材料的深紫外LED得到了快速的发展，但是发光功率和效率较低仍然是阻碍其发展的主要问题。一方面，由于晶格失配，导致位错线产生，从而造成漏电等一些不良性能影响；另一方面，AlGaN材料还具有很强的极化效应，从而引起量子限制斯塔克效应，降低了LED有源区的辐射复合率。为解决深紫外LED发光功率和效率低的问题，技术人员不断研究以寻求解决方案。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种深紫外发光二极管外延片，其能够梯度缓解来自于Si衬底与底层的晶格失配和热失本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深紫外发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、极化缓解层、发光层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；所述极化缓解层包括依次层叠于所述N型AlGaN层上的第一缓解层和第二缓解层，所述第一缓解层包括交替层叠的Al
x
D
y
GaN层和D
y
Ga1‑
y
N层，所述第二缓解层包括交替层叠的Al
a
Ga1‑
a
N层和氮化物层，其中，D选自为B和/或Mg，0＜x＜y＜0.5，0＜a≤0.5。2.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述氮化物层为GaN、MgN、BN或者Si3N4中一种或多种组合层。3.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述Al
x
D
y
GaN层和D
y
Ga1‑
y
N的交替层叠的周期数为5~10；所述Al
x
D
y
GaN层的厚度为3nm~5nm；所述D
y
Ga1‑
y
N的厚度为3nm~5nm。4.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述Al
a
Ga1‑
a
N层和氮化物层的交替层叠的周期数为2~5；所述Al
a
Ga1‑
a
N层的厚度为3nm~5nm；所述氮化物层的厚度为3nm~5nm。5.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一缓解层的所述Al
x
D
y
GaN层中0＜x≤0.2；所述Al
x
D
y
GaN层中，Al组分含量由0.2渐变至0或由0渐变到0.2或保持在预设值不变。6.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第二缓解层的所述Al
a
Ga1‑
a
N层中，Al组分含量逐渐增大或逐渐减小；单组交替层叠的所述Al
a
Ga1‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑文杰，程龙，高虹，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：