一种外延片、外延片制备方法及LED芯片技术

本发明专利技术提供一种外延片、外延片制备方法及LED芯片，所述外延片包括衬底，依次层叠在所述衬底上的AlN层、缓冲层、三维生长的GaN层、不掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、应力释放层、复合层、多量子阱层、电子阻挡层以及p型掺杂的GaN层，所述复合层包括周期性交替层叠在所述应力释放层上的第一复合子层和第二复合子层，其中，所述第一复合子层为AlGaN层，所述第二复合子层为AlN层。本发明专利技术解决了现有技术中的LED芯片在热态下发光效率低的问题。片在热态下发光效率低的问题。片在热态下发光效率低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种外延片、外延片制备方法及LED芯片


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种外延片、外延片制备方法及LED芯片。

技术介绍

[0002]LED芯片是一种能发光的半导体电子元件，具有体积小、亮度高、能耗小等特点，被广泛应用于照明等领域。LED芯片由LED外延片经过一定的制作工艺得到。LED外延片包括衬底及在衬底上生长的外延层。
[0003]目前，常使用蓝宝石、硅或碳化硅等材料作为衬底。随着不同应用领域的扩展，一些灯具产品会在高温下工作（比如照明筒灯，景观灯丝照明等），随着工作时间的增长，器件会产生热量，导致器件温度升高。随着温度的升高，LED的发光效率会下降，因此提升热态下的发光效率成为当下重要的技术课题。
[0004]由于LED芯片在热态下电子具有更高的热动能，相较冷态下会比较活跃，因此比较容易溢流，从而降低与空穴的复合效率，导致发光效率降低。因此，亟待提出一种能在热态下保持发光效率的LED芯片外延片及制备方法。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术的目的是提供一种外延片、外延片制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延片，包括衬底，依次层叠在所述衬底上的AlN层、缓冲层、三维生长的GaN层、不掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层以及p型掺杂的GaN层，其特征在于，所述应力释放层与多量子阱层之间设有复合层，所述复合层包括周期性交替层叠在所述应力释放层上的第一复合子层和第二复合子层，其中，所述第一复合子层为AlGaN层，所述第二复合子层为AlN层，所述AlGaN层中Al组分为5%~30%，生长气氛为氮气、氢气以及氨气的混合气体，所述AlN层的厚度为1nm~3nm，生长气氛为氮气和氨气的混合气体。2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一复合子层的厚度为5nm~10nm。3.根据权利要求2所述的外延片，其特征在于，所述第一复合子层的厚度为6nm，所述第二复合子层的厚度为2nm。4.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一复合子层和第二复合子层的生长周期均为5~10。5.根据权利要求4所述的外延片，其特征在于，所述第一复合子层和第二复...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘春杨，吕蒙普，胡加辉，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：