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本发明提供一种外延片、外延片制备方法及LED芯片，所述外延片包括衬底，依次层叠在所述衬底上的AlN层、缓冲层、三维生长的GaN层、不掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、应力释放层、复合层、多量子阱层、电子阻挡层以及p型掺杂的GaN层，所述复...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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