根据本公开的一方面的逻辑仿真装置包括设置在两个端子之间的电阻随机访问存储器元件的操作模型。操作模型包括：用于保持数据的寄存器部；真值表；和判断部。在真值表中，定义了两个端子处的信号值与到寄存器部的数据写入和从寄存器部的数据读取之间的关系。判断部基于输入到两个端子的信号值和真值表来进行关于数据写入和数据读取的判断。关于数据写入和数据读取的判断。关于数据写入和数据读取的判断。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】逻辑仿真装置和逻辑仿真程序
[0001]本公开涉及逻辑仿真装置和逻辑仿真程序。
技术介绍
[0002]在设计包括多个电阻变化型存储器元件的存储器电路时，为了验证对指定地址处的电阻变化型存储器元件的正确访问，进行其中存储器电路被建模的仿真(例如，参见专利文献1)。
[0003]引文列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本未经审查的专利申请公开No.2012
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技术实现思路
[0006]顺便提及，在逻辑仿真装置中，在电阻变化型存储器元件由电阻逻辑元件表示的情况下，电阻变化型存储器元件的信号电平仅可由0和1这两种状态表示。这造成无法再现对电阻变化型存储器元件的数据写入和从电阻变化型存储器元件的数据读取的问题。因此，期望提供一种逻辑仿真装置和逻辑仿真程序，使得可以再现对电阻变化型存储器元件的数据写入和从电阻变化型存储器元件的数据读取。
[0007]根据本公开的一方面的逻辑仿真装置包括电阻变化型存储器元件的操作模型。电阻变化型存储器元件设置在两个端子之间。该操作模型包括用于保持数据的寄存器部、真值表和判断部。真值表定义两个端子的信号值与到寄存器部的数据写入和从寄存器部的数据读取之间的关系。判断部基于输入到两个端子的信号值和真值表来进行关于数据写入和数据读取的判断。
[0008]根据本公开的一方面的逻辑仿真程序是电阻变化型存储器元件的逻辑仿真程序。电阻变化型存储器元件设置在两个端子之间。逻辑仿真程序使计算机基于真值表和输入到两个端子的信号值执行关于到用于保持数据的寄存器部的数据写入和从寄存器部的数据读取的判断，真值表定义两个端子的信号值与数据写入和数据读取之间的关系。
[0009]在根据本公开的各方面的逻辑仿真装置和逻辑仿真程序中，基于输入到两个端子的信号值和真值表来进行关于数据写入和数据读取的判断。因此，例如，即使在将信号施加到电阻变化型存储器元件的两端的情况下，也不会发生诸如电阻逻辑元件之类的信号冲突。
附图说明
[0010]图1是图示根据本公开的第一实施例的操作模型的功能块的示例的图。
[0011]图2是图示图1中的操作模型中的真值表的示例的图。
[0012]图3是图示图1中的操作模型中的信号波形的示例的图。
[0013]图4是图示图1中的操作模型中的操作的示例的图。
[0014]图5是图示图1中的操作模型的功能块的修改示例的图。
[0015]图6是图示图5中的操作模型中的信号波形的示例的图。
[0016]图7是图示图1中的操作模型的功能块的修改示例的图。
[0017]图8是图示图7中的操作模型中的真值表的示例的图。
[0018]图9是图示根据本公开的第二实施例的操作模型的功能块的示例的图。
[0019]图10是图示图9中的操作模型中的真值表的示例的图。
[0020]图11是图示图9中的操作模型中的操作的示例的图。
[0021]图12是图示图9中的操作模型中的操作的修改示例的图。
[0022]图13是图示图9中的操作模型中的操作的修改示例的图。
[0023]图14是图示图9中的操作模型的功能块的修改示例的图。
[0024]图15是图示图9中的操作模型的功能块的修改示例的图。
[0025]图16是图示图9中的操作模型的功能块的修改示例的图。
[0026]图17是图示图9中的操作模型的功能块的修改示例的图。
[0027]图18是图示图17中的操作模型中的真值表的示例的图。
[0028]图19是图示包括图1、图5、图7、图9、图14、图15、图16或图17中的操作模型的信息处理系统的示意性构成示例的图。
[0029]图20是图示图19中的存储器单元阵列部件的功能块的示例的图。
具体实施方式
[0030]在下文中，将参考附图描述本公开的一些实施例。要注意的是，在本说明书和附图中，具有基本相同功能构成的组件由相同的附图标记指示，因此省略对其的冗余描述。
[0031]1.第一实施例(操作模型)
[0032]其中在BL与SL之间设置电阻变化型存储器元件的示例...图1至图4
[0033]2.第一实施例的修改示例(操作模型)
[0034]修改示例A：其中在数据保持部中设置选择器的示例...图5和图6
[0035]修改示例B：BL和SL颠倒的示例...图7和图8
[0036]3.第二实施例(操作模型)
[0037]进一步设置WL的示例...图9至图11
[0038]4.第二实施例的修改示例(操作模型)
[0039]修改示例C：其中为写入和读取提供等待时间的示例...图12
[0040]修改示例D：以弱方式输出的示例...图13
[0041]修改示例E：其中设置多个电阻变化型元件的示例
…
图14至图16
[0042]修改示例F：BL和SL颠倒的示例...图17和图18
[0043]5.应用示例(信息处理系统)
[0044]其中将上述操作模型应用于信息处理系统的示例...图19和图20
[0045]<1.第一实施例>
[0046][构成][0047]图1图示了根据本公开的第一实施例的操作模型100的功能块的示例。操作模型100与本公开中的“逻辑仿真装置”的一部分的具体示例或“逻辑仿真程序”的一部分的具体
示例对应。操作模型100设置在两个端子(位线BL和源极线SL)之间。操作模型100是其中电阻变化型存储器元件由逻辑元件表示的模型。操作模型100包括例如电阻变化型存储器元件110和真值表120，如图1中所示。
[0048]在操作模型100与本公开中的“逻辑仿真装置”的一部分的具体示例对应的情况下，电阻变化型存储器元件110由实现电阻变化型存储器元件110的功能的硬件构成，并且真值表120存储在例如诸如DRAM(动态随机存取存储器)之类的易失性存储器或诸如EEPROM(电可擦可编程只读存储器)或闪存存储器之类的非易失性存储器中。在操作模型100与本公开中的“逻辑仿真程序”的一部分的具体示例对应的情况下，操作模型100存储在例如诸如DRAM之类的易失性存储器或诸如EEPROM或闪存存储器之类的非易失性存储器中，并且操作模型100加载在CPU(中央处理单元)上，从而使CPU实现操作模型100的功能。
[0049]电阻变化型存储器元件110设置在位线BL与源极线SL之间。电阻变化型存储器元件110包括例如写入操作部111、数据保持部112和读取操作部113。
[0050]写入操作部111控制向数据保持部112的数据写入。写入操作部111包括例如如图1中所示的写入判断部111A。位线BL和源极线SL耦接到写入判断部111A。写入判断部111A基于输入到位线BL和源极线SL的信号值以及真值表12本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种逻辑仿真装置，包括：电阻变化型存储器元件的操作模型，该电阻变化型存储器元件设置在两个端子之间，所述操作模型包括：寄存器部，用于保持数据，真值表，定义所述两个端子的信号值与到所述寄存器部的数据写入和从所述寄存器部的数据读取之间的关系，以及判断部，基于输入到所述两个端子的信号值和所述真值表来进行关于所述数据写入和所述数据读取的判断。2.根据权利要求1所述的逻辑仿真装置，其中，当所述判断部基于输入到所述两个端子的信号值和所述真值表判断指定了所述数据写入时，所述判断部将输入到所述两个端子之一的信号值作为寄存器值写入到所述寄存器部。3.根据权利要求2所述的逻辑仿真装置，其中，所述判断部基于输入的控制信号来控制将所述信号值作为寄存器值存储在所述寄存器部中的定时。4.根据权利要求1所述的逻辑仿真装置，其中，当所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥治子，黑田真实，相泽绿，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：
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