具有热隔离结构的半导体装置制造方法及图纸

本文中描述包含用于热管理的结构的半导体装置以及相关联系统及方法。在一些实施例中，半导体装置包含第一裸片组合件，所述第一裸片组合件包含半导体衬底及在所述半导体衬底的第一表面处的多个有源电路元件。所述装置还包含第二裸片组合件，所述第二裸片组合件包含载体衬底及在所述载体衬底的第一表面上或上方的重布结构。所述装置进一步包含在所述第一与所述第二裸片组合件之间的热缓冲器结构，所述热缓冲器结构耦合到所述半导体衬底的第二表面及所述载体衬底的第二表面。所述装置还包含多个互连件，所述多个互连件至少延伸穿过所述半导体衬底、所述载体衬底及所述热缓冲器结构以将所述有源电路元件电耦合到所述重布结构。结构。结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有热隔离结构的半导体装置
[0001]相关申请的交叉参考
[0002]本申请主张在2020年7月28日申请的第16/941,437号美国专利申请的权益，所述美国专利申请以其全文引用方式并入本文中。


[0003]本技术大体上涉及半导体装置，且更特定来说涉及用于管理半导体装置中的热的技术。

技术介绍

[0004]封装式半导体裸片(包含存储器芯片、微处理器芯片及成像器芯片)通常包含安装于衬底上且包封于保护罩中的半导体裸片。半导体裸片可包含功能特征(例如存储器单元、处理器电路及成像器装置)，以及电连接到功能特征的接合垫。接合垫可电连接到保护罩外部的端子以允许将半导体裸片连接到更高层级电路系统。
[0005]存储器装置广泛用于存储与各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物)有关的信息。存储器装置常常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可移除装置。市场压力不断驱使半导体制造商发展出具有更快数据速率的高速存储器装置。然而，更快数据速率通常涉及通过装置内金属互连件的更高电流，此产生焦耳加热本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其包括：第一裸片组合件，其包含
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半导体衬底，其包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，及多个有源电路元件，其在所述半导体衬底的所述第一表面处；第二裸片组合件，其包含
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载体衬底，其包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，及重布结构，其在所述载体衬底的所述第一表面上或上方；热缓冲器结构，其在所述第一与所述第二裸片组合件之间，其中所述热缓冲器结构耦合到所述半导体衬底的所述第二表面及所述载体衬底的所述第二表面；及多个互连件，其至少延伸穿过所述半导体衬底、所述载体衬底及所述热缓冲器结构，其中所述互连件将所述有源电路元件电耦合到所述重布结构。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述热缓冲器结构的导热性低于所述半导体衬底。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述热缓冲器结构包括底部填充材料、非导电膜或裸片附接膜。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述重布结构经配置以在所述有源电路元件与外部装置之间路由信号。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述重布结构直接耦合到所述载体衬底。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二裸片组合件进一步包括在所述重布结构与所述载体衬底之间的至少一个中间结构。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述至少一个中间结构包括存储器阵列。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述第一裸片组合件进一步包括邻近或靠近所述有源电路元件的路由结构；及所述互连件经由所述路由结构将所述重布结构电耦合到所述有源电路元件。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述路由结构比所述重布结构薄。10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第一裸片组合件进一步包括在所述有源电路元件与所述路由结构之间的至少一个中间结构。11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述至少一个中间结构包括存储器阵列。12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述互连件包含：(a)延伸穿过所述半导体衬底的多个第一通路；(b)延伸穿过所述载体衬底的多个第二通路；及(c)延伸穿过所述热缓冲器结构的多个互连件结构。13.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：形成第一裸片组合件，所述第一裸片组合件包含
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半导体衬底，其包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：