纳米孔设备及其制造方法技术

一种用于表征生物聚合物分子的3D纳米孔设备包括具有第一选择轴的第一选择层。所述设备还包括毗邻第一选择层布置并具有与第一选择轴正交的第二选择轴的第二选择层。所述设备进一步包括毗邻第二选择层布置的第三电极层，以使第一选择层、第二选择层和第三电极层沿Z轴形成层堆叠体并界定多个纳米孔柱。轴形成层堆叠体并界定多个纳米孔柱。轴形成层堆叠体并界定多个纳米孔柱。

【技术实现步骤摘要】
纳米孔设备及其制造方法
[0001]本申请是由帕洛根公司2018年9月28日提交的国际申请号为PCT/US2018/053624的专利技术名称为“纳米孔设备及其制造方法”的国际申请的分案申请。该国际申请PCT/US2018/053624进入中国国家阶段的日期为2020年3月27日，国家申请号为201880063003.6。


[0002]本公开整体上涉及用于表征生物聚合物分子的系统、设备和方法，和制造这样的系统和设备的方法。

技术介绍

[0003]核酸(例如DNA、RNA等)测序是在分子水平鉴别遗传变异的最有力的方法之一。遗传疾病的许多特征(signatures)可通过经由全基因组单核苷酸多态性(“SNPs”)分析、基因融合、基因组插入和缺失等收集的信息诊断。这些技术和其它分子生物学技术在某些时刻需要核酸测序。在单分子水平将核酸测序的现行技术包括纳米孔测序技术，其与先前的测序技术相比具有优点，因为纳米孔测序技术具有无标签和无扩增技术的特征，其也具有改进的读取长度和改进的系统吞吐量。因此，纳米孔测序技术已并入高质量基因测序用途中。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于表征生物聚合物分子的3D纳米孔设备，其包括：沉积在第一介电层上的第一Si3N4层；沉积在第一Si3N4层上的第一金属层；沉积在第一金属层上的第二介电层；沉积在第二介电层上的第二Si3N4层；沉积在第二Si3N4层上的第二金属层；沉积在第二金属层上的第三介电层；沉积在第三介电层上的第三Si3N4层；沉积在第三Si3N4层上的第三金属层；蚀刻和型式化到第二金属层中的第一多个细长的栅电极；和蚀刻和型式化到第三金属层中的第二多个细长的栅电极；其中各第一多个细长的栅电极位于第二金属层中，其中各第一多个细长的栅电极与该第一多个细长的栅电极的其它细长的栅电极平行，其中各第二多个细长的栅电极与该第二多个细长的栅电极的其它细长的栅电极平行，以及其中第一多个细长的栅电极和第二多个细长的栅电极分别沿着第二金属层和第三金属层彼此正交。2.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括蚀刻到第一和第二多个细长的栅电极、第二和第三Si3N4层、以及第二和第三介电层中的多个纳米孔通道。3.根据权利要求2所述的系统，其进一步包括流体耦合到该多个纳米孔通道的底室。4.根据权利要求2所述的系统，其进一步包括在顶室和底室之间的中间室，其中第一介电层、第一Si3N4层、第一金属层、第二介电层、第二Si3N4层和第二金属层安置在中间室中，和安置在顶室、中间室和底室中的电解质溶液，以使顶室和底室通过该多个纳米孔通道流体耦合。5.根据权利要求4所述的系统，其进一步包括分别安置在顶室和底室中的顶室电极和底室电极，其中顶室电极和底室电极各自包括Ag/AgCl2。6.根据权利要求4所述的系统，其中所述电解质溶液包含KCl或LiCl2。7.根据权利要求2所述的系统，其进...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩景晙，尹正基，
申请(专利权)人：帕洛根公司，
类型：发明
国别省市：