【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷封装外壳S参数的测试装置及测试设备
[0001]本专利技术涉及陶瓷封装外壳
,尤其涉及一种陶瓷封装外壳S参数的测试装置及测试设备。
技术介绍
[0002]陶瓷封装外壳用于芯片封装,通常用于实现芯片与电路板之间的电路连接。倒装芯片的陶瓷封装外壳通常为上下平板结构,即,陶瓷封装外壳的上表面焊盘连接倒装芯片、下表面焊盘连接电路板。作为芯片的载体,陶瓷封装外壳的S参数特性对信号传输的质量至关重要。一般探针尺寸大,探针间距大于陶瓷封装外壳的焊盘间距,因此通常采用上下平板结构的测试板连接探针和陶瓷封装外壳的焊盘,实现间距转换测试S参数。
[0003]S参数包括S
11
、S
22
、S
12
和S
21
参数。测试S
12
和S
21
参数时,需要用两组探针、测试板同时连接陶瓷封装外壳的上表面焊盘和下表面焊盘。实际生产中一般采用双向探针设备实现同时测试陶瓷封装外壳的上下两个表面。双向探针设备设有两组相向的探针,各组探针可 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷封装外壳S参数的测试装置,其特征在于,待测的所述陶瓷封装外壳用于封装倒装芯片,所述陶瓷封装外壳包括上表面焊盘和下表面焊盘;所述测试装置包括:第一测试板和第二测试板,其中,测试时所述陶瓷封装外壳置于第一测试板和第二测试板之间;所述第一测试板的上表面设有第一阵列焊盘,下表面设有第二阵列焊盘,内部设有连接第一阵列焊盘和第二阵列焊盘的内部电路;其中,所述第一阵列焊盘的间距与外部测试探针的间距相同,所述第二阵列焊盘与所述陶瓷封装外壳的上表面焊盘的分布相同;所述第二测试板的上表面设有第三阵列焊盘和第四阵列焊盘,内部设有连接第三阵列焊盘和第四阵列焊盘的内部电路;其中,所述第三阵列焊盘与所述陶瓷封装外壳的下表面焊盘的分布相同,所述第四阵列焊盘的间距与外部测试探针的间距相同。2.如权利要求1所述的陶瓷封装外壳S参数的测试装置,其特征在于,第三阵列焊盘设置在第二测试板的上表面的第一区域,第四阵列焊盘设置在第二测试板的上表面的第二区域;第二区域对应的第二测试板的上表面高于第一区域对应的第二测试板的上表面。3.如权利要求2所述的陶瓷封装外壳S参数的测试装置,其特征在于,所述第一区域至第二区域的垂直高度差等于所述第一测试板与待测的所述陶瓷封装外壳的厚度之和。4.如权利要求2所述的陶瓷封装外壳S参数的测试装置,其特征在于,所述第二区域对应的第二测试板的截面形状为多级台阶形;每级台阶的台面上均设有一组所述第四阵列焊盘,各组所述第四阵列焊盘...
【专利技术属性】
技术研发人员:武伯贤,杨振涛,刘林杰,刘洋,段强,李航舟,黄炎琦,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所,
类型:发明
国别省市:
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