一种晶圆的静电吸附方法及静电吸附卡盘技术

本发明专利技术提供了一种晶圆的静电吸附方法及静电吸附卡盘，晶圆置于反应腔室内的静电卡盘上，静电吸附方法包括：在静电卡盘上施加第一电压值以对晶圆进行静电吸附，判断是否吸附成功；响应于吸附失败，在反应腔室内检测晶圆的翘曲度；基于翘曲度获取适配的吸附电压值，以该适配的吸附电压值修正施加在静电卡盘上的电压以重新吸附晶圆；以及将以上步骤循环执行预设次数后，响应于仍然吸附失败，停止工艺流程并进行报警。程并进行报警。程并进行报警。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的静电吸附方法及静电吸附卡盘


[0001]本专利技术涉及半导体工艺设备领域，尤其涉及一种晶圆的静电吸附方法及静电吸附卡盘。

技术介绍

[0002]目前在半导体的加工工艺中，例如3D NAND的产品生产中，晶圆的静电吸附加热盘的应用非常广泛。然而，在晶圆的加工工艺中经常出现的情形是，一些晶圆产品的翘曲度(Bow值)比较大，且翘曲度的重复性也不稳定，又或者某种新产品晶圆的翘曲情况不确定或者不可控，使得预定的工艺流程就得被迫中断，且需要重新设计对应的工艺流程。
[0003]更具体地，例如，某一晶圆片的翘曲度过大而导致其在薄膜沉积步骤中吸盘无法正常吸附该晶圆，而此时往往已经开始沉积薄膜的操作，若继续执行沉积步骤则可能发生薄膜性能异常，影响产品良率，且有晶圆报废的风险；若中断沉积步骤，机台给出吸附失败的报警，工艺中止，同时需要对晶圆进行补救措施，就造成了时间、人力和财力成本的浪费。
[0004]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种晶圆的静电吸附方法及静电吸附卡盘，在工艺开始前首先判断吸附是否成功，若不成功则在腔室内部通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的静电吸附方法，晶圆置于反应腔室内的静电卡盘上，所述静电吸附方法包括：在所述静电卡盘上施加第一电压值以对所述晶圆进行静电吸附，判断是否吸附成功；响应于吸附失败，在所述反应腔室内检测所述晶圆的翘曲度；基于所述翘曲度获取适配的吸附电压值，以该适配的吸附电压值修正施加在所述静电卡盘上的电压以重新吸附所述晶圆；以及将以上步骤循环执行预设次数后，响应于仍然吸附失败，停止工艺流程并进行报警。2.如权利要求1所述的静电吸附方法，其特征在于，所述静电卡盘的内部各处分布有多个升降探针，所述升降探针配置为当检测到探针顶部受到向下的压力达到额定值时上升停止，所述在所述反应腔室内检测所述晶圆的翘曲度，包括：控制所述多个升降探针同时上升；以及以所述多个升降探针在吸附成功时的上升位移为参考基准，上升停止后，根据所述多个升降探针此次的上升位移与所述参考基准之间的位移差值确定所述翘曲度。3.如权利要求2所述的静电吸附方法，其特征在于，所述升降探针配置为匀速升降，所述根据所述多个升降探针此次的上升位移与所述参考基准之间的位移差值确定所述翘曲度，包括：基于所述升降探针的升降速度和上升时间确定此次的上升位移；以及根据所述多个升降探针的上升位移与所述参考基准之间的位移差值确定所述翘曲度。4.如权利要求1所述的静电吸附方法，其特征在于，所述第一电压值为在前序生产过程中基于相关晶圆产品的翘曲度确定的吸附电压经验值，所述相关晶圆产品包括与当前晶圆的翘曲度相似的晶圆产品或同一生产批次的晶圆产品。5.如权利要求1所述的静电吸...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘婧婧，于棚，朱佳奇，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：