一种PWM输入电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PWM输入电路，涉及控制电路技术领域，解决了PWM在无输入时和PWM输入占空比为100％时，MCU引脚检测的均为同一高电平，导致上电识别为100％占空比启动的技术问题。该电路包括二极管VD、第一电阻R1和电阻R2；所述二极管VD的阴极接第二电阻R2的一端，阳极接第一电阻R1的一端；所述第一电阻R1的另一端接工作电源；所述第二电阻R2的另一端接地。本实用新型专利技术在无PWM输入的形况下上电时，MCU芯片可识别为0占空比，防止电机误启动。防止电机误启动。防止电机误启动。

【技术实现步骤摘要】
一种PWM输入电路


[0001]本技术涉及控制电路
，尤其涉及一种PWM输入电路。

技术介绍

[0002]PWM就是脉冲宽度调制，具有两个非常重要的参数：频率和占空比。PWM信号就是根据需求调节占空比的大小以实现负载端电压的线性变化。而PWM用来驱动电机和调节电机转速是非常重要的内容，如BLDC电机驱动以及变频器调速都是PWM来实现的，因此能够加宽PWM输入的电压范围是很有必要的。
[0003]目前，已知的PWM输入电路，有用电阻分压的形式输入MCU的电路、三极管做开关情况下输入MCU的电路和利用电平转换芯片将PWM输入MCU的电路等，但是以上的电路使得PWM输入的电压范围限制很小，PWM输入不稳定的情况下容易使得MCU受损，配置成本高，容易收元器件自生特性的限制等问题。因此现有技术通常利用二极管单向性和电阻组成宽电压范围的PWM输入电路。
[0004]在实现本技术过程中，申请人发现现有技术中至少存在如下问题：
[0005]PWM在无输入时和PWM输入占空比为100％时，MCU引脚检测的均为同一高电平，导致上电识别为100％占空比启动。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种PWM输入电路，以解决现有技术中存在的PWM在无输入时和PWM输入占空比为100％时，MCU引脚检测的均为同一高电平，导致上电识别为100％占空比启动的技术问题。本技术提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。
[0007]为实现上述目的，本技术提供了以下技术方案：
[0008]本技术提供的一种PWM输入电路，其特征在于，包括二极管VD、第一电阻R1和电阻R2；所述二极管VD的阴极接第二电阻R2的一端，阳极接第一电阻R1的一端；所述第一电阻R1的另一端接工作电源；所述第二电阻R2的另一端接地。
[0009]优选的，所述电路还包括MCU芯片U；所述MCU芯片U的型号为FG8190L,FG8190Q，FG8191Q，FG8190S，FG8590Q，FG8591Q，FG8691L，FG8692Q，FG8693Q，FG8790Q或FG8890。
[0010]优选的，所述MCU芯片U的型号为FG8190L时，所述MCU芯片UU的引脚25分别接所述二极管VD的阳极、第一电阻R1的一端，引脚35接地，引脚36接所述工作电源。
[0011]优选的，所述电路还包括宽电压脉冲模块；所述宽电压脉冲模块的输出端分别接所述二极管VD的阴极、第二电阻R2的一端。
[0012]优选的，所述第一电阻R1、第二电阻R2的比值范围为10.5Ω
‑
22675Ω。
[0013]优选的，所述二极管VD为肖特基二极管。
[0014]实施本技术上述技术方案中的一个技术方案，具有如下优点或有益效果：
[0015]本技术由简单的二极管和电阻组成，可以加宽PWM输入的电压范围，且MCU芯
片的信号口不受PWM输入电压不稳定造成不可恢复的损伤；通过限制两个电阻的阻值比例，实现在无PWM输入的形况下上电时，MCU芯片可识别为0占空比，防止电机误启动；且本技术的元器件少，结构简单，成本低。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，附图中：
[0017]图1是本技术实施例的PWM输入电路结构示意图。
具体实施方式
[0018]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下文将要描述的各种示例性实施例将要参考相应的附图，这些附图构成了示例性实施例的一部分，其中描述了实现本技术可能采用的各种示例性实施例。除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。应明白，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本技术公开的一些方面相一致的流程、方法和装置等的例子，还可使用其他的实施例，或者对本文列举的实施例进行结构和功能上的修改，而不会脱离本技术的范围和实质。
[0019]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”等指示的是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的元件必须具有的特定的方位、以特定的方位构造和操作。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。术语“多个”的含义是两个或两个以上。术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接、可拆卸连接、一体连接、机械连接、电连接、通信连接、直接相连、通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0020]为了说明本技术所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明，仅示出了与本技术实施例相关的部分。
[0021]实施例一：
[0022]如图1所示，本技术提供了一种PWM输入电路，其特征在于，包括二极管VD、第一电阻R1和电阻R2；二极管VD的阴极接第二电阻R2的一端，阳极接第一电阻R1的一端；第一电阻R1的另一端接工作电源；第二电阻R2的另一端接地。
[0023]作为可选择是实施方式，该电路还包括MCU芯片U；MCU芯片U的型号为FG8190L,FG8190Q，FG8191Q，FG8190S，FG8590Q，FG8591Q，FG8691L，FG8692Q，FG8693Q，FG8790Q或FG8890。MCU芯片U的型号为FG8190L时，MCU芯片U的引脚25分别接所述二极管VD的阳极、第一电阻R1的一端，引脚35接地，引脚36接所述工作电源。该电路还包括宽电压脉冲模块；宽电压脉冲模块用于给该电路提供PWM输入；宽电压脉冲模块的输出端分别接二极管VD的阴
极、第二电阻R2的一端。第一电阻R1、第二电阻R2的比值范围为10.5
‑
22675。二极管VD为肖特基二极管。
[0024]本实施例电路的工作原理为：
[0025]当无PWM输入时，二极管VD的阳极电平处于自生的钳位电压与第二电阻R2的电压之和，即V＝[(R2
×
(VCC
‑
VF))/(R1+R2)]+VF，其中，VCC为芯片MCU的工作电源电压；VF为二极管VD的正向电压降。该电压不能大于MCU芯片U信号口识别到的低电平电压Vil，即V≤Vil。VCC和Vil都为固定参数值，VF越小，第一电阻R1和第二电阻R2的可配置范围越高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PWM输入电路，其特征在于，包括二极管VD、第一电阻R1和电阻R2；所述二极管VD的阴极接第二电阻R2的一端，阳极接第一电阻R1的一端；所述第一电阻R1的另一端接工作电源；所述第二电阻R2的另一端接地。2.根据权利要求1所述的一种PWM输入电路，其特征在于，所述电路还包括MCU芯片U；所述MCU芯片U的型号为FG8190L,FG8190Q，FG8191Q，FG8190S，FG8590Q，FG8591Q，FG8691L，FG8692Q，FG8693Q，FG8790Q或FG8890。3.根据权利要求2所述的一种PWM输入电路，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟奇，成守红，
申请(专利权)人：深圳市方为半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：