存储装置及操作其的方法制造方法及图纸

提供了一种存储装置及操作其的方法。存储装置包括非易失性存储器件和存储控制器。存储控制器包括缓冲存储器、第一易失性存储器、第二易失性存储器、处理器和缓冲区上下文备份电路。缓冲存储器暂时存储读取数据和写入数据。第一易失性存储器和第二易失性存储器被包括在不同的电源域中。处理器生成缓冲区分配信息，将缓冲区分配信息存储在第一易失性存储器中，并且基于缓冲区分配信息来控制对缓冲存储器的访问。缓冲区上下文备份电路在进入掉电模式时执行上下文备份操作，以将缓冲区分配信息从第一易失性存储器备份到第二易失性存储器，而在退出掉电模式时执行上下文恢复操作，以将缓冲区分配信息从第二易失性存储器恢复到第一易失性存储器。一易失性存储器。一易失性存储器。

【技术实现步骤摘要】
存储装置及操作其的方法
[0001]交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月28日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0145416的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。


[0003]本公开总体上涉及半导体集成电路，并且更具体地涉及一种用于电源模式的高效转换的存储装置和操作所述存储装置的方法。

技术介绍

[0004]可以在存储装置中例如在通用闪存存储(UFS)装置、固态硬盘(SSD)装置等中使用一个或更多个半导体存储器件。与硬盘驱动器(HDD)相比，这些类型的存储装置可以具有各种设计和/或性能差异。例如，此类数据存储装置不需要具有任何移动机械部件，并且可以具有较高的数据访问速度、提高的稳定性、提高的耐用性和/或降低的功耗。诸如膝上型计算机、汽车、飞机、无人机等的各种系统已采用了此类存储装置。可以应用管理存储装置的电源模式的各种方案来降低存储装置的功耗。

技术实现思路

[0005]本公开的一些实施例可以提供一种存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储装置，所述存储装置包括：非易失性存储器件；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为控制所述非易失性存储器件的操作，所述存储控制器包括：缓冲存储器，所述缓冲存储器被配置为暂时存储从所述非易失性存储器件读取的读取数据和将在所述非易失性存储器件中写入的写入数据；第一易失性存储器和第二易失性存储器，所述第一易失性存储器和所述第二易失性存储器被包括在不同的电源域中；处理器，所述处理器被配置为生成关于所述缓冲存储器的存储区域和存储在所述存储区域中的数据的缓冲区分配信息，将所述缓冲区分配信息存储在所述第一易失性存储器中，并且基于所述缓冲区分配信息来控制对所述缓冲存储器的访问；以及缓冲区上下文备份电路，所述缓冲区上下文备份电路被配置为：当所述存储装置进入掉电模式时执行上下文备份操作，以从所述第一易失性存储器读取所述缓冲区分配信息并且将备份信息存储在所述第二易失性存储器中，而当所述存储装置退出所述掉电模式时执行上下文恢复操作，以从所述第二易失性存储器读取所述备份信息并且将所述缓冲区分配信息存储在所述第一易失性存储器中。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述缓冲存储器、所述第一易失性存储器和所述处理器被包括在断电域中，在所述掉电模式期间向所述断电域的电力供应被阻断，并且所述第二易失性存储器被包括在通电域中，在所述掉电模式期间向所述通电域供应电力。3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述缓冲区上下文备份电路进一步被配置为：当所述存储装置进入所述掉电模式时通过压缩所述缓冲区分配信息来生成所述备份信息，而当所述存储装置退出所述掉电模式时通过解压缩所述备份信息来恢复所述缓冲区分配信息。4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述缓冲区上下文备份电路进一步被配置为：当所述存储装置进入所述掉电模式时通过对所述缓冲区分配信息进行纠错码编码，即ECC编码，来生成编码信息，并且通过压缩所述编码信息来生成所述备份信息，而当所述存储装置退出所述掉电模式时，通过解压缩所述备份信息来生成解压缩信息，并且通过对所述解压缩信息执行ECC解码来恢复所述缓冲区分配信息。5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一易失性存储器被包括在所述处理器中，或者所述第一易失性存储器是不通过所述存储装置的系统总线而直接连接到所述处理器的紧耦合存储器，并且所述第二易失性存储器不通过所述系统总线直接连接到所述缓冲区上下文备份电路。6.根据权利要求1所述的存储装置，其中：所述第一易失性存储器是动态随机存取存储器，所述第二易失性存储器是静态随机存取存储器，并且所述第二易失性存储器的存储容量小于所述第一易失性存储器的存储容量。7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储控制器进一步被配置为：当所述存储装置进入所述掉电模式时执行数据备份操作，以从所述缓冲存储器读取数据并且将备份
数据存储在所述非易失性存储器件中。8.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述缓冲区上下文备份电路进一步被配置为：在所述存储控制器执行所述数据备份操作时执行所述上下文备份操作。9.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述存储控制器进一步被配置为：将所述备份数据存储在所述非易失性存储器件的单阶单元区域即SLC区域中，使得所述SLC区域中的每个存储单元存储一个位。10.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述存储控制器进一步被配置为：当所述存储装置退出所述掉电模式时执行数据恢复操作，以读取所述备份数据并且将所述备份数据存储在所述缓冲存储器中。11.根据权利要求10所述的存储装置，其中，所述存储控制器进一步被配置为：在所述上下文恢复操作完成之后，基于由所述缓冲区上下文备份电路恢复到所述第一易失性存储器的所述缓冲区分配信息来执行所述数据恢复操作。12.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储控制器还被配置为根据通用...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪性完，李英敏，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：