透明电极层叠体和包含其的触摸传感器制造技术

技术编号:37461113 阅读:15 留言:0更新日期:2023-05-06 09:33
本发明专利技术涉及透明电极层叠体和包含其的触摸传感器,该透明电极层叠体包含依次层叠的第一金属氧化物层、金属层和第二金属氧化物层,通过调节上述第一金属氧化物层和第二金属氧化物层所包含的金属氧化物和氧化铟(In2O3)的含量,从而显示出高透过率,蚀刻性优异。蚀刻性优异。蚀刻性优异。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透明电极层叠体和包含其的触摸传感器


[0001]本专利技术涉及透明电极层叠体和包含其的触摸传感器。

技术介绍

[0002]具有导电性的透明电极可以在众多
中得到应用。例如,作为防静电膜、电磁波屏蔽等功能性薄膜以及平板显示器、太阳能电池、触摸面板、透明晶体管、柔性光电元件、透明光电元件等的核心电极材料来使用。
[0003]目前,用得最为广泛的透明电极材料中的一种是氧化铟锡(ITO;indium doped Tin Oxide)。ITO虽然在可见光全域中透过度物性呈令人满意的水平,但由于面电阻为约30Ω/

,电阻高,因此存在难以应用于要求20Ω/

以下的低电阻的环境中的问题。
[0004]为此,近年来,使用能够提供高导电性和高可见光线透过度的氧化物/金属/氧化物(Oxide/Metal/Oxide)结构的OMO透明电极,比如,ITO/金属/ITO结构的透明电极。
[0005]这样的OMO透明电极是通过利用公知的涂布法或蒸镀法在基板上形成OMO结构的透明导电膜、即透明电极层叠体,并使用形成有图案的掩模利用光刻工序形成期望的图案,从而形成图案化的透明电极。但是,若在光刻工序中为了形成透明电极图案而对ITO/金属/ITO进行蚀刻(Etching),则会由于各层的厚度差异和蚀刻速度差异而难以将3个膜均匀地蚀刻。
[0006]另一方面,日本公开专利第2015

115180号提及了ITO/金属/ITO的问题,但仅认识到耐湿性降低和金属膜腐蚀的问题。
[0007]因此,需要开发在具有高透过度和低面电阻的同时蚀刻性优异的透明电极。

技术实现思路

[0008]技术课题
[0009]本专利技术的目的在于,提供显示出高透过率且蚀刻性优异的透明电极层叠体和包含其的触摸传感器。
[0010]解决课题的方法
[0011]为了解决上述课题,本专利技术提供一种透明电极层叠体,其包含依次层叠的第一金属氧化物层、金属层和第二金属氧化物层,且上述第一金属氧化物层和第二金属氧化物层包含10至40重量%的金属氧化物和60至90重量%的氧化铟(In2O3)。
[0012]此外,本专利技术提供包含上述透明电极层叠体的触摸传感器。
[0013]专利技术效果
[0014]本专利技术的透明电极层叠体由于显示出高透过率,从而能够提供提高了的可见性。另外,本专利技术的透明电极层叠体的蚀刻性优异而在形成透明电极图案时可微细地形成线宽,因此具有如下优点:能够改善透过率下降和莫尔干涉等缺点,而且在应用于触摸传感器时能够灵敏地接收使用者的输入动作。
附图说明
[0015]图1是示出本专利技术的一实施方式的透明电极层叠体的概略截面图。
[0016]图2是用于说明本专利技术的一实施方式的透明电极层叠体的蚀刻性的概略截面图。
具体实施方式
[0017]本专利技术提供透明电极层叠体和包含其的触摸传感器,该透明电极层叠体包含依次层叠的第一金属氧化物层、金属层和第二金属氧化物层,通过调节上述第一金属氧化物层和第二金属氧化物层所包含的金属氧化物和氧化铟(In2O3)的含量,从而显示出高透过率,蚀刻性优异。
[0018]以下,参照附图来更具体地说明本专利技术的实施例。但是,本说明书中随附的以下附图是例示本专利技术的优选的实施例,与上述
技术实现思路
一同起到使本专利技术的技术思想得到进一步理解的作用,因此本专利技术不应仅限定在这些附图所记载的事项来解释。
[0019]<透明电极层叠体>
[0020]图1是示出本专利技术的一实施方式的透明电极层叠体的概略截面图,图2是用于说明本专利技术的一实施方式的透明电极层叠体的蚀刻性的概略截面图。
[0021]参照图1,透明电极层叠体100包含依次层叠的第一金属氧化物层110、金属层120和第二金属氧化物层130。
[0022]本说明书中,“透明电极”的含义是,不仅包括实际透明的电极,还包括即使是由不透明的材料制造但由于所制造的线宽窄至无法被使用者识别的程度等而让使用者看成实质透明的电极。
[0023]本专利技术的透明电极层叠体代替以往的ITO透明电极而以包含依次层叠的第一金属氧化物层110、金属层120和第二金属氧化物层130的OMO结构的透明电极来使用,从而在具有高透过率的同时具有低反射率,由此显著改善可见性。
[0024]一实施方式中,上述透明电极层叠体100可以形成于基材层(未图示)上。
[0025]基材层可以按照包括为了形成透明电极层叠体100而用作基层的膜类型的基材或者形成透明电极层叠体100的对象体的含义来使用。一部分实施例中,基材层也可以指形成或层叠触摸传感器的显示面板。另外,一部分实施例中,基材层也可以包含图像显示装置的视窗基板。
[0026]例如,基材层可以无特别限制地使用触摸传感器中通常使用的基板或膜材料。比如,可以包括玻璃(glass)、高分子和/或无机绝缘物质。上述基材层的厚度没有特别限制,可以根据最终制品的种类适当选择。比如,上述基材层的厚度可以为0.5μm以上、1μm以上、10μm以上、20μm以上、或30μm以上,但不限于此。另外,上述基板的厚度可以为1mm以下,比如500μm以下或200μm以下,但不限于此。
[0027]第一金属氧化物层110可以形成在基材层上,第二金属氧化物层130可以形成在金属层120上,但不限定因此。例如,可以利用有机金属化学蒸镀法(MOCVD;Metal Organic Chemical Vapor Deposition)、化学蒸镀法(CVD;Chemical Vapor Deposition)、等离子体化学蒸镀法(PECVD;Plasma

Enhanced Chemical Vapor Deposition)、分子束外延法(MBE;Molecular Beam Epitaxy)、氢化物气相外延法(HVPE;Hydride Vapor Phase Epitaxy)、溅射(Sputtering)等方法来形成,但不限定于此。
[0028]根据需要,本专利技术的透明电极层叠体可以在基材层和第一金属氧化物层之间进一步包含有机层。
[0029]上述有机层可以为丙烯酸系,但不限于此。
[0030]根据本专利技术的一实施例,第一金属氧化物层110和第二金属氧化物层130中的任一者、优选两者可以以包含氧化铟的方式形成,优选可以以包含氧化铟锌(IZO)的方式形成。例如,可以通过使用氧化铟(In2O3)与金属氧化物的含量比得到调节的靶标的溅射工序来形成第一金属氧化物层110和第二金属氧化物层130。
[0031]一实施例中,第一金属氧化物层110和第二金属氧化物层130中分别可以包含10至40重量%的金属氧化物和60至90重量%的氧化铟(In2O3)。优选可以包含20至30重量%的金属氧化物和70至80重量%的氧化铟(In2O3)。
[0032]另外,一实施例中,本发本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种透明电极层叠体,其包含依次层叠的第一金属氧化物层、金属层和第二金属氧化物层,所述第一金属氧化物层和第二金属氧化物层包含10至40重量%的金属氧化物和60至90重量%的氧化铟In2O3。2.根据权利要求1所述的透明电极层叠体,所述金属层包含银或银合金。3.根据权利要求1所述的透明电极层叠体,所述第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的厚度各自独立地为10nm~60nm。4.根据权利要求1所述的透明电极层叠体,所述金属层的厚度为3nm~20nm...

【专利技术属性】
技术研发人员:安有美金承国吴根泰
申请(专利权)人:东友精细化工有限公司
类型:发明
国别省市:

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