带隙基准电压源及电子设备制造技术

本公开提供了一种带隙基准电压源及电子设备，涉及电路技术领域。该电压源包括：第八MOS管，其源极连接供电端，其漏极与栅极连接；第九MOS管，其栅极连接第八MOS管的漏极、第十MOS管的栅极及第十一MOS管的漏极，第九MOS管的源极通过第三电阻连接供电端，第九MOS管的漏极连接第十二MOS管的漏极；第三电阻；第十MOS管，其源极连接供电端，其漏极连接第十三MOS管的源极，其中，其漏极用于输出带隙基准电压；第十一MOS管，其栅极连接第十二MOS管的栅极，其源极连接地；第十二MOS管，其漏极和栅极连接，其源极连接地；第十三MOS管，其漏极和栅极连接，以及第十三MOS管的漏极连接地。根据本公开实施例，能够减小带隙基准电压源的面积。能够减小带隙基准电压源的面积。能够减小带隙基准电压源的面积。

【技术实现步骤摘要】
带隙基准电压源及电子设备
[0001]本申请是基于申请号为202220385239.5，申请日为2022年02月24日，申请人为北京兆易创新科技股份有限公司，专利技术名称为“带隙基准电压源及电子设备”的技术提出的分案申请。针对审查员于2022年05月18日发出的第一次审查意见通知书中指出的单一性问题，提出分案申请。


[0002]本公开涉及电路
，尤其涉及一种带隙基准电压源及电子设备。

技术介绍

[0003]带隙基准(Bandgap voltage reference)，即一种利用具有正温度系数的电压与具有负温度系数的电压，来抵消二者温度系数，从而提供一种与温度无关的基准电压的技术。
[0004]传统的带隙基准电源往往需要利用误差放大器正负两输入端电压相同的特性，以及还需要利用双极性晶体管的基极
‑
发射极电压(V
BE
)具有负温度系数、以及处在不同的集电极电流下工作的两个双极性晶体管基极
‑
发射极电压的电压差(ΔV
BE
)具有正温度系数的特性来产生与温度无关的基准电压。然而，传统的带隙基准电源往往面积较大。
[0005]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0006]本公开提供一种带隙基准电压源及电子设备，至少在一定程度上克服由于相关技术提供的带隙基准电源面积大的问题。
[0007]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
[0008]根据本公开的一个方面，提供了一种带隙基准电压源，包括：
[0009]第一MOS管，第一MOS管的源极连接供电端，第一MOS管的漏极和栅极连接；
[0010]第二MOS管，第二MOS管的栅极连接第一MOS管的漏极及第四MOS管的漏极，第二MOS管的源极连接供电端，第二MOS管的漏极与第一电阻的一端连接；
[0011]第一电阻，第一电阻的另一端分别与第三MOS管的栅极、第二电阻的一端连接，以及第一电阻的一端用于输出带隙基准电压；
[0012]第二电阻，第二电阻的另一端分别与第三MOS管的漏极、第四MOS管的栅极连接；
[0013]第三MOS管，第三MOS管的源极连接地；
[0014]第四MOS管，第四MOS管的源极连接地。
[0015]在一个实施例中，电压源还包括：
[0016]启动电路，启动电路的第一端连接供电端，启动电路的第二端连接第一MOS管的漏极，启动电路的第三端连接地，启动电路用于向第一MOS管的漏极提供启动电压。
[0017]在一个实施例中，启动电路包括：
[0018]单向导通单元，单向导通单元的第一端作为启动电路的第一端，单向导通单元的第二端连接第五MOS管的栅极、第六MOS管的漏极；
[0019]第五MOS管，第五MOS管的漏极作为启动电路的第二端，第五MOS管的源极连接地；
[0020]第六MOS管，第六MOS管的栅极接收带隙基准电压，第六MOS管的源极连接地。
[0021]在一个实施例中，单向导通单元包括：
[0022]第七MOS管，第七MOS管的源极作为单向导通单元的第一端，第七MOS管的漏极与栅极连接，第七MOS管的漏极作为单向导通单元的第二端。
[0023]在一个实施例中，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管采用互补金属氧化物半导体CMOS工艺制作而成的MOS管。
[0024]在一个实施例中，第一MOS管和第二MOS管为PMOS管；
[0025]第三MOS管和第四MOS管为NMOS管。
[0026]在一个实施例中，第一MOS管和第二MOS管为PMOS管；
[0027]第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管为NMOS管。
[0028]在一个实施例中，第四MOS管的宽长比等于第三MOS管的宽长比与预设倍数的乘积。
[0029]根据本公开的另一个方面，提供一种带隙基准电压源，包括：
[0030]第八MOS管，第八MOS管的源极连接供电端，第八MOS管的漏极与栅极连接；
[0031]第九MOS管，第九MOS管的栅极连接第八MOS管的漏极、第十MOS管的栅极及第十一MOS管的漏极，第九MOS管的源极通过第三电阻连接供电端，第九MOS管的漏极连接第十二MOS管的漏极；
[0032]第三电阻；
[0033]第十MOS管，第十MOS管的源极连接供电端，第十MOS管的漏极连接第十三MOS管的源极，其中，第十MOS管的漏极用于输出带隙基准电压；
[0034]第十一MOS管，第十一MOS管的栅极连接第十二MOS管的栅极，第十一MOS管的源极连接地；
[0035]第十二MOS管，第十二MOS管的漏极和栅极连接连接，第十二MOS管的源极连接地；
[0036]第十三MOS管，第十三MOS管的漏极和栅极连接连接，以及第十三MOS管的漏极连接地。
[0037]在一个实施例中，电压源还包括：
[0038]第四电阻，第四电阻设置于第十三MOS管与地之间。
[0039]根据本公开的又一个方面，提供一种电子设备，包括上述任一实施例示出的带隙基准电压源。
[0040]本公开实施例所提供的带隙基准电压源及电子设备，由于第三MOS管的栅极电压为负温度系数的电压且第三MOS管的栅极与第一电阻的另一端连接，使得第一电阻的另一端的电压具有负温度系数，以及流经第一电阻的电流具有正温度系数。因此，与第一电阻另一端的电压以及第一电阻的电流相关的第一电阻的一端的电压不受温度影响，从而使得本公开实施例提供的带隙基准电压源无需设置运算放大器等器件即可从第一电阻的一端输出不受温度影响的带隙基准电压，减小了带隙基准电压源的面积。
[0041]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0042]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0043]图1示出了一种相关技术中的带隙基准电压源的结构示意图；
[0044]图2示出本公开实施例提供的一种带隙基准电压源的结构示意图；
[0045]图3示出了本公开实施例提供的另一种带隙基准电压源的结构示意图；
[0046]图4示出本公开实施例提供的又一种带隙基准电压源的结构示意图；
[0047]图5示出了本公开实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0048]现在将参考附图更全面地描述示例实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电压源，其特征在于，包括：第八MOS管，所述第八MOS管的源极连接供电端，所述第八MOS管的漏极与栅极连接；第九MOS管，所述第九MOS管的栅极连接所述第八MOS管的漏极、第十MOS管的栅极及第十一MOS管的漏极，所述第九MOS管的源极通过第三电阻连接所述供电端，所述第九MOS管的漏极连接第十二MOS管的漏极；所述第三电阻；所述第十MOS管，所述第十MOS管的源极连接所述供电端，所述第十MOS管的漏极连接第十三MOS管的源极，其中，所述第十MOS管的漏极用于输出带隙基准电压；所述第十一MOS管，所述第十一MOS管的栅极连接所述第十二MOS管的栅极，所述第十一MOS管的源极连接地；所述第十二MOS管，所述第十二MOS管的漏极和栅极连接，所述第十二MOS管的源极连接所述地；所述第十三MOS管，所述第十三MOS管的漏极和栅极连接，以及所述第十三MOS管的漏极连接所述地。2.根据权利要求1所述的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘亚平，孙锋锋，邓龙利，
申请(专利权)人：兆易创新科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：