一种宽电源高抑制比的带隙基准电路制造技术

本发明专利技术提供的一种宽电源供电下高电源抑制比的带隙基准电路，可以得到不受外部电源干扰的带隙基准电压，包括启动电路、带隙基准核心电路、供电转换电路，电源的波动通过供电转换电路得到抑制，再通过带隙基准核心电路的差分电路使得电源的波动进一步得到抑制，最终得到一个受电源电压波动影响较小的带隙基准电压，该结构通过电流源和稳压二极管组成的电路及差分电路共同作用的结构，提高整体电路的稳定性和电源电压范围，既减小了芯片面积、稳定性能也增强了，输出的带隙基准电压稳定、干净。干净。干净。

【技术实现步骤摘要】
一种宽电源高抑制比的带隙基准电路


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种带隙基准电路。

技术介绍

[0002]带隙基准电路的工作原理是：根据硅材料的带隙电压与温度无关的特性，利用双极性晶体管的基极
‑
发射极的电压的负温度系数与不同电流密度下两个双极性晶体管基极
‑
发射极电压的差值的正温度系数相互补偿，使输出的电压达到很低的温度漂移。
[0003]带隙基准源是集成电路中非常重要的一部分，广泛应用于需高精度电压的MEMS芯片、A/D和D/A转换器系统，电源管理芯片存储器以及开关电源等数模混合电路系统中。基准源给集成电路各个模块提供高精度、高稳定度的基准电压或偏置电流，其特性如温度系数、电源抑制比、精度等，会直接影响整个芯片系统的性能。理想的基准电压是与电源电压和温度都无关的，其精度会直接影响所在的电路系统精度，带隙基准电路输出电压的稳定性以及抗噪声能力是影响各种应用系统精度的关键因素；随着应用系统精度的不断提高，对带隙基准电路的温度、电压和工艺的稳定性要求也越来越高，现有的带隙基准电路的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽电源高抑制比的带隙基准电路，其特征在于，包括：供电转换电路、启动电路以及带隙核心电路；所述供电转换电路包括第一电流镜，所述第一电流镜包括第一、第二、第三、第四、第五PMOS晶体管，供电转换电路还包括稳压二极管Z3、第六PMOS晶体管，第六PMOS晶体管为功率管；所述带隙基准核心电路，包括差分电路、温度补偿电路；所述差分电路包括第九PMOS晶体管、第十PMOS晶体管、第十一PMOS晶体管、第十五NMOS晶体管、第十六NMOS晶体管；所述温度补偿电路包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管；所述供电转换电路通过电路中第一、第二、第三、第四、第五PMOS晶体管的源极连接所述带隙基准核心电路中第九、第十PMOS晶体管的源极，并均与电源正极VDD连接，从而为所述带隙基准核心电路提供电压；所述供电转换电路中稳压二极管Z3的正极连接所述带隙基准核心电路中第十五、第十六NMOS晶体管的源极，且均与电源地线GND连接；所述启动电路为带隙基准核心电路提供启动信号。2.根据权利要求1所述的宽电源高抑制比的带隙基准电路，其特征在于，所述启动电路包括第二电流镜，所述第二电流镜包括第七、第八、第九NMOS晶体管；所述启动电路还包括接收使能信号的第十、第十一NMOS晶体管。3.根据权利要求2所述的宽电源高抑制比的带隙基准电路，其特征在于，外部使能信号作用于所述启动电路中第十、第十一NMOS晶体管的栅极；所述第十一NMOS晶体管的漏极连接并作用于所述带隙基准核心电路中第十PMOS晶体管的栅极，为带隙基准核心...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙宏建，阮昊，霍建龙，胡巧，
申请(专利权)人：上海聚迹科技有限公司，
类型：发明
国别省市：