化合物、电致发光器件及其制备方法与显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种化合物、电致发光器件及其制备方法与显示装置，所述化合物包含Ar、香豆素基以及用于连接Ar和香豆素基的连接基团B，Ar选自包含芳基和/或杂芳基的结构单元；所述电致发光器件的制备方法包括制备空穴传输层的步骤，在制备空穴传输层的过程中，先制备空穴传输材料层，空穴传输材料层的材料包括所述化合物，然后采用第一光照条件处理空穴传输材料层以使空穴传输材料形成交联化结构，再在空穴传输材料层的一侧制备形成上层功能薄膜，上层功能薄膜制备完毕后采用第二光照条件处理空穴传输材料层以使具有交联结构的空穴传输材料解交联。输材料解交联。输材料解交联。

【技术实现步骤摘要】
化合物、电致发光器件及其制备方法与显示装置


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种化合物、电致发光器件及其制备方法与显示装置。

技术介绍

[0002]电致发光器件属于光电器件，其是指施加电场时会发光的电子器件，电致发光器件包括但不限于是有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)。电致发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。
[0003]电致发光器件通常为“三明治”结构，包括依次设置的阳极、功能层和阴极，功能层包括靠近阳极的空穴功能层、靠近阴极的电子功能层以及设置于阳极与阴极之间的发光层。当采用溶液法制备各个功能薄膜时，用于制备上层薄膜的功能材料(例如溶剂)会损伤下层薄膜，从而对电致发光器件的光电性能造成负面影响。以QLED为例，QLED是基于量子点作为发光材料的新一代电致发光器件，现有QLED存在电子
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空穴传输失衡的问题，即由于电子注入强于空穴注入，使得电子数量明显多于空穴数量，电子
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空穴注入失衡会导致QLED的效率滚降，并会缩短QLED的工作寿命，从而制约QLED的应用范围，而在QLED的制程中，采用溶液法在空穴功能层上制备形成其他功能薄膜时会对空穴功能层造成损伤，导致电子/>‑
空穴传输失衡加剧，进一步地对QLED的光电性能和工作寿命造成不利影响。
[0004]因此，如何改进空穴功能层的材料，以降低在空穴功能层上制备形成其他功能薄膜时对空穴功能层的不利影响，尤其是降低采用溶液法在空穴功能层上制备形成发光层时对空穴功能层的不利影响，对电致发光器件的应用与发展具有重要意义。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种化合物、电致发光器件及其制备方法与显示装置，通过提供一种具有可逆光响应特性的化合物作为电致发光器件的空穴功能材料，以在空穴功能层上制备形成其他功能薄膜时，降低原料和/或制备工艺对空穴功能层的损伤。
[0006]本申请的技术方案如下：
[0007]第一方面，本申请提供了一种化合物，所述化合物具有下面通式(Ⅰ)所示的结构：
[0008][0009]在通式(Ⅰ)中，Ar选自包含芳基和/或杂芳基的结构单元，B为连接基团，n大于等于
1。
[0010]进一步地，所述Ar选自三芳胺基和/或咔唑基。
[0011]进一步地，所述B选自酰亚胺基或包含酰亚胺基的基团。
[0012]进一步地，所述B由相连的亚烷基和酰亚胺基组成，所述Ar连接所述亚烷基或所述酰亚胺基。
[0013]进一步地，所述化合物为：
[0014][0015]其中，n大于等于1。
[0016]第二方面，本申请还提供了一种化合物的制备方法，用于制备如第一方面中任意一种所述的化合物，包括如下步骤：
[0017]提供第一化合物和第二化合物的混合物；以及
[0018]在惰性气体的氛围下，对所述混合物进行热处理，获得所述化合物；
[0019]其中，所述第一化合物具有下面通式(Ⅱ)所示的结构：
[0020][0021]在通式(Ⅱ)中，Ar选自包含芳基和/或杂芳基的结构单元，n大于等于1，R1选自氨基、羧基、包含氨基的基团或包含羧基的基团；
[0022]所述第二化合物具有下面通式(Ⅲ)所示的结构：
[0023][0024]在通式(Ⅲ)中，R2选自氨基、羧基、包含氨基的基团或包含羧基的基团；
[0025]所述R1和所述R2彼此不相同，且所述R1和所述R2可反应生成所述B。
[0026]进一步地，在所述混合物中，所述第一化合物：所述第二化合物的质量比为1：(0.3～0.8)。
[0027]第三方面，本申请提供了一种电致发光器件，包括：
[0028]阳极；
[0029]阴极，与所述阳极相对设置；
[0030]发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
[0031]空穴传输层，设置于所述发光层与所述阳极之间；
[0032]其中，所述空穴传输层的材料包括如第一方面中任意一种所述的化合物，或如第二方面中任意一种所述的制备方法制得的化合物。
[0033]进一步地，所述电致发光器件还包括：电子传输层，设置于所述发光层与所述阴极之间。
[0034]进一步地，所述电子传输层的材料包括金属氧化物纳米颗粒，所述金属氧化物纳米颗粒选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO以及InSnO中的至少一种。
[0035]进一步地，所述发光层的材料为量子点，所述量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种；所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种；所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP；所述I
‑
III
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VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的至少一种。
[0036]第四方面，本申请还提供了一种电致发光器件的制备方法，用于制备如第三方面中任意一种所述的电致发光器件，包括步骤：提供叠层结构，在所述叠层结构的一侧依次制备形成空穴传输层、发光层和阴极，所述叠层结构为包含阳极的基板；
[0037]其中，所述在所述叠层结构的一侧依次制备形成空穴传输层、发光层和阴极，包括如下步骤：
[0038]在所述阳极的一侧制备形成空穴传输材料层，所述空穴传输材料层的材料包括如第一方面中任意一种所述的化合物，或如第二方面中任意一种所述的制备方法制得的化合物，然后采用第一光照条件处理所述空穴传输材料层，获得空穴传输前驱层；
[0039]在所述空穴传输前驱层远离所述阳极的一侧制备形成发光层；
[0040]在所述发光层远离所述空穴传输层的一侧制备形成阴极；
[0041]采用第二光照条件处理包含所述空穴传输前驱层和所述发光层的叠层结构，获得所述空穴传输层。
[0042]第五方面，本申请还提供了一种电致发光器件的制备方法，用于制备如第三方面中任意一种所述的电致发光器件，包括步骤：提供叠层结构，在所述叠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有下面通式(Ⅰ)所示的结构：在通式(Ⅰ)中，Ar选自包含芳基和/或杂芳基的结构单元，B为连接基团，n大于等于1。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Ar选自三芳胺基和/或咔唑基。3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，所述B选自酰亚胺基或包含酰亚胺基的基团。4.根据权利要求3所述的化合物，其特征在于，所述B由相连的亚烷基和酰亚胺基组成，所述Ar连接所述亚烷基或所述酰亚胺基。5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物为：其中，n大于等于1。6.一种化合物的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1至5任一项中所述的化合物，包括如下步骤：提供第一化合物和第二化合物的混合物；以及在惰性气体的氛围下，对所述混合物进行热处理，获得所述化合物；其中，所述第一化合物具有下面通式(Ⅱ)所示的结构：在通式(Ⅱ)中，Ar选自包含芳基和/或杂芳基的结构单元，n大于等于1，R1选自氨基、羧
基、包含氨基的基团或包含羧基的基团；所述第二化合物具有下面通式(Ⅲ)所示的结构：在通式(Ⅲ)中，R2选自氨基、羧基、包含氨基的基团或包含羧基的基团；所述R1和所述R2彼此不相同，且所述R1和所述R2可反应生成所述B。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述混合物中，所述第一化合物：所述第二化合物的质量比为1：(0.3～0.8)。8.一种电致发光器件，其特征在于，包括：阳极；阴极，与所述阳极相对设置；发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及空穴传输层，设置于所述发光层与所述阳极之间；其中，所述空穴传输层的材料包括如权利要求1至5任一项中所述的化合物，或如权利要求6或7所述的制备方法制得的化合物。9.根据权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件还包括：电子传输层，设置于所述发光层与所述阴极之间。10.根据权利要求9所述的电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括金属氧化物纳米颗粒，所述金属氧化物纳米颗粒选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnGaO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO以及InSnO中的至少一种。11.根据权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为量子点，所述量子点选自II
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VI族化合物、III
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V族化合物和I
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III
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VI族化合物中的至少一种；所述II
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【专利技术属性】
技术研发人员：敖资通，张建新，严怡然，洪佳婷，杨帆，莫新娣，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：