发光二极管、制作方法及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管、制作方法及发光装置。发光二极管包括外延结构、第一电极、第二电极、绝缘层，外延结构由下至上包括依次层叠的第二半导体层、发光层和第一半导体层；第一电极位于第一半导体层上且电连接第一半导体层；第一电极至少包括第一金属电极，第一金属电极具有条状的延伸部；绝缘层设置在第一半导体层上及第一金属电极上，且具有局部减薄部分；至少部分延伸部位于局部减薄部分下方。通过上述设置，既避免顶针作用导致金属电极变形或顶裂外延结构而造成芯片异常的问题，还能避免因改变接触电极的结构形状或位置导致电流变化而引起的发光不均匀的问题。发光不均匀的问题。发光不均匀的问题。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管、制作方法及发光装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种发光二极管、制作方法及发光装置。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有成本低、光效高、节能环保等优点，被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。LED芯片分为正装结构、倒装结构和垂直结构三种。与传统的正装芯片相比，倒装芯片具有高电流、可靠和使用简便等优点，目前已得到大规模应用。
[0003]发光二极管的倒装结构，即把正装芯片倒置，使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出，基于这种倒装结构设计的发光二极管称为倒装型发光二极管。如图1所示，目前倒装芯片的金属电极的延伸部凸起结构落在顶针的作业区域，而在封装固晶时，顶针会直接顶在芯片正面，若顶针顶在金属电极的延伸部凸起结构时，容易顶破金属电极和绝缘层甚至是顶裂外延结构(如图2所示)，从而导致芯片异常，存在漏电的风险。
[0004]目前，主要通过改变接触电极延伸部的位置来绕开顶针作业区域。然而，在接触电极的结构形状或位置发生一定改变时，发光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延结构，由下至上包括依次层叠的第二半导体层、发光层和第一半导体层；第一电极，位于所述第一半导体层上，并且与所述第一半导体层电连接；第二电极，位于所述第二半导体层上，并且与所述第二半导体层电连接；所述第一电极至少包括第一金属电极，所述第一金属电极具有条状的延伸部；绝缘层，至少在所述第一半导体层上及第一金属电极上；所述绝缘层具有局部减薄部分；至少部分所述延伸部位于所述绝缘层的局部减薄部分下方。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层的局部减薄部分具有第一厚度，所述局部减薄部分周围的绝缘层具有第二厚度，所述第二厚度为所述绝缘层的最大厚度；所述第一厚度低于所述第二厚度。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一金属电极的厚度范围为0.3～3微米。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二厚度的厚度范围为1～6微米。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述延伸部的部分结构位于所述绝缘层的局部减薄部分下方。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从所述发光二极管的上方朝向所述外延结构俯视，所述绝缘层的局部减薄部分位于所述发光二极管的中心或者避开所述发光二极管的中心。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二厚度与所述第一厚度的厚度差小于等于所述延伸部的厚度。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述绝缘层的局部减薄部分的上表面与位于所述延伸部周围的所述绝缘层上表面处于同一水平面。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极还包括第一焊盘电极，所述第一焊盘电极位于所述绝缘层上，且通过所述第一金属电极与所述第一半导体层电连接；所述第二电极包括第二焊盘电极和第二金属电极；所述第二焊盘电极位于所述绝缘层上，且通过所述第二金属电极与所述第二半导体层电连接。10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：从所述发...

【专利技术属性】
技术研发人员：隗彪，刘旭阳，
申请(专利权)人：湖北三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：