一种微发光二极管、微发光元件及其显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种微发光二极管、微发光元件及其显示装置，对双绝缘层材料、绝缘层开口和电极堆叠的匹配位置进行组合设计，第二电极下的绝缘层开口处不设置第一绝缘层，从而兼顾有源区尺寸和芯片制程良率。有源区尺寸和芯片制程良率。有源区尺寸和芯片制程良率。

【技术实现步骤摘要】
一种微发光二极管、微发光元件及其显示装置


[0001]本专利技术属于半导体制造领域，具体涉及微发光二极管、微发光元件及其显示装置。

技术介绍

[0002]微型LED（mLED）是目前热门研究的下一代显示器光源。它具有低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、响应速度快、能耗低、寿命长灯优点。此外，它的功率消耗量约为LCD的10%，OLED的50%。而与同样是自发光的OLED相比较，亮度高了多倍，且分辨率可以达到高像素密度。mLED这些明显的优势，使得它有望取代现在的OLED和LCD，成为下一代显示器的光源。mLED目前还无法量产，是因为目前还有许多技术难题需要攻克，其中一个重要的技术难题就是如何提高微米级芯粒的制程良率。

技术实现思路

[0003]针对微发光二极管的制程良率，例如芯片良率或转移良率，本专利技术提出了一种微发光二极管，可有效提升微发光二极管的制程良率，一种微发光二极管，具有半导体层序列，半导体层序列包括相对设置的正侧和背侧，半导体层序列从正侧至背侧依次包括：第一类型半导体层、第二类型半导体层和两者之间的有源层，半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管，具有半导体层序列，半导体层序列包括相对设置的正侧和背侧，半导体层序列从正侧至背侧依次包括：第一类型半导体层、第二类型半导体层和两者之间的有源层，半导体层序列的背侧具有凹槽，凹槽贯穿第二类型半导体层、有源层，露出第一类型半导体层，半导体层序列的背侧包括有凹槽内的第一台面、第二类型半导体层上的第二台面和位于两者之间的凹槽侧壁，半导体层序列的背侧设置有与第一类型半导体层电连接的第一金属电极以及与第二类型半导体层电连接的第二金属电极，其特征在于，还包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层具有第一开口，第一开口设置在第一台面上，第一金属电极至少部分设置在第一台面上，第一金属电极从第一开口内的第一台面上延伸至第一绝缘层上，第二绝缘层设置在第二台面上，第二绝缘层包含部分第一绝缘层，第一绝缘层从第一台面延凹槽侧壁延伸至第二台面，第二绝缘层具有第二开口，第二开口设置在第二台面上，第二金属电极至少部分设置在第二台面上，第二金属电极从第二开口内的第二台面上延伸至第二绝缘层上，第二绝缘层包括上方设置第二金属电极的第一部分和上方未设置第二金属电极的第二部分，第二绝缘层的第一部分不包括第一绝缘层。2.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，第二绝缘层的介质材料种类数多于第一绝缘层的介质材料种类数。3.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，第二绝缘层厚度大于第一绝缘层，第一绝缘层的厚度为第二绝缘层厚度的1/4至2/3。4.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，第一绝缘层的厚度为0.5至2微米，第二绝缘层的厚度为1至3微米。5.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，第一绝缘层的介质材料为一种，且第二绝缘层的介质材料为两种以上。6.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，第一绝缘层的介质材料为氧化硅和、或氮化硅，第一绝缘层包括残余桥臂，第二绝缘层的介质材料包括氧化硅和氧化钛、或者包括氧化硅、氮化硅和氧化钛。7.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，第一开口与水平面的夹角为θ1，第二开口与水平面的夹角为θ2，其中θ1不大于θ2，第一开口与水平面的夹角θ1为20
°
至45
°
，第二开口与水平面的夹角θ2为20
°
至60
°
。8.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，第二开口设置在第二台面上，第二开口的孔径大于或者等于第一开口的孔径。9.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，第一开口的孔径为1微米至3微米，第二开口的孔径为1微米至5微米。10.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，微发光二极管为矩形，微发光二极管的短边长度不大于15微米，且第一台面的单边尺寸不大于15微米。11.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，第一台面的面积小于第二台面的面积，第一台面的面积为第二台面面积的1/2至4/5。12.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，微发光二极管为矩形，第一金属电极沿着第一类型半导体层的长边方向延伸，且所述延伸从凹槽侧壁覆盖到第二台面
上。13.根据权利要求1所述的一种微发光二极管，其特征在于，短边所在的竖直投影面看，第一金属电极在第二台面的覆盖面宽度超过短边长度的20%。14.根据权利要求13所述的一种微发光二极管，其特征在于，第一金属电极在第二台面的覆盖面宽度为短边长度的20%至90%。15.根据权利要求13所述的一种微发光二极管，其特征在于，其中第一类型半导体层为微发光二极管的支撑层，从俯视方向上看，支撑层为长方形，至少部分凹槽至半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志远，吴政，林科闯，秦志磊，李佳恩，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：