本发明专利技术公开一种发光元件、其制造方法及包含其的显示装置，其中该发光元件包括：第一半导体图案、第二半导体图案、发光图案、第一电极以及第二电极。第一半导体图案具有第一侧、第二侧、第三侧及第四侧，其中第一侧与第二侧相对，第三侧与第四侧相对，且第三侧及第四侧连接第一侧与第二侧。第二半导体图案位于第一半导体图案的第二侧，且第二半导体图案的长度大于第一半导体图案的长度。发光图案位于第一半导体图案与第二半导体图案之间。第一电极位于第二半导体图案的远离第一半导体图案的一侧，且电连接第二半导体图案。第二电极位于第一半导体图案的第三侧及第四侧，且电连接第一半导体图案。体图案。体图案。
【技术实现步骤摘要】
发光元件、其制造方法及包含其的显示装置
[0001]本专利技术涉及一种发光元件、发光元件的制造方法及包含发光元件的显示装置。
技术介绍
[0002]微型发光二极管(Micro
‑
LED)显示装置具有省电、高效率、高亮度及反应时间快等优点。一般而言，微型发光二极管依其两电极在发光叠层的同一侧或不同侧可区分为水平式(Lateral)及垂直式(Vertical)微型发光二极管，其中垂直式微型发光二极管因其散热及发光效率较佳，有望成为未来的主流结构。
[0003]由于垂直式微型发光二极管的高度较高，在巨量转移(Mass Transfer)至电路基板上之后，需要使用多层(至少三层)平坦层来填补地形段差，以便于电极的桥接。然而，多层平坦层的平坦度难以控制，导致电极的桥接良率不佳，而影响显示装置的生产良率。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种发光元件，具有便于电极桥接的结构。
[0005]本专利技术提供一种发光元件的制造方法，能够生产具有便于电极桥接的结构的发光元件。
[0006]本专利技术提供一种显示装置，具有提高的生产良率。
[0007]本专利技术的一个实施例提出一种发光元件，包括：第一半导体图案，具有第一侧、第二侧、第三侧及第四侧，其中第一侧与第二侧相对，第三侧与第四侧相对，且第三侧及第四侧连接第一侧与第二侧；第二半导体图案，位于第一半导体图案的第二侧，且第二半导体图案的长度大于第一半导体图案的长度；发光图案，位于第一半导体图案与第二半导体图案之间；第一电极，位于第二半导体图案的远离第一半导体图案的一侧，且电连接第二半导体图案；以及第二电极，位于第一半导体图案的第三侧及第四侧，且电连接第一半导体图案。
[0008]在本专利技术的一实施例中，上述的第二电极环绕第一半导体图案。
[0009]在本专利技术的一实施例中，上述的第二电极实体接触第一半导体图案的第三侧及第四侧。
[0010]在本专利技术的一实施例中，上述的第一电极包括高反射率导电材料。
[0011]在本专利技术的一实施例中，上述的第一电极的长度为第二半导体图案的长度的20％至90％。
[0012]在本专利技术的一实施例中，上述的第二电极还位于第一半导体图案的第一侧。
[0013]在本专利技术的一实施例中，上述的第二电极具有第一开口，且第一开口露出第一半导体图案。
[0014]在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件还包括第一透明导电图案，位于第一电极与第二半导体图案之间。
[0015]本专利技术的一个实施例提出一种显示装置，包括：电路基板；以及多个上述的发光元件，设置于电路基板上，且电连接电路基板。
[0016]在本专利技术的一实施例中，上述的显示装置还包括第一接垫及第二接垫，其中第一电极电连接第一接垫，且第二电极通过第二透明导电层电连接第二接垫。
[0017]在本专利技术的一实施例中，上述的显示装置还包括保护层，覆盖多个发光元件及第二透明导电层。
[0018]本专利技术的一个实施例提出一种发光元件的制造方法，包括：形成第一半导体层于生长基板之上，且第一半导体层的第一侧靠近生长基板；形成发光层于第一半导体层的第二侧上，且第二侧与第一侧相对；形成第二半导体层于发光层上；形成第一电极于第二半导体层上；移除生长基板；图案化第一半导体层、发光层及第二半导体层，以分别形成第一半导体图案、发光图案及第二半导体图案，且第二半导体图案的长度大于第一半导体图案的长度；以及形成第二电极于第一半导体图案的第三侧及第四侧，且第三侧及第四侧各自连接第一侧与第二侧。
[0019]在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件的制造方法还包括在形成第一半导体层之前形成缓冲层于生长基板上。
[0020]在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件的制造方法还包括在移除生长基板之后移除缓冲层。
[0021]在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件的制造方法还包括在形成第二半导体层之后形成第一透明导电层于第二半导体层上。
[0022]在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件的制造方法还包括对第一透明导电层进行退火制作工艺。
[0023]在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件的制造方法还包括在图案化第一半导体层、发光层及第二半导体层之后图案化第一透明导电层，以形成第一透明导电图案。
[0024]在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件的制造方法还包括在形成第一电极之前形成具有第二开口的第一绝缘层于第二半导体层上，且第一电极形成于第二开口中。
[0025]在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件的制造方法还包括在形成第二电极之前形成第二绝缘图案于发光图案及第二半导体图案的侧壁。
[0026]在本专利技术的一实施例中，上述的发光元件的制造方法还包括形成第二电极于第一半导体图案的第一侧，且第二电极不完全覆盖第一半导体图案。
[0027]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
[0028]图1A至图1Ib是本专利技术一实施例的发光元件10的制造方法的步骤流程的局部剖面示意图及局部俯视示意图；
[0029]图2是本专利技术一实施例的发光元件20的剖面示意图；
[0030]图3是本专利技术一实施例的发光元件30的剖面示意图；
[0031]图4是本专利技术一实施例的显示装置100的局部剖面示意图。
[0032]符号说明
[0033]10,20,30,40:发光元件
[0034]100:显示装置
[0035]110:生长基板
[0036]120:缓冲层
[0037]130:第一半导体图案
[0038]130
’
:第一半导体层
[0039]140:发光图案
[0040]140
’
:发光层
[0041]150:第二半导体图案
[0042]150
’
:第二半导体层
[0043]160:透明导电图案
[0044]160
’
:透明导电层
[0045]170:第一绝缘图案
[0046]170
’
:第一绝缘层
[0047]172:第二绝缘图案
[0048]180,180A,480:第一电极
[0049]190,190A,490:第二电极
[0050]192:部分
[0051]A
‑
A
’
:剖面线
[0052]CH:半导体层
[0053]CL:导线层
[0054]CS:电路基板
[0055]DE:漏极
[0056]DW:驱动电路层
[0057]GE:栅极
[0058]IL:绝缘层
[0059]L1,L2,L3,L3A:长度
[0060]LS:发光叠层
[0061]OE,OI,OL:开口
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包括：第一半导体图案，具有第一侧、第二侧、第三侧及第四侧，其中所述第一侧与所述第二侧相对，所述第三侧与所述第四侧相对，且所述第三侧及所述第四侧各自连接所述第一侧与所述第二侧；第二半导体图案，位于所述第一半导体图案的所述第二侧，且所述第二半导体图案的长度大于所述第一半导体图案的长度；发光图案，位于所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间；第一电极，位于所述第二半导体图案的远离所述第一半导体图案的一侧，且电连接所述第二半导体图案；以及第二电极，位于所述第一半导体图案的所述第三侧及所述第四侧，且电连接所述第一半导体图案。2.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第二电极环绕所述第一半导体图案。3.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第二电极实体接触所述第一半导体图案的所述第三侧及所述第四侧。4.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第一电极包括高反射率导电材料。5.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第一电极的长度为所述第二半导体图案的长度的20％至90％。6.如权利要求1所述的发光元件，其中所述第二电极还位于所述第一半导体图案的所述第一侧。7.如权利要求6所述的发光元件，其中所述第二电极具有第一开口，且所述第一开口露出所述第一半导体图案。8.如权利要求1所述的发光元件，还包括第一透明导电图案，位于所述第一电极与所述第二半导体图案之间。9.一种显示装置，包括：电路基板；以及多个如权利要求1至8中任一所述的发光元件，设置于所述电路基板上，且电连接所述电路基板。10.如权利要求9所述的显示装置，还包括第一接垫及第二接垫，其中所述第一电极电连接所述第一接垫，且所述第二电极通过第二透明导电层电连接所述第二接垫。11.如权利要求9所述的显示装置，还包括保护层，覆盖多个所述发光元件及所述第二透明导电层。12.一种发光元件的...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖启昇，许明祺，陈玠鸣，简伯儒，林彬成，廖达文，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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