试样支承体制造技术

本发明专利技术提供一种试样支承体，该试样支承体用于试样成分的电离，该试样支承体具备：基板，其具有第一表面及在第一表面开口的多个孔；以及导电层，其在第一表面上以不堵塞孔的方式设置，其中，导电层由多个纳米颗粒构成，且具有30nm以上的厚度。30nm以上的厚度。30nm以上的厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】试样支承体


[0001]本公开涉及试样支承体。

技术介绍

[0002]目前，在试样的质量分析中，已知有用于将试样的成分电离的试样支承体(例如，参照专利文献1)。这种试样支承体具备基板，该基板具有第一表面、位于第一表面的相反侧的第二表面、以及在第一表面及第二表面开口的多个贯通孔。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特许第6093492号公报

技术实现思路

[0006][专利技术所要解决的技术问题][0007]在上述那样的质量分析中，检测被电离的试样(试样离子)，基于该检测结果实施试样的质量分析。在这种质量分析中，期望提高灵敏度(信号强度)。
[0008]因此，本公开的一方面的目的在于，提供可进行高灵敏度的质量分析的试样支承体。
[0009][用于解决技术问题的技术方案][0010]本公开的一方面提供一种试样支承体，该试样支承体用于试样的成分的电离，该试样支承体具备：基板，其具有第一表面及在第一表面开口的多个孔；导电层，其在第一表面上以不堵塞孔的方式设置，导电层由多个纳米颗粒构成，且具有30nm以上的厚度。
[0011]该试样支承体具备：具有第一表面及在第一表面开口的多个孔的基板。由此，当试样的成分被导入多个孔时，成分停留于第一表面侧。进一步，当对导电层施加电压且对基板的第一表面照射激光等能量射线时，能量向第一表面侧的成分传递。通过该能量，成分被电离，由此，产生试样离子。在此，导电层由多个纳米颗粒构成，且具有30nm以上的厚度。由此，通过使导电层的表面具有作为纳米颗粒的性质，能够将导电层的表面设为适于试样成分的电离的状态。因此，根据该试样支承体，能够提高试样离子的信号强度，能够进行高灵敏度的质量分析。
[0012]也可以是，纳米颗粒堆积于第一表面、以及孔的内壁面上的第一表面侧的一部分。在该情况下，被导入到多个孔的试样的成分容易与纳米颗粒接触，因此，试样的成分更容易被电离。
[0013]纳米颗粒的平均粒径也可以为100nm以下。在该情况下，能够适当确保导电层的作为纳米颗粒的性质。
[0014]导电层也可以具有300nm以下的厚度。当导电层的厚度较大时，有时难以确保导电层的作为纳米颗粒的性质。通过将导电层的厚度设为300nm以下，能够更适当地确保导电层的作为纳米颗粒的性质。
[0015]多个孔的每一个孔的宽度也可以为50nm～400nm。在该情况下，能够使导入与多个孔的试样的成分适当地停留于基板的第一表面侧。
[0016]也可以是，多个孔沿着基板的厚度方向规则地延伸。在该情况下，能够使导入于多个孔的试样的成分在各个孔上停留于基板的第一表面。由此，能够使试样的成分适当地电离。
[0017]也可以是：基板具有位于第一表面的相反侧的第二表面，多个孔的每一个孔从第一表面到第二表面贯通基板。在该情况下，通过以试样支承体的第二表面与试样相对的方式将试样支承体配置于试样上，能够利用毛细管现象，使试样的成分从基板的第二表面侧经由多个孔朝向第一表面侧移动。由此，能够进行将构成试样的分子的二维分布图像化的成像质量分析。
[0018]导电层的厚度相对于孔间的间距之比也可以为0.5～1。在该情况下，通过基于孔间的间距设定导电层的厚度，能够适当地确保导电层的作为纳米颗粒的性质。
[0019]导电层的材料也可以为铂或金。在该情况下，能够容易得到适于确保作为纳米颗粒的性质的导电层。
[0020][专利技术效果][0021]根据本公开的一方面，能够提供能够进行高灵敏度的质量分析的试样支承体。
附图说明
[0022]图1是一实施方式的试样支承体的俯视图及截面图。
[0023]图2是图1所示的试样支承体的放大截面图。
[0024]图3是表示从图1所示的基板的厚度方向观察的该基板的放大图像的图。
[0025]图4是图2所示的基板的贯通孔的示意图、及导电层的纳米颗粒的示意图。
[0026]图5是表示从图2所示的试样支承体的厚度方向观察的导电层的放大图像的图。
[0027]图6是表示从与图2所示的试样支承体的厚度方向交叉的方向观察的导电层的放大图像的图。
[0028]图7是表示构成图2所示的试样支承体的导电层的纳米颗粒的粒径分布的图。
[0029]图8是表示使用了图1所示的试样支承体的质量分析方法的顺序的图。
[0030]图9是表示在使用了试样支承体的质量分析方法中由导电层的厚度产生的对信号强度的影响的图。
[0031]图10是变形例的试样支承体的截面图。
具体实施方式
[0032]以下，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。此外，在各图中，对相同或相当的部分标注相同符号，并省略重复的说明。
[0033][试样支承体的结构][0034]如图1的(a)、图1的(b)及图2所示，试样成分的电离中使用的试样支承体1具备基板2、框架3、以及导电层5。基板2例如呈长方形板状。基板2的一边的长度例如为数厘米程度。基板2的厚度例如为1μm～50μm。
[0035]基板2具有第一表面2a及第二表面2b以及多个孔2c。第二表面2b是位于第一表面
2a的相反侧的表面。多个孔2c中的每一个沿着基板2的厚度方向(与第一表面2a及第二表面2b垂直的方向)规则地延伸。具体而言，多个孔2c的每一个孔的轴线沿着厚度方向延伸，且相互大致平行。多个孔2c的每一个孔的轴线未相互交叉。在本实施方式中，多个孔2c中的每一个同样地(以均匀的分布)形成于基板2。多个孔2c的每一个孔从第一表面2a到第二表面2b贯通基板2。即，多个孔2c中的每一个在第一表面2a及第二表面2b中的每一面开口。
[0036]从基板2的厚度方向观察时的孔2c的形状例如为大致圆形。孔2c的宽度为50nm～400nm。在本实施方式中，孔2c的宽度为200nm程度。在从厚度方向观察时的孔2c的形状为大致圆形的情况下，孔2c的宽度是指孔2c的直径；在从厚度方向观察时的孔2c的形状为大致圆形以外的情况下，孔2c的宽度是指收纳于孔2c的假想中的最大圆柱的直径(有效直径)。在本实施方式中，各孔2c间的间距为260nm程度。在从厚度方向观察时的孔2c的形状为大致圆形的情况下，各孔2c间的间距是指该各圆的中心间距离；在从厚度方向观察时的孔2c的形状为大致圆形以外的情况下，各孔2c间的间距是指收纳于孔2c的假想中的最大圆柱的中心轴间距离。
[0037]孔2c的宽度是以如下方法取得的值。首先，获取基板2的第一表面2a及第二表面2b各自的图像。图3表示基板2的第一表面2a的一部分的扫描电子显微镜(SEM：Scanning Electron Microscope)图像的一例。在该SEM图像中，黑色的部分为孔2c，白色的部分为孔2c间的隔壁部。接着，通过对获取的第一表面2a的图像实施例如二进制处理，从而提取与测定区域R内的多个第一开口(孔2c的第一表面2a侧的开口)对应的多个像素组，基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种试样支承体，其中，该试样支承体用于试样成分的电离，该试样支承体具备：基板，其具有第一表面及在所述第一表面开口的多个孔；以及导电层，其在所述第一表面上以不堵塞所述孔的方式设置，所述导电层由多个纳米颗粒构成，且具有30nm以上的厚度。2.根据权利要求1所述的试样支承体，其中，所述纳米颗粒堆积于所述第一表面、及所述孔的内壁面上的所述第一表面侧的一部分。3.根据权利要求1或2所述的试样支承体，其中，所述纳米颗粒的平均粒径为100nm以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的试样支承体，其中，所述导电层具有300nm以下的厚度。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：田代晃，大村孝幸，小谷政弘，池田贵将，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：