一种热电器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种热电器件及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、在陶瓷下基底表面设置下电极层，在陶瓷下基底表面沉积阻隔墙，相邻阻隔墙之间设有预留空间；S2、遮挡阻隔墙，在预留空间中的下电极层表面沉积下阻隔层；S3、在下阻隔层表面交替喷墨打印P型热电材料墨水以及N型热电材料墨水，真空干燥、烘烤干燥固化，分别形成P型热电臂以及N型热电臂；S4、在P型热电臂和N型热电臂表面分别沉积上阻隔层；S5、在上阻隔层表面沉积上电极层；S6、在陶瓷上基底表面涂覆有机粘接层，粘接于上电极层上，即得；本发明专利技术用喷墨打印方式制备P型热电臂以及N型热电臂，减少工艺步骤，简化制备流程，提供工作效率，提升产品良品率，提高材料利用率。提高材料利用率。提高材料利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种热电器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及热电材料
，尤其涉及一种热电器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]热电制冷是一种基于帕尔贴效应，以热电器件为基础的半导体制冷方式。热电器件具有结构紧凑、无运动部件、冷却速度容易控制、无振动运行、温度控制精确、可反向加热和冷却等优点。近年来，随着热电制冷领域研究的不断深入，热电制冷装置在军事、航天、科研、微电子、光电器件等领域得到了较广泛应用。目前，热电器件采用切割、抛光、沉积、刷焊、固晶、回流焊等工艺制备，具有以下缺点：1、制备工艺比较复杂；2、工艺比较多且复杂，导致良率低，整体材料使用率低；3、采用摆模固晶贴片工艺，排列精度低，无法满足高精度Micro/Mini TEC器件工艺需求。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的缺陷，提供一种热电器件的制备方法。
[0004]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种热电器件的制备方法，包括以下步骤：
[0005]S1、取陶瓷下基底，在陶瓷下基底表面设置阵列排布的下电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热电器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、取陶瓷下基底，在陶瓷下基底表面设置阵列排布的下电极层，在所述陶瓷下基底表面沉积矩阵化排列的阻隔墙，相邻所述阻隔墙之间设有预留空间；S2、遮挡所述阻隔墙，在所述预留空间中的下电极层表面沉积下阻隔层；S3、在所述下阻隔层表面交替喷墨打印P型热电材料墨水以及N型热电材料墨水，然后真空干燥、烘烤干燥固化，分别形成P型热电臂以及N型热电臂；S4、在所述P型热电臂和所述N型热电臂表面分别沉积上阻隔层；S5、在所述上阻隔层表面沉积上电极层，所述上电极层与所述P型热电臂和所述N型热电臂形成串联；S6、取陶瓷上基底并在表面涂覆有机粘接层，将陶瓷上基底粘接于所述上电极层上，即得热电器件。2.根据权利要求1所述的热电器件的制备方法，其特征在于，在S1步骤中，所述阻隔墙采用SiC、AlN中的至少一种材料沉积形成，沉积厚度为0.5mm～1.0mm。3.根据权利要求1所述的热电器件的制备方法，其特征在于，在S2步骤中，所述下阻隔层采用镍合金沉积形成，沉积厚度为0.05mm～0.1mm。4.根据权利要求1所述的热电器件的制备方法，其特征在于，在S3步骤中，所述P型热电材料墨水的打印厚度为0.25mm～0.75mm，所述N型热电材料墨水的打印厚度为0.25mm～0.75mm。5.根据权利要求1所述的热电器件的制备方法，其特征在于，在S3步骤中，所述P型热电材料墨水包括以下质量百分比的组分：10～30％Bi2Te3基P型热电材料、20～60％分散剂、余量为溶剂；所述N型热电材料墨水包括以下质量百分比的组分：10～30％Bi2Te3基N型热电材料、20～60％分散剂、余量为溶剂。6.根据权利要求5所述的热电器件的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：段少锋，施翊璇，汤弢，
申请(专利权)人：纯钧新材料深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：