温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种热电器件及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、在陶瓷下基底表面设置下电极层，在陶瓷下基底表面沉积阻隔墙，相邻阻隔墙之间设有预留空间；S2、遮挡阻隔墙，在预留空间中的下电极层表面沉积下阻隔层；S3、在下阻隔层表面交替喷墨打...
该专利属于纯钧新材料（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过纯钧新材料（深圳）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。