【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2006年3月23日、申请号为200610067926.8、题为"图 案形成方法，有机场效应晶体管的制造方法，以及柔性印刷电路板的制造方法" 的专利技术专利申请的分案申请。相关申请的对照本专利技术包含了关于2005年3月23日在日本专利局提交的日本专利申请 JP2005-083456的主题，其整体结合在此作为参考。
技术介绍
本专利技术涉及图案形成方法，有机场效应晶体管的制造方法，以及柔性印刷电 路板的制造方法。包括当前许多电子装置中使用的薄膜晶体管(TFT)的场效应晶体管(FET) 例如包括硅半导体基片或硅半导体层上形成的沟道形成区和源极/漏极区，硅半导 体基片表面或硅半导体层表面上形成的Si02的栅极绝缘层，以及通过栅极绝缘层 与沟道形成区相对设置的栅电极。或者，场效应晶体管包括支架上形成的栅电极， 包括栅电极上的区域在内的支架上形成的栅极绝缘层，以及沟道形成区和形成于栅 极绝缘层上的源/漏电极。在具有这些结构的场效应晶体管的制造中，使用非常昂 贵的制造设备用于制造半导体装置，而又急需降低制造成本。考虑到以上问题，近些年，已关注于使用有机半导体材料并...
【技术保护点】
一种图案形成方法，其中在用于施涂涂布液体的喷嘴被设置于基片的下侧上且润湿性被控制的基片表面面朝下的情况下，所述喷嘴和所述基片相对移动，以便将所述涂布液体施涂于所述基片的期望区域，此后使所述涂布液体干燥以获得干燥的涂布层， 其中，所述基片具备凹凸结构，它具有作为所述期望区域的凹入部分和凸出部分，从而控制所述基片的表面的润湿性，以及 所述涂布液体被施涂于所述凹入部分。
【技术特征摘要】
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