光子晶体面射型激光装置及光学系统制造方法及图纸

技术编号:37441460 阅读:22 留言:0更新日期:2023-05-06 09:13
本申请提供一种光子晶体面射型激光装置,包括:光发射模块以及驱动模块。光发射模块包括:光子晶体层;位于所述光子晶体层一侧之主动发光层;第一电极,位于所述主动发光层远离所述光子晶体层之一侧;以及第二电极,至少部分位于所述主动发光层远离所述光子晶体层之一侧。驱动模块分别与所述第一电极及所述第二电极远离所述光子晶体层之表面电接触,用于输出驱动信号至所述第一电极及所述第二电极,以驱动所述主动发光层产生光子,所述光子入射至所述光子晶体层发生布拉格衍射振荡以产生激光。本申请还提供一种光学系统。本申请还提供一种光学系统。本申请还提供一种光学系统。

【技术实现步骤摘要】
光子晶体面射型激光装置及光学系统


[0001]本申请涉及光学探测
,尤其涉及一种光子晶体面射型激光装置及应用该光子晶体面射型激光装置之光学系统。

技术介绍

[0002]光子晶体面射型激光(Photonic Crystal Surface

Emitting Laser,PCSEL)具备光束品质优良、体积小、能耗低、易整合、可靠性高等优点,可被广泛应用于三维感测系统、消费性电子装置、汽车光达、智慧装置、医疗健康装置等光学系统。
[0003]现有PCSEL主体结构包括一至少100微米厚之磊晶基板,用以维持机械强度,以避免PCSEL中晶片破裂。在高电流注入时,PCSEL中之主动发光层在电致发光过程中将产生大量热量,该热量通过该磊晶基板与PCSEL之封装材料转移。但是,磊晶基板使得散热路径较长,散热效能低落,PCSEL光输出功率无法获得提升且寿命减短。现有PCSEL具有发光区,需在发光区周围预留电极走线区域,该电极打线区域面积为该发光区域面积之数倍,造成该磊晶基板面积浪费,增加该封装材料成本。该电极打线区域还易衍生出寄生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光子晶体面射型激光装置,其特征在于,包括:光发射模块,包括:光子晶体层;主动发光层,位于所述光子晶体层之一侧;第一电极,位于所述主动发光层远离所述光子晶体层之一侧;以及第二电极,至少部分位于所述主动发光层远离所述光子晶体层之一侧;以及驱动模块,分别与所述第一电极及所述第二电极远离所述光子晶体层之表面电接触,用于输出驱动信号至所述第一电极及所述第二电极,以驱动所述主动发光层产生光子,所述光子入射至所述光子晶体层发生布拉格衍射振荡以产生激光。2.如权利要求1所述之光子晶体面射型激光装置,其特征在于,所述第二电极包括相互电连接之第一导电部和第二导电部;所述第一导电部位于所述主动发光层远离所述光子晶体层之一侧,所述第二导电部沿所述第一导电部之外缘朝向所述光子晶体层方向延伸,所述第二导电部为包括一中空空间之筒状结构,所述光子晶体层及所述主动发光层位于所述中空空间内。3.如权利要求2所述之光子晶体面射型激光装置,其特征在于,所述光发射模块还包括透明导电层,所述透明导电层位于所述光子晶体层远离所述主动发光层之一侧,并位于所述中空空间内;所述第二电极之第二导电部靠近所述光子晶体层之一端与所述透明导电层电接触。4.如权利要求2所述之光子晶体面射型激光装置,其特征在于,所述第一电极包括第三导电部,所述第三导电部在所述主动发光层上之正投影完全覆盖所述光子晶体层在所述主动发光层上之正投影。5.如权利要求4所述之光子晶体面射...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭浩中洪国彬陈仕诚曾国峰蓝子翔
申请(专利权)人:鸿海精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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