半导体结构及其制作方法技术

一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底(10)，基底内具有多条并排设置的条状沟槽(101)；以及位于条状沟槽的底壁、侧壁以及条状沟槽外的基底上的异质结结构(11)，位于底壁与条状沟槽外的基底上的异质结结构为极化区，位于侧壁的异质结结构为非极化区，极化区内具有载流子；异质结结构包括分别位于每条条状沟槽两端的源极区域(11a)与漏极区域(11b)，以及位于源极区域与所述漏极区域之间的栅极区域(11c)，源极区域与漏极区域之间的载流子被限定在各条极化区内流动。载流子被限定在各条极化区内流动。载流子被限定在各条极化区内流动。载流子被限定在各条极化区内流动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：