一种紫外灯珠封装结构制造技术

技术编号:37432266 阅读:22 留言:0更新日期:2023-04-30 09:53
本实用新型专利技术公开了一种封装结构,属于LED封装技术领域,具体涉及一种紫外灯珠封装结构,本实用新型专利技术所述基板的封装面和背面均设有第一金属层和第二金属层,所述第一金属层设于所述基板和第二金属层之间;所述第一金属层和所述第二金属层的电极区域均包括正极电极区域和负极电极区域;所述基板背面第二金属层的正极电极区域和负极电极区域之间设有阻焊层,从而本实用新型专利技术使用时不需要考虑散热区域,可以简化使用场景的设计,此外更具有通用性同样的基板面积,可以减少一阻焊层面积,增大散热面积。面积。面积。

【技术实现步骤摘要】
一种紫外灯珠封装结构


[0001]本技术属于LED封装
,具体涉及一种紫外灯珠封装结构。

技术介绍

[0002]热电分离基板产品在使用时,客户要针对基板进行特殊设计,通用性不好。其中散热区域对客户端使用的焊接基板有一定的要求,否则无法挥发高散热能力:例如客户焊接对接面需要高导热材料或金属等(如图1所示)。这些严格要求了客户端的设计,造成需要特定的设计。

技术实现思路

[0003]技术目的:提供一种紫外灯珠封装结构,解决上述提到的问题。
[0004]技术方案:一种紫外灯珠封装结构,所述基板的封装面和背面均设有第一金属层和第二金属层,所述第一金属层设于所述基板和第二金属层之间;
[0005]所述第一金属层和所述第二金属层的电极区域均包括正极电极区域和负极电极区域;
[0006]所述基板背面第一金属层和第二金属层的正极电极区域和负极电极区域之间设有阻焊层。
[0007]在进一步的实施例中,所述基板封装面上的所述第一金属层的电极区域上设有齐纳芯片、且所述第二金属层的电极区域上设有UVC芯片,所述第二金属层通过其外围区域密封安装有石英透镜,所述石英透镜与所述UVC芯片、所述齐纳芯片间填充有抗UVC特性的填充;将齐纳芯片放置于封装面的所述第一金属层的电极区域,将UVC芯片放置于封装面的所述第二金属层的电极区域,然后再通过金锡共品的方式进行芯片于金属层上的共品焊接,实现芯片于金属层上的固定,并将芯片的正负极与金属层连接。
[0008]在进一步的实施例中,所述基板封装面的所述第一金属层还具有环绕其电极区域的外围区域,所述第二金属层的电极区域的高度大于等于其外围区域和所述齐纳芯片的高度。
[0009]在进一步的实施例中,所述石英透镜与所述基板封装面上的第二金属层外围区域通过胶液连接。
[0010]在进一步的实施例中,所述基板封装面和背面的第一金属层的正极电极区域和负极电极区域均通过通孔相对应连接;通过通孔使得第一金属层的正极电极区域和负极电极区域联通。
[0011]在进一步的实施例中,所述基板封装面的所述第一金属层的正极电极区域开设有电极识别缺口,电极识别缺口可以更好方便第一金属层的焊接,防止电极焊接错误。
[0012]在进一步的实施例中,所述齐纳芯片分别连接于所述基板封装面上的所述第一金属层的正极电极区域和负极电极区域之间;
[0013]所述UVC芯片分别连接于所述基板封装面上的所述第二金属层的正极电极区域和
负极电极区域之间。有益效果:本技术公开了一种封装结构,属于LED封装
,具体涉及一种紫外灯珠封装结构,本技术所述基板的封装面和背面均设有第一金属层和第二金属层,所述第一金属层设于所述基板和第二金属层之间;所述第一金属层和所述第二金属层的电极区域均包括正极电极区域和负极电极区域;所述基板背面第二金属层的正极电极区域和负极电极区域之间设有阻焊层,从而本技术使用时不需要考虑散热区域,可以简化使用场景的设计,此外更具有通用性;同样的基板面积,可以减少一阻焊层面积,增大散热面积。
附图说明
[0014]图1是现有技术中的热电分离基板散热区域示意图。
[0015]图2是本技术的基板阻焊层示意图。
[0016]图3是本技术的紫外灯珠封装结构示意图。
[0017]图4是本技术的紫外灯珠封装结构示意图。
[0018]图5是本技术的紫外灯珠封装结构主视图。
[0019]图6是本技术的紫外灯珠封装结构剖视图。
[0020]图7是本技术的紫外灯珠封装结构轴测图。
[0021]附图标记:基板1、第一金属层2、第二金属层3、阻焊层4、齐纳芯片5、UVC芯片6、胶液7、石英透镜8、填充剂9、正极电极区域10、负极电极区域11、电极识别缺口201、通孔12。
具体实施方式
[0022]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0023]在本技术的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0024]在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。此外,下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0025]如图1所示,为现有技术中热电分离基板散热区域示意图,其是所述基板背面第一金属层和第二金属层的P电极区域和N电极区域之间还设有散热区域,所述基板背面的P电极区域、N电极区域与所述散热区域间均设有阻焊层,这样会导致通用性不好。其中散热区域对客户端使用的焊接基板有一定的要求,否则无法挥发高散热能力。
[0026]本技术提出一种紫外灯珠封装结构,包括:基板1、第一金属层2、第二金属层3、阻焊层4、齐纳芯片5、UVC芯片6、胶液7、石英透镜8、填充剂9。
[0027]在一个实施例中,如图2至图4所示,所述基板1的封装面和背面均设有第一金属层2和第二金属层3,所述第一金属层2设于所述基板1和第二金属层3之间;
[0028]所述第一金属层2和所述第二金属层3的电极区域均包括正极电极区域10和负极电极区域11;
[0029]所述基板1背面第一金属层2和第二金属层3的正极电极区域10和负极电极区域11之间设有阻焊层4。
[0030]在一个实施例中,如图2至图4所示,所述基板1封装面上的所述第一金属层2的电极区域上设有齐纳芯片5、且所述第二金属层3的电极区域上设有UVC芯片6,所述第二金属层3通过其外围区域密封安装有石英透镜8,所述石英透镜8与所述UVC芯片6、所述齐纳芯片5间填充有抗UVC特性的填充剂9。
[0031]在一个实施例中,如图2至图4所示,所述基板1封装面的所述第一金属层2还具有环绕其电极区域的外围区域,所述第二金属层3的电极区域的高度大于等于其外围区域和所述齐纳芯片5的高度。
[0032]在一个实施例中,如图2至图4所示,所述石英透镜8与所述基板1封装面上的第二金属层3本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种紫外灯珠封装结构,其特征在于,包括:基板;所述基板的封装面和背面均设有第一金属层和第二金属层,所述第一金属层设于所述基板和第二金属层之间;所述第一金属层和所述第二金属层的电极区域均包括正极电极区域和负极电极区域;所述基板背面第一金属层和第二金属层的正极电极区域和负极电极区域之间设有阻焊层。2.根据权利要求1所述一种紫外灯珠封装结构,其特征在于,所述基板封装面上的所述第一金属层的电极区域上设有齐纳芯片、且所述第二金属层的电极区域上设有UVC芯片,所述第二金属层通过其外围区域密封安装有石英透镜,所述石英透镜与所述UVC芯片、所述齐纳芯片间填充有抗UVC特性的填充剂。3.根据权利要求2所述一种紫外灯珠封装结构,其特征在于,所述基板封装面的所述第一金属层还具有环绕其电极区域的外围区域,...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩奎邓群雄郭文平
申请(专利权)人:元旭半导体科技无锡有限公司
类型:新型
国别省市:

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