一种石墨烯导电薄膜制备工艺制造技术

本发明专利技术涉及石墨烯导电薄膜加工，更具体的说是一种石墨烯导电薄膜制备工艺，包括以下步骤：步骤一：取片状铜箔通过石墨烯导电薄膜制备装置水平运输；步骤二：铜箔上待加工位置到达加工点停止水平运输；步骤三：通过冲压的方式使铜箔上形成凹凸面，随后对铜箔进行清洗；步骤四：采用金属基底化学气相沉积法制备铜基的石墨烯导电薄膜。目的是使基材能够贴附在异性结构上。性结构上。性结构上。

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯导电薄膜制备工艺


[0001]本专利技术涉及石墨烯导电薄膜加工，更具体的说是一种石墨烯导电薄膜制备工艺。

技术介绍

[0002]铜基的复合材料导电性往往会降低，而石墨烯是一种单原子层的二维纳米材料，是室温条件下优异的导电材料，被认为是理想的铜基复合材料增强体。常见的加工方式是金属基底化学气相沉积法，包括通过CVD系统以可控的方式输送气相反应物，提供密封的反应室，气体的排出和反应压力的控制，为化学反应提供能源，最后对废气进行处理，最后实现沉积；其过程为将反应气体输送到反应器中，直接扩散通过边界层和吸附到铜基上；或通过气相反应形成中间反应物和副产物，并通过扩散和吸附沉积在基材上。在形成薄膜或涂层之前，表面扩散和异质反应发生在基材表面上。最后，副产物和未反应的物质从表面解吸，并作为废气被迫从反应器中排出。其基材往往为单一的延伸结构，不适合附着在异形结构上。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种石墨烯导电薄膜制备工艺，目的是使基材能够贴附在异性结构上。
[0004]上述目的通过以下技术方案来实现：
[0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯导电薄膜制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：取片状铜箔通过石墨烯导电薄膜制备装置水平运输；步骤二：铜箔上待加工位置到达加工点停止水平运输；步骤三：通过冲压的方式使铜箔上形成凹凸面；步骤四：采用金属基底化学气相沉积法制备铜基的石墨烯导电薄膜。2.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电薄膜制备工艺，所述步骤一中，片状铜箔通过成卷铜箔延展后进行切割获得。3.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电薄膜制备工艺，所述步骤三中，所述冲压时铜箔底部具有模具。4.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电薄膜制备工艺，所述石墨烯导电薄膜制备装置包括带式运输机，设置在带式运输机上方的冲压机构。5.根据权利要求4所述的一种石墨烯导电薄膜制备工艺，所述带式运输机包括支撑架Ⅰ(11),四个水平线性分布且均转动连接在支撑架Ⅰ(11)的辊子Ⅰ(12)，以及两个一上一下分布均转动连接在支撑架Ⅰ(11)上的辊子Ⅱ(13)，两个辊子Ⅱ(13)位于四个辊子Ⅰ(12)之间，且辊子Ⅱ(13)低于辊子Ⅰ(12)，辊子Ⅰ(12)和辊子Ⅱ(13)二者的前后两侧均套设有输送带(15)，两个输送带(15)之间具有间距，输送带(15)上端的左右两侧为水平端面，输送带(15)上端的中心位于两个辊子Ⅱ(13)之间用于形成放置槽，辊子Ⅰ(12)和辊子Ⅱ(13)通过电机Ⅰ驱动实现转动。6.根据权利要求5所述的一种石墨烯导电薄膜制备工艺，所述冲压机构包括位于所述放置槽内的下模具(33)，以及设置在下模具(33)上方的上模具(41)，以及驱动下模具(33)升降的升降机构Ⅰ，以及驱动下模具(33)升降的升降机构Ⅱ。7.根据权利要求6所述的一种石墨烯导电薄膜制备工艺，所述所述石墨烯导电薄膜制备装置还包括辊子机构；其中，所述辊子机构包括基座Ⅰ(51...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈巧所，
申请(专利权)人：陈巧所，
类型：发明
国别省市：