使用大气等离子体的斜面蚀刻器制造技术

一种蚀刻衬底斜面边缘的方法。该方法包括在薄膜已经沉积在衬底的顶表面上之后，提供具有斜面边缘的衬底，并围绕其中心轴线旋转衬底。该方法还包括，在旋转过程中，通过将大气等离子体流引导到斜面边缘上来蚀刻斜面边缘。该大气等离子体流平行于衬底的顶表面，比如正交于包含被大气等离子体蚀刻的斜面边缘区域的平面，该大气等离子体可以是O2大气等离子体。在与衬底外径间隔开的半径处，执行蚀刻而不损失顶表面上的薄膜厚度。衬底可以是硅(Si)晶片，薄膜可以是碳膜、无定形碳、SiC、SiO或SiN。SiO或SiN。SiO或SiN。

【技术实现步骤摘要】
使用大气等离子体的斜面蚀刻器


[0001]本专利技术总体涉及半导体制造和用于执行制造的相应系统，更具体地，涉及用于等离子体沉积设备或系统中的斜面蚀刻器，比如适用于等离子体化学气相沉积(CVD)和/或等离子体原子层沉积(ALD)的设备或系统，其可操作以在衬底(例如晶片)上形成膜。

技术介绍

[0002]在半导体工业中，集成电路由衬底或晶片形成，在衬底或晶片上形成有图案化的微电子层。在沉积设备或系统中处理衬底时，经常使用等离子体在衬底上沉积材料或膜，并蚀刻沉积在衬底上的部分薄膜。例如，等离子体或等离子体增强CVD(可以标记为等离子体CVD或PECVD)被广泛用于制造半导体结构。一般而言，“化学气相沉积”(CVD)可以指其中衬底(例如晶片)暴露于一种或多种挥发性前体的任何过程，所述挥发性前体在衬底表面上反应和/或分解以产生期望的沉积。
[0003]等离子体或等离子体增强CVD(或PECVD)在整个半导体工业中很常见。在相同的沉积系统(例如多室沉积组件或工具)中，可以利用等离子体或等离子体增强原子层沉积(ALD)(或PEALD)，其像热ALD一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻衬底的斜面边缘的方法，包括：在薄膜已经沉积在衬底的顶表面上之后，提供具有斜面边缘的衬底；围绕中心轴线旋转衬底；以及在旋转期间，通过将大气等离子体流引导到斜面边缘上来蚀刻斜面边缘。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述大气等离子体流平行于所述衬底的顶表面。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述大气等离子体流正交于包含被大气等离子体蚀刻的斜面边缘的区域的平面。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述大气等离子体包括O2大气等离子体。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述旋转包括以10至500RPM范围内的旋转速率旋转所述衬底。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，在与所述衬底的外径间隔小于5mm的半径处，在不损失所述顶表面上的薄膜的厚度的情况下进行蚀刻。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的方法，其中，所述衬底包括硅(Si)晶片，并且其中，所述薄膜包括碳膜、无定形碳、SiC、SiO和SiN中的至少一种。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述提供步骤包括将所述衬底定位在可操作以执行所述旋转步骤的旋转机构上，并且其中，所述旋转机构包括凹口对准器、晶片冷却台或旋转台。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述旋转机构位于等离子体沉积系统的空间中，所述空间在等离子体沉积系统的操作期间保持在大气压下。10.一种斜面蚀刻器设备，包括：室；旋转机构，其适于支撑晶片并围绕中心轴线旋转晶片；以及具有输出大气等离子体的喷嘴的大气等离子体单元，其中，喷嘴在室中定向，以在通过旋转机构旋转期间向晶片的外边缘提供大气等离子体的横流。11.根据权利要求10所述的设备，其中，在所述旋转机构和大气压等离子体单元的操作期间，所述室保持在大气压下。12.根据权利要求10或11所述的设备，其中，所述喷嘴配置为提供所述大气等离子体作为平面片或尖头，并且其中，所述横流被定向为使得平面片正...

【专利技术属性】
技术研发人员：须佐圭雄，菊地良幸，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：