一种硼氮化合物及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种硼氮化合物及其制备方法和应用，所述硼氮化合物具有通式I所示的结构。本发明专利技术的提供的硼氮化合物引入弱推电子或拉电子的大位阻线型基团，在保证共振单元蓝光发射的同时，降低浓度淬灭效应并降低其折射率，从而获得更高的水平取向因子以及电致发光效率。由此制备的有机电致发光器件实现了窄光谱TADF发射，并且使得磷光敏化器件的电致发光外量子效率高达20%以上，三线态

【技术实现步骤摘要】
一种硼氮化合物及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及有机电致发光
，尤其涉及一种硼氮化合物及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]有机光电材料（Organic Optoelectronic Materials）是一类具有光子和电子的产生、转换和传输等特性的有机材料。目前，有机光电材料可控的光电性能已经应用于有机发光二极管（Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED）、有机太阳能电池（OrganicPhotovoltage，OPV）、有机场效应晶体管（OrganicField Effect Transistor，OFET），甚至是有机激光器。近年来，OLED成为国内外非常热门的新型平面显示器产品。OLED显示器具有自发光、广视角、短反应时间、高发光效率、广色域、低工作电压、面板薄、可制作大尺寸可挠曲的面板且成本低的特点，被誉为21世纪的明星平面显示产品。
[0003]关于有机电致发光的历史，可以追溯到1953年Bernanose等的报道（Papkovski D.B. Sens.本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硼氮化合物，其特征在于，所述硼氮化合物具有通式I所示的结构：式I；其中：R1选自H、氘、C1~C16烷基、C6~C30芳基或C5~C30杂芳基；R2选自具有弱推电子或拉电子的大位阻线型基团；R3选自H、氘、氟、C1~C20烷基、C1~C20烷氧基、C3~C10环烷基、C6~C14芳基、被一个或多个R
a
取代的C6~C14芳基、5~18元杂芳基、被一个或多个R
a
取代的5~18元杂芳基、二苯胺基、被一个或多个R
a
取代的二苯胺基、三苯胺基、被一个或多个R
a
取代的三苯胺基、咔唑基、或者被一个或多个R
a
取代的咔唑基；R
a
每次出现时独立地为氘、氟、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C3~C10环烷基、C6~C14芳基、被一个或多个R
b
取代的C6~C14芳基、5~18元杂芳基、被一个或多个R
b
取代的5~18元杂芳基、二苯胺基、被一个或多个R
b
取代的二苯胺基，三苯胺基、被一个或多个R
b
取代的三苯胺基、咔唑基、或者被一个或多个R
b
取代的咔唑基；R
b
每次出现时独立地为氘、氟、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C3~C10环烷基、C6~C14芳基、被一个或多个R
c
取代的C6~C14芳基、5~18元杂芳基、被一个或多个R
c
取代的5~18元杂芳基、二苯胺基、被一个或多个R
c
取代的二苯胺基、三苯胺基、被一个或多个R
c
取代的三苯胺基、咔唑基、或者被一个或多个R
c
取代的咔唑基；R
c
每次出现时独立地为氘、氟、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C3~C10环烷基、C6~C14芳基、被一个或多个R
d
取代的C6~C14芳基、5~18元杂芳基、被一个或多个R
d
取代的5~18元杂芳基、二苯胺基、被一个或多个R
d
取代的二苯胺基、三苯胺基、被一个或多个R
d
取代的三苯胺基、咔唑基、或者被一个或多个R
d
取代的咔唑基；R
d
每次出现时独立地为氘、氟、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C3~C10环烷基、C6~C14芳基或者被一个或多个R
e
取代的C6~C14芳基；R
e
每次出现时独立地为氘、氟、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C3~C10环烷基、或者C6~C14芳基；上述所述烷基、烷氧基、环烷基、芳基、杂芳基任选取代有一个或多个选自以下的取代基：卤素、C1~C12烷基、C1~C12烷氧基、C1~C12卤代烷基、C2~C6烯基、C3~C10环烷基、C6~C14芳基或5~18元杂芳基。
2.根据权利要求1所述的硼氮化合物，其特征在于，所述R2选自、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、、

【专利技术属性】
技术研发人员：梁宝炎，毕海，庄旭鸣，宋小贤，王悦，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：