一种电源浪涌抑制电路及其控制方法、电子设备技术

本发明专利技术涉及电源电路技术领域，尤其涉及一种电源浪涌抑制电路及其控制方法、电子设备，包括：电源电路模块、负载电路模块以及连接在所述电源电路模块与所述负载电路模块之间的控制电路模块，所述控制电路模块包括浪涌抑制主电路模块和主电流回路模块。本发明专利技术通过浪涌抑制主电路模块实现浪涌电流的抑制，解决了传统的浪涌电流抑制电路无法适用于负载功率较大的电源电路，且功耗较大、安全性差的问题，可适用于高功率负载，且降低了电源浪涌抑制电路的功率损耗和硬件成本。的功率损耗和硬件成本。的功率损耗和硬件成本。

【技术实现步骤摘要】
一种电源浪涌抑制电路及其控制方法、电子设备


[0001]本专利技术涉及电源电路
，尤其涉及一种电源浪涌抑制电路及其控制方法、电子设备。

技术介绍

[0002]目前，在电源电路设计时，直流电源的输入端一般都会存在输入电容，根据功率等级以及电源拓扑结构的不同，输入电容有数微法至数百微法不等，当电源电路接入电源或者电池瞬间，直流电源会给后级的输入电容充电，此时，由于充电回路阻抗较低(无限流设计时)，因此会产生很大的浪涌电流，远高于要求的规格值，比如：当输入电容为100uF时，输入电源标压12V，在回路导线阻抗约为10mΩ时，浪涌电流最大峰值可达100A，但实际峰值是否达到理论峰值，需要根据电源参数或者电池本身特性分析，并且浪涌电流的危害较大，可能会造成电压尖峰，从而导致电源输入端过压，剧烈的电流变化对电路EMC(电磁兼容性)性能评估也有很大影响，为了抑制浪涌电流，目前采用的现有技术主要包括以下两种：
[0003](1)在电容输入端串联较大功率的电阻，抑制浪涌电流，具体如图1所示，浪涌电流最大约为1.8A，当电容充满后，正常带载后，电阻分压约为0.335mV，功耗为0.017W，然而，此种方案适用于负载功率较小的电源电路，比如：50mA，而且通电后会一直存在功耗，功耗较大。
[0004](2)在主回路内串联自恢复保险丝，在电流较大时，阻值变大，从而达到抑制浪涌电流的作用，此方案也是适用于负载功率较小的电源电路，通电后会一直存在功耗，而且当达到安培级别时，可恢复保险丝会发热严重，存在失效风险，安全性不足。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种电源浪涌抑制电路及其控制方法、电子设备，解决的技术问题是，传统的浪涌电流抑制电路无法适用于负载功率较大的电源电路，且功耗较大、安全性差。
[0006]为解决以上技术问题，本专利技术提供了一种电源浪涌抑制电路及其控制方法、电子设备。
[0007]第一方面，本专利技术提供了一种电源浪涌抑制电路，包括：电源电路模块、负载电路模块以及连接在所述电源电路模块与所述负载电路模块之间的控制电路模块，所述控制电路模块包括浪涌抑制主电路模块和主电流回路模块；其中，所述主电流回路模块包括第一MOS管，所述浪涌抑制主电路模块包括第一电阻和第二MOS管；
[0008]所述电源电路模块的输出端通过第一MOS管连接所述负载电路模块；所述电源电路模块的输出端还通过所述第一电阻连接所述第二MOS管的源极，所述第二MOS管的漏极连接所述负载电路模块；
[0009]所述第一电阻，用于在所述电源电路模块上电时，抑制上电浪涌电流；
[0010]所述控制电路模块，用于根据电源电路模块的输出电压和预设电压阈值，确定电
路工作模式，并在确定所述电路工作模式为浪涌抑制模式时，控制浪涌抑制主电路模块对电源电路模块中的浪涌电流进行抑制。
[0011]在进一步的实施方案中，所述浪涌抑制主电路模块还包括第二至第六电阻、第一三极管、第一稳压管、第二稳压管和第二三极管；
[0012]所述第一三极管的漏极通过第二电阻连接所述第一MOS管的栅极，所述第一三极管的源极接地，所述第一三极管的栅极通过第三电阻连接所述第一稳压管的正极，所述第一三极管的栅极和源极之间并联有第四电阻；所述第一稳压管的负极连接在所述第一电阻与第一MOS管的共同端；
[0013]所述第二三极管的源极连接在所述第一电阻与所述第二MOS管的源极之间，所述第二三极管的漏极通过第五电阻接地，所述第二三极管的栅极通过串联连接的第二稳压管和第六电阻接地；
[0014]所述第二MOS管的栅极通过第五电阻接地。
[0015]在进一步的实施方案中，所述主电流回路模块还包括并联设置在所述第一MOS管的源极和栅极之间的第七电阻。
[0016]在进一步的实施方案中，所述负载电路模块包括输入电容；
[0017]所述输入电容的一端连接所述负载电路模块的负载输入端，另一端接地。
[0018]在进一步的实施方案中，所述第一电阻包括功率电阻和可恢复保险丝。
[0019]在进一步的实施方案中，所述预设电压阈值根据第一稳压管或者第二稳压管的稳压值确定。
[0020]在进一步的实施方案中，所述负载电路模块还包括第八电阻和第九电阻；其中，所述第八电阻与所述第九电阻串联后并联于所述输入电容的两端。
[0021]在进一步的实施方案中，所述浪涌抑制主电路模块还包括MCU芯片、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻和第三MOS；
[0022]所述MCU芯片的IO输入端连接于所述第八电阻与所述第九电阻的共同端；所述MCU芯片的第一IO控制端通过第三电阻连接所述第一三极管的栅极；所述MCU芯片的第二IO控制端通过第十一电阻连接所述第三MOS管的栅极；
[0023]所述第三MOS管的漏极通过第十电阻连接第二三极管的栅极，所述第三MOS管的源极接地，所述第三MOS管的栅极与源极之间并联有第十二电阻。
[0024]第二方面，本专利技术提供了一种电子设备，包括上述的电源浪涌抑制电路。
[0025]第三方面，本专利技术提供了一种电源浪涌抑制电路的控制方法，应用上述的电源浪涌抑制电路，所述方法包括以下步骤：
[0026]在电源电路模块上电时，若所述电源电路模块的输出电压小于预设电压阈值，则判断电路工作模式为浪涌抑制模式，控制第二MOS管导通、第一MOS管截止，使得电流经过第一电阻流入负载电路模块，以抑制浪涌电流；
[0027]若所述电源电路模块的输出电压不小于预设电压阈值，则判断电路工作模式为正常工作模式，控制第二MOS管截止、第一MOS管导通，使得电路正常工作。
[0028]本专利技术提供了一种电源浪涌抑制电路及其控制方法、电子设备，所述电源浪涌抑制电路包括电源电路模块、负载电路模块以及连接在所述电源电路模块与所述负载电路模块之间的控制电路模块，所述控制电路模块包括浪涌抑制主电路模块和主电流回路模块，
以通过浪涌抑制主电路模块抑制浪涌电流。与现有技术相比，该电路不仅抑制浪涌电流，而且能够适用于负载功率较大的电源电路，且功耗较小、安全性高。
附图说明
[0029]图1是本专利技术
技术介绍
提供的传统浪涌抑制电路示意图；
[0030]图2是本专利技术一实施例提供的电源浪涌抑制电路结构示意图；
[0031]图3是本专利技术另一实施例提供的电源浪涌抑制电路结构示意图。
具体实施方式
[0032]下面结合附图具体阐明本专利技术的实施方式，实施例的给出仅仅是为了说明目的，并不能理解为对本专利技术的限定，包括附图仅供参考和说明使用，不构成对本专利技术专利保护范围的限制，因为在不脱离本专利技术精神和范围基础上，可以对本专利技术进行许多改变。
[0033]参考图2，本专利技术实施例提供了一种电源浪涌抑制电路，如图2所示，该电源浪涌抑制电路包括：电源电路模块、负载电路模块以及连接在所述电源电路模块与所述负载电路模块之间的控制电路模块，所述控制电路模块包括浪涌抑制主电路模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源浪涌抑制电路，其特征在于，包括：电源电路模块、负载电路模块以及连接在所述电源电路模块与所述负载电路模块之间的控制电路模块，所述控制电路模块包括浪涌抑制主电路模块和主电流回路模块；其中，所述主电流回路模块包括第一MOS管，所述浪涌抑制主电路模块包括第一电阻和第二MOS管；所述电源电路模块的输出端通过第一MOS管连接所述负载电路模块；所述电源电路模块的输出端还通过所述第一电阻连接所述第二MOS管的源极，所述第二MOS管的漏极连接所述负载电路模块；所述第一电阻，用于在所述电源电路模块上电时，抑制上电浪涌电流；所述控制电路模块，用于根据电源电路模块的输出电压和预设电压阈值，确定电路工作模式，并在确定所述电路工作模式为浪涌抑制模式时，控制浪涌抑制主电路模块对电源电路模块中的浪涌电流进行抑制。2.如权利要求1所述的一种电源浪涌抑制电路，其特征在于：所述浪涌抑制主电路模块还包括第二至第六电阻、第一三极管、第一稳压管、第二稳压管和第二三极管；所述第一三极管的漏极通过第二电阻连接所述第一MOS管的栅极，所述第一三极管的源极接地，所述第一三极管的栅极通过第三电阻连接所述第一稳压管的正极，所述第一三极管的栅极和源极之间并联有第四电阻；所述第一稳压管的负极连接在所述第一电阻与第一MOS管的共同端；所述第二三极管的源极连接在所述第一电阻与所述第二MOS管的源极之间，所述第二三极管的漏极通过第五电阻接地，所述第二三极管的栅极通过串联连接的第二稳压管和第六电阻接地；所述第二MOS管的栅极通过第五电阻接地。3.如权利要求1所述的一种电源浪涌抑制电路，其特征在于：所述主电流回路模块还包括并联设置在所述第一MOS管的源极和栅极之间的第七电阻。4.如权利要求2所述的一种电源浪涌抑制电路，其特征在于：所述负载电路模块包括输...

【专利技术属性】
技术研发人员：田振，任广辉，殷桂来，汪知明，党书琴，
申请(专利权)人：中科意创广州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：