相位受控IGBT桥式、GTO桥式和混合IGBT/半无源、GTO/半无源型故障电流限制器（FCL）制造技术

本发明专利技术提供了相位受控IGBT桥式和GTO桥式故障电流限制器(FCL)的拓扑结构，其允许将故障电流精确限制到期望的值并且可以保持这些值恒定，不受故障电流的变化(动态行为)的影响。根据本发明专利技术的实施方式，这些拓扑结构使得能够使用具有最佳触发角计算的相位控制方法。这种控制方法可以用于所提出的FCL拓扑结构和其他受控桥拓扑结构例如SCR桥、GTO桥和IGBT/IGCT/Mosfet桥拓扑结构。IGCT/Mosfet桥拓扑结构。IGCT/Mosfet桥拓扑结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相位受控IGBT桥式、GTO桥式和混合IGBT/半无源、GTO/半无源型故障电流限制器（FCL）


[0001]本专利技术涉及电流限制器领域。更具体地，本专利技术涉及相位受控绝缘栅双极型晶体管(IGBT)桥式、栅极关断晶闸管(GTO)桥式、以及混合 IGBT/半无源和GTO/半无源型故障电流限制器(FCL)。

技术介绍

[0002]由于电子和敏感负载数量的增加以及可再生能源和分布式发电的广泛整合，近年来对现代配电网中的电能质量问题的解决方案的研究变得更加密集。主要的电能质量问题是谐波、短路电流和电压尖峰或骤降。由非线性设备产生的谐波会对电机、变压器和长电缆产生不利影响。谐波问题可以通过使用无源或有源电力滤波器(APF)来处理。故障电流对于网络设备和负载是危险的，并且还可能导致电压骤降。电压尖峰和电压骤降可以通过动态电压恢复器(DVR)和静态补偿器(STATCOM)来处理，而故障电流可以通过断路器(CB)来消除。然而，CB的响应时间受到限制。此外，CB的价格随着使CB必须跳闸的故障电流的幅度而增加。
[0003]为了限制故障电流，还可以使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种位于电源与负载之间的IGBT和GTO桥式故障电流限制器(FCL)，包括：a)电力电路，所述电力电路由以桥的形式连接的两个双向S1、S4和两个单向全控开关S2、S3的拓扑结构构成，并且非超导电抗器被安装在所述桥内并且具有内阻R
DC
；以及b)带有精确相位控制电路的控制器，用于通过以下操作将故障电流限制到期望的值：
‑
根据测量的电流和电压并通过使用所呈现的解析方程计算所述开关的接通角和关断角；
‑
将计算的接通角和关断角转换成选通信号；以及
‑
将所述选通信号供应至所述开关。2.根据权利要求1所述的IGBT和GTO桥式故障电流限制器(FCL)，其中，所述电抗器以充电模式操作，在所述充电模式期间正电流或负电流流过传输线路、相应的开关对、电抗器L
DC
和所述负载，其中，在所述充电模式结束时，所述电抗器被充电到线路电流的最大绝对值。3.根据权利要求1所述的IGBT和GTO桥式故障电流限制器(FCL)，其中，所述拓扑结构由基于Mosfet或IGCT的开关组装。4.根据权利要求1所述的IGBT和GTO桥式故障电流限制器(FCL)，其中，所述双向开关允许通过在正常操作开始时接通所述双向开关并且保持所述双向开关的导通状态直到所述正常操作模式结束来在所述正常操作期间旁路所述FCL，使得流过电抗器L
DC
的电流为零，并且线路电流流过开关S1、S4。...

【专利技术属性】
技术研发人员：德米特里，
申请(专利权)人：萨米沙蒙工程学院RA，
类型：发明
国别省市：