制备氮化硼纳米管的方法、纳米材料、半导体器件及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了制备氮化硼纳米管的方法、纳米材料、半导体器件及装置，方法包括：原位硼源实现：经过清洗并抛光的金属基底，在金属基底表面形成原位硼源，金属基底选自熔点温度高于氮化硼纳米管生长温度的，原位硼源为采用渗硼处理得到；纳米管生长：准备催化剂溶液并部分或者全部地涂覆于生长基底以形成生长区域，而后在保护气氛围下以2~30℃/min的升温速率，升至1200~1350℃后，通入氨气保温30~180min，随炉冷却至室温即可。本发明专利技术制备效率高，工艺条件和产品可控性好，具有良好的生长控制性。具有良好的生长控制性。具有良好的生长控制性。

【技术实现步骤摘要】
制备氮化硼纳米管的方法、纳米材料、半导体器件及装置


[0001]本专利技术是关于纳米材料技术，特别是关于一种制备氮化硼纳米管的方法、纳米材料、半导体器件及装置，是关于一种基于渗硼金属基底制备氮化硼纳米管的方法、纳米材料、半导体器件及装置。

技术介绍

[0002]六方氮化硼(h
‑
BN)是由B原子和N原子以共价键交替组成的材料，B和N均采用sp2杂化，结构类似于石墨烯的二维层状结构。由于B和N电负性差异，B和N之间具有较大的极性。氮化硼纳米管（BNNTs）是由单层或多层的h
‑
BN卷曲成类似于碳纳米管（CNT）的一维中空结构。相比于CNT，BNNTs具有较大的禁带宽度（~5.5 eV）且与手性无关的绝缘的电学性质、高温稳定性、良好的热导率、良好的机械强度。基于这些优异的性能，BNNTs材料在热界面材料、高强度复合材料、航空航天、高强度复合材料、耐热涂层等领域有广泛应用前景。
[0003]尽管BNNTs有诸多优异的性质，但是要应用到实际产品中，还要解决从纳米尺寸到宏观组装体等一系列工程问题。然而由于BNN本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备氮化硼纳米管的方法，包括如下步骤：原位硼源实现：经过清洗并抛光的金属基底，在金属基底表面形成原位硼源，即得到具有原位硼源的生长基底，所述金属基底选自熔点温度高于氮化硼纳米管生长温度的，所述原位硼源为采用渗硼处理得到，所述渗硼处理为在保护气氛围下以2~10℃/min的速度升温至800~1000℃，保温1~6小时，降温至室温；纳米管生长：准备催化剂溶液并部分或者全部地涂覆于所述生长基底上以形成生长区域，而后在保护气氛围下以2~30℃/min的升温速率，升至1200~1350℃后，通入氨气保温30~180min，随炉冷却至室温即可得到在生长区域内形成的氮化硼纳米管：所述催化剂溶液为至少两种可溶金属盐的混合水溶液，所述生长区域为具有原位硼源的区域。2.如权利要求1所述的制备氮化硼纳米管的方法，其特征在于，所述保护气氛围选自氩气氛围、氦气氛围。3.如权利要求1所述的制备氮化硼纳米管...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚亚刚，周正阳，张凯，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：