显示装置及其制造方法制造方法及图纸

提供了一种显示装置和该显示装置的制造方法。根据一些实施例的所述显示装置包括：基底；多条共电压线，位于基底上；多个连接电极，位于多条共电压线上；发射层，位于连接电极上；以及共电极，位于发射层上，其中，发射层具有位于多个连接电极的至少一部分上的多个第一开口，共电极通过多个第一开口电连接到连接电极，并且多个第一开口的在第一方向上的节距具有约0.1mm至约2.5mm的范围。有约0.1mm至约2.5mm的范围。有约0.1mm至约2.5mm的范围。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
[0001]本申请要求于2021年10月22日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
‑
0141673号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]本公开涉及一种显示装置并且涉及其制造方法。

技术介绍

[0003]显示装置包括包含多个像素的显示区域。每个像素包括：被施加数据信号的像素电极；多个晶体管和至少一个电容器，用于将数据信号传输到像素电极；以及共电极，面对像素电极。至少一层可以位于像素电极与共电极之间。
[0004]共电极可以形成为遍及多个像素的一个电极以传输恒定电压。
[0005]本
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于增强对本公开的背景的理解，因此其可以包括不形成本领域普通技术人员在这个国家已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0006]遍及多个像素形成的共电极可以通过形成在位于其下方的层中的开口电连接到下面的连接电极。
[0007]本公开的实施例可以减少由于在形成其中共电极连接到下面的连接电极的开口时产生的颗粒导致的污染，以缩短制造工艺时间，并且可以改善显示区域的亮度的均匀性至姆拉不太可见或不可见这样的程度。
[0008]根据一些实施例的显示装置包括：基底；共电压线，在基底上；连接电极，在共电压线上；发射层，在连接电极上，并且限定在连接电极的至少一部分上的第一开口，第一开口的在第一方向上的节距具有约0.1mm至约2.5mm的范围；以及共电极，在发射层上，并且通过第一开口电连接到连接电极。
[0009]显示装置还可以包括像素，像素包括与不同颜色对应的子像素并且包括晶体管和发光二极管(LED)，发光二极管(LED)包括像素电极、发射层和共电极。
[0010]第一开口的在第一方向上的节距可以大于像素的在第一方向上的节距。
[0011]第一开口的在第一方向上的节距可以大于共电压线的在第一方向上的节距。
[0012]第一开口的在第一方向上的节距可以大于连接电极的在第一方向上的节距。
[0013]连接电极可以与像素电极在同一导电层处，并且可以与像素电极包括相同的材料。
[0014]显示装置还可以包括绝缘层，绝缘层在像素电极与发射层之间，并且限定与第一开口中的一个叠置的第二开口。
[0015]在平面图中，第一开口中的一个可以在第二开口的边缘内。
[0016]第一开口中的一个的边缘和第二开口的边缘可以彼此对准。
[0017]第一开口的在与第一方向基本上垂直的第二方向上的节距可以具有约0.1mm至约
2.5mm的范围。
[0018]根据一些实施例的显示装置包括：基底；共电压线，在基底上；连接电极，在共电压线上；发射层，在连接电极上，限定在连接电极的至少一部分上的第一开口，并且具有限定第一开口的开口形成区域和不包括第一开口的开口非形成区域，开口形成区域和开口非形成区域在第一方向上交替布置；以及共电极，在发射层上，并且通过第一开口电连接到连接电极。
[0019]第一开口可以在第一方向上以恒定节距布置在开口形成区域中，节距在约0.1mm至约2.5mm的范围内。
[0020]开口形成区域与相邻的开口形成区域之间的开口非形成区域的在第一方向上的宽度可以大于第一开口的节距，并且等于或小于以下值：等于第一开口的节距的两倍加上开口形成区域的在第一方向上的宽度的值。
[0021]开口形成区域的在第一方向上的宽度可以等于开口形成区域的在与第一方向基本上垂直的第二方向上的宽度。
[0022]开口非形成区域的在第一方向上的宽度可以等于开口非形成区域的在与第一方向基本上垂直的第二方向上的宽度。
[0023]显示装置还可以包括像素，像素包括与不同颜色对应的子像素，子像素包括晶体管和发光二极管(LED)，发光二极管(LED)包括像素电极、发射层和共电极。
[0024]第一开口的在第一方向上的节距可以大于像素的在第一方向上的节距。
[0025]开口形成区域中的开口的在与第一方向基本上垂直的第二方向上的节距可以具有约0.1mm至约2.5mm的范围。
[0026]根据一些实施例的显示装置的制造方法包括：在基底上形成共电压线；在共电压线上形成连接电极；在连接电极上堆叠并图案化绝缘层，以形成具有在约0.1mm至约2.5mm的范围内的在第一方向上的节距的第一开口；在绝缘层上堆叠发射层；通过由激光钻孔工艺去除发射层的一部分来形成与第一开口对应的第二开口；以及在发射层上形成共电极，并且共电极通过第二开口电连接到连接电极。
[0027]发射层可以具有限定第一开口的开口形成区域和不包括第一开口的开口非形成区域，其中，开口形成区域和开口非形成区域在第一方向上交替布置。
[0028]根据实施例，在将显示区域的亮度的均匀性改善至姆拉不被识别的程度的同时，可以通过减少在其中共电极连接到下面的连接电极的开口的形成期间发生的颗粒污染来缩短制造工艺时间。
附图说明
[0029]图1是位于根据一些实施例的显示装置的显示区域的一个像素中的一个电极层和共电压线的俯视平面图。
[0030]图2是根据一些实施例的显示装置的显示区域的多个像素和多个连接电极的俯视平面图。
[0031]图3是根据一些实施例的显示装置的连接电极的俯视平面图。
[0032]图4是沿着线A1
‑
A2截取的图3中所示的显示装置的剖视图。
[0033]图5是根据一些实施例的显示装置的一个像素的剖视图。
[0034]图6是根据一些实施例的显示装置的连接电极的俯视平面图。
[0035]图7和图8是沿着线A1
‑
A2截取的图6中所示的显示装置的剖视图。
[0036]图9是示出根据一些实施例的显示装置的制造方法中的激光钻孔工艺的步骤的视图。
[0037]图10是示出根据一些实施例的显示装置的制造方法中的激光钻孔工艺之后的显示装置的视图。
[0038]图11和图12分别是根据一些实施例的显示装置中的显示区域和显示区域的一部分的放大俯视平面图。
[0039]图13和图14分别是示出根据对比示例的显示装置的亮度的图片。
[0040]图15是以百分比示出根据对比示例的显示装置的各个区域的亮度值的表。
[0041]图16是示出根据一些实施例的显示装置的亮度的图片。
[0042]图17是以百分比示出根据一些实施例的显示装置的各个区域的亮度值的表。
[0043]图18是示出展示根据一些实施例和对比示例的若干显示装置的亮度的照片和亮度等高线图的表。
[0044]图19是示出根据一些实施例和对比示例的若干显示装置的共电压降和可见性结果的表。
[0045]图20是示出其中姆拉在根据一些实施例的若干显示装置中未被识别的开口的节距的示例的表。
[0046]图21是示出在根据一些实施例的显示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；共电压线，在所述基底上；连接电极，在所述共电压线上；发射层，在所述连接电极上，并且限定在所述连接电极的至少一部分上的第一开口，所述第一开口的在第一方向上的节距具有0.1mm至2.5mm的范围；以及共电极，在所述发射层上，并且通过所述第一开口电连接到所述连接电极。2.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括像素，所述像素包括与不同颜色对应的子像素并且包括晶体管和发光二极管，所述发光二极管包括像素电极、所述发射层和所述共电极。3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一开口的在所述第一方向上的所述节距大于所述像素的在所述第一方向上的节距。4.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一开口的在所述第一方向上的所述节距大于所述共电压线的在所述第一方向上的节距。5.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一开口的在所述第一方向上的所述节距大于所述连接电极的在所述第一方向上的节距。6.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述连接电极与所述像素电极在同一导电层处，并且与所述像素电极包括相同的材料。7.如权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括绝缘层，所述绝缘层在所述像素电极与所述发射层之间，并且限定与所述第一开口中的一个叠置的第二开口。8.如权利要求7所述的显示装置，其中，在平面图中，所述第一开口中的所述一个在所述第二开口的边缘内。9.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一开口中的所述一个的边缘和所述第二开口的边缘彼此对准。10.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一开口的在与所述第一方向垂直的第二方向上的节距具有0.1mm至2.5mm的范围。11.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；共电压线，在所述基底上；连接电极，在所述共电压线上；发射层，在所述连接电极上，限定在所述连接电极的至少一部分上的第一开口，并且具有限定所述第一开口的开口形成区域和不包括所述第一开口的开口非形成区域，所述开口形成区域和所述开口非形成区域在第一方向上交替布置；以及共电极，在所述发射层上，并且通过所述第一开口电连接到所述连接电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世镐，金章圭，金泰亨，李庸大，李镐准，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：