一种异质结自驱动偏振敏感光电探测器及制备方法技术

本申请公开了一种异质结自驱动偏振敏感光电探测器及制备方法，包括：衬底、第一材料层、第二材料层以及电极，第一材料层以及第二材料层位于所述衬底的上方，所述第一材料层的材料为WS2，所述第二材料层的一端搭接在所述第一材料层上并与所述第一材料层形成二维异质结，所述第二材料层的材料为As

【技术实现步骤摘要】
一种异质结自驱动偏振敏感光电探测器及制备方法


[0001]本专利技术涉及偏振敏感光电探测
，尤其涉及一种异质结自驱动偏振敏感光电探测器及制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，将光信号转化为电信号的光电检测设备的研究与开发已广泛应用于医疗诊断、光学成像、光纤通信等领域。探测器通常需要在低温复杂的冷却设施环境中进行，无法在分布式环境监测或紧凑的电信网络等普通环境中使用。自石墨烯通过机械剥离和转移被报道以来，该技术发展迅速，其中二维b
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P也受到了广泛关注。2014年，多组研究人员通过理论计算和实验，发现了单层或少层制备的b
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P，表现出优异的性能，如带隙可调b
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P、面内各向异性和高负载电流迁移等优异特性。2015年，分层b
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AsP首次被报道为一种成分和带隙可调(0.15～0.3eV)的红外半导体，具有光探测潜力，该材料表现出极低的温度，其温度约为10K，具有良好的超导性能。同时，层状b
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AsP可与其他二维材料形成范德华(vdW)异质结，形成高性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结自驱动偏振敏感光电探测器，其特征在于，包括：衬底；第一材料层，位于所述衬底的上方，所述第一材料层的材料为WS2；第二材料层，位于所述衬底的上方，所述第二材料层的一端搭接在所述第一材料层上并与所述第一材料层形成二维异质结，所述第二材料层的材料为As
0.4
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；漏电极，位于所述衬底和第一材料层的上方；源电极，位于所述衬底和第二材料层的上方。2.如权利要求1所述的一种异质结自驱动偏振敏感光电探测器，其特征在于，所述第二材料层与所述第一材料层搭接处沿水平方向的截面为搭接面，所述搭接面的面积为60～120平方微米。3.如权利要求1所述的一种异质结自驱动偏振敏感光电探测器，其特征在于，所述衬底包括相互连接的第一衬底层以及第二衬底层，所述第二衬底层设置在所述第一衬底层的上方，所述第一衬底层的材料为SiO2，所述第二衬底层的材料为Si。4.如权利要求1所述的一种异质结自驱动偏振敏感光电探测器，其特征在于，所述漏电极以及所述源电极的材料为钛金。5.如权利要求1所述的一种异质结自驱动偏振敏感光电探测器，其特征在于，所述第一材料层的厚度为50～70纳米，所述第二材料层的厚度为50～70纳米。6.一种异质结自驱动偏振敏感光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上方形成第一材料层，所述第一材料层的材料为WS2；在衬底上方形成第二材料层，使所述第二材料层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李京波，黎思娜，霍能杰，张洁莲，
申请(专利权)人：浙江芯科半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：